Краевая винтовая дислокация

Cтраница 3

Адсорбция примесей вызывает нарушения в построении кристаллической решетки, которая содержит точечные ( вакансии и примеси), линейные ( краевые и винтовые дислокации) и плоскостные дефекты. Высокая концентрация вакансий обуславливает резкое повышение скорости диффузионных процессов, количество дефектов в кристаллической решетке увеличивается. Дефекты кристаллической решетки оказывают существенное влияние на физические свойства образующихся осадков. В некоторых случаях на электроде возникает жидкоподобная структура - металлические стекла. Не имея границ зерен, они являются однородными метастабильными системами и часто обладают более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с кристаллическими осадками такого же химического состава. [31]

В работах Хирша [174], Эшби [146], Хирша и Хэмпфри [166] вопросу поперечного скольжения в двухфазных сплавах придается большое значение и подробно анализируются все возможные варианты поперечного скольжения краевых и винтовых дислокаций возле частиц. Более того, в этих работах подчеркиваются два момента: во-первых, термически активируемое поперечное скольжение не может понизить предел текучести ниже значения полученного по формуле Орована, во-вторых, поперечное скольжение ближайшей к частице остаточной петли значительно облегчается с подходом последующих дислокаций. Тем не менее в указанных работах при выводе уравнения для предела текучести поперечное скольжение учтено не было. [32]

Линейные ( одномерные) дефекты, нарушающие периодичность решетки в одном направлении много дальше, чем в двух других, в которых нарушения не превышают нескольких параметров решетки. К линейным дефектам относятся краевые и винтовые дислокации, микротрещины и ряды вакансий и междоузелъных атомов. [33]

В отличие от описанных выше точечных дефектов дислокации - это линейные дефекты в том смысле, что они соответствуют смещению целых рядов атомов из нормального расположения по отношению к некоторым из их соседей. Имеются два основных типа дислокаций - краевые и винтовые дислокации. Вдали от краевой дислокации периодичность решетки правильная, но на самом краю имеется значительное напряжение. При винтовой дислокации ряд атомов, смещенный по отношению к некоторым из их соседей, представляет собой ось, вокруг которой скручены плоскости кристалла, подобно винтовой резьбе. Другими словами, круговое движение в правильной кристаллической решетке при наличии винтовой дислокации приводит к смещению плоскости решетки вверх. [34]

Возможны случаи, когда взаимная ориентировка кристаллов менее симметрична, чем при наличии чисто наклонной границы или границы кручения. В общем случае граница всегда состоит из комбинации краевых и винтовых дислокаций. [35]

На верхней грани кристалла наблюдаются точки выхода только винтовых дислокаций. При такой четкой геометрии огранки кристалла можно наблюдать точки выхода краевых и винтовых дислокаций на разных поверхностях и, кроме того, изучать картину скольжения в следующих одна за другой плоскостях ( НО) при попеременном травлении и полировке. [36]

На реальных металлах, обладающих несовершенствами структуры и имеющих примеси, рост зародышей зависит от многих факторов, что приводит к образованию различных типов микрокристаллов. Отдельные микрокристаллы за счет неравновесности процесса электроосаждения уже сами по себе могут иметь несовершенства структуры: краевые и винтовые дислокации, двойники, включения атомов, вакансии. [37]

Перечисленные выше дефекты кристаллической решетки относятся к точечным, не выходящим за пределы элементарной ячейки. Наряду с ними реальные кристаллы могут иметь протяженные дефекты - микротрещины и мозаика, открытые и закрытые микрокаверны, краевые и винтовые дислокации. Образование этих дефектов является предметом изучения физики и химии твердого тела. [38]

Длительное время существовало мнение, что образование таких углублений на базисных плоскостях является следствием контакта с частицами примеси. Несколько позднее [5] было установлено, что образование углублений на базисных плоскостях графита под действием окисляющих газов является также и следствием наличия в решетке различных дефектов, главными из которых являются краевые и винтовые дислокации, а также углубления, состоящие из конденсированных вакансий. При последующем окислении это приводит к образованию углублений. [39]

Краевая дислокация может быть получена введением неполной атомной плоскости между двумя соседними полными плоскостями в кристалле. Винтовая дислокация образуется за счет смещения края разреза в направлении, параллельном дислокационной линии, так что образуется винтовая поверхность, которая непрерывно закручивается вокруг оси дислокации. Краевые и винтовые дислокации - основные типы дислокации: все остальные дислокации представляют их комбинации. [40]

Оказалось, что подобные отклонения от идеальной структуры существенно влияют на целый ряд свойств кристаллов. За последние годы выяснилось, что для оценки механических свойств и процесса роста кристаллов особенно важны дефекты иного типа - дислокации. Различают краевые и винтовые дислокации. В случае краевых дислокаций плоскости сеток кристаллической решетки обрываются внутри кристалла. Во втором случае сетки кристаллической решетки не являются строгими плоскостями, они располагаются спиралеобразно вдоль некоторой линии наподобие винтовых лестниц. Такие винтовые дислокации допускают рост кристалла при меньших значениях пересыщения, чем это требуется при возникновении твердой фазы на поверхности совершенного кристалла. [41]

Схемы краевой ( а и винтовой ( б дислокаций 20. [42]

Кроме точечных дефектов, реальный кристалл содержит еще и более протяженные в различных направлениях дефекты. В первую очередь это дефекты линейные. К ним относятся краевые и винтовые дислокации. Краевая дислокация состоит из линии, образованной некоторым локальным сдвигом атомов. В случае краевой дислокации обход по контуру Бюргерса приводит к возвращению в исходную точку, лежащую в той же плоскости при отклонении от нее на величину, соответствующую вектору Бюргерса. В результате получается как бы вдвинутая в решетку лишняя полуплоскость. При винтовой дислокации обход по контуру приводит к сдвигу рдоль линии дислокации. [43]

При правильном выборе следов скольжения можно также отделить точки выхода краевых и винтовых дислокаций и, следовательно, проверить, оба ли типа дислокаций образуют ямки травления. Это также особенно просто сделать для образцов щелочно-галоидных кристаллов. Это позволяет исследовать действие травителя отдельно на краевые и винтовые дислокации, а также изучить влияние наклона линии дислокации к поверхности травления. Обычно при наклонном выходе дислокации на поверхность, подвергающуюся травлению, получаются асимметричные ямки травления, но такие дислокации все же можно выявить ( фиг. [44]

Как отмечается [36], выходу краевых дислокаций на поверхность препятствует сопротивление, связанное с работой образования новой поверхности на ступеньке скольжения. В то же, время винтовые дислокации могут без сопротивления выходить на поверхность. Этим обусловлено резкое различие в энергетическом состоянии разряжающихся на поверхности краевых и винтовых дислокаций. [45]

Страницы: 1 2 3 4