Импульсное измерение

Cтраница 2

Промышленностью выпускаются приборы для импульсных измерений, работающие на принципе осциллографического метода или дискретного счета и обеспечивающие все необходимые импульсные измерения, которые встречаются в практике радиотехники, электроники и связи. [16]

Приборы, предназначенные для импульсных измерений, содержат генератор зондирующих импульсов, приемник отраженных импульсов и электроннолучевой индикатор. [17]

Схема измерения пробивных напряжений.| Схема для измерения / ибо. [18]

Один из таких методов импульсных измерений описывается в следующем параграфе. [19]

Установим связь между погрешностью импульсных измерений и частотными характеристиками системы присоединения. [20]

Генераторы импульсов используются для импульсных измерений и испытаний полупроводниковых и электровакуумных приборов. Они обеспечивают запуск испытываемых импульсных систем и устройсго и проверку быстродействия высокоскоростных пересчетных устройств и схем совпадения. По характеру последовательности основных импульсов их подразделяют на генераторы одинарных и парных импульсов. Кроме того, их разделяют по назначению, определяемому основными параметрами ( амплитудой напряжения, длительностью импульсов, частотой повторения, временным сдвигом между импульсами) и по классу точности. [21]

И - приборы для импульсных измерений: 1 - установки для поверки импульсных приборов; 2 - измерители временных интервалов; 3 - счетчики числа импульсов; 4 - анализаторы импульсов амплитудные. [22]

Условные обозначения на электроизмерительных приборах.| Схема измерения электрических данных измерителя магнитоэлектрической системы. [23]

И - приборы специальные для импульсных измерений. [24]

Эффект Вина для сильных электролитов. [25]

В дальнейшем была разработана методика импульсного измерения электропроводности, позволяющая делать измерения за чрезвычайно короткое время-порядка 10 - сек. [26]

Сравним особенности разных методов при импульсных измерениях. Для монокристалла Si толщиной h - 1 мм при облучении на длине волны А 1 15 мкм изменение коэффициента отражения на SR 10 - 4 соответствует, как показано выше, изменению температуры на 6в и 8 1 ( Г5 К. [27]

Несмотря на это, главной трудностью импульсных измерений является различение отражений от места повреждения и от неравномерностей. [28]

Схема подавления помех от высокочастотных каналов и характеристики фильтров. [29]

Если не представляется возможным на время импульсных измерений отключить в. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5