Ненасыщенный триггер
Cтраница 2
Длительность фронта в формуле (5.57) отсчитывается от момента приложения импульса для ненасыщенного триггера и от окончания рассасывания заряда для насыщенного триггера до момента достижения 90 % установившегося значения напряжения. Первое слагаемое в формуле (5.57) представляет собой длительность регенеративной стадии процесса опрокидывания, когда в схеме действует положительная обратная связь. [16]
Проверить, выполняются ли условия работоспособности (4.5) и (4.7) в схеме ненасыщенного триггера рис. 4.4 при f20 С. [17]
После того как было сокращено время запоминания транзисторов, рабочий частотный диапазон, в котором ненасыщенные триггеры имели неоспоримые преимущества над насыщенными, расширился в сторону верхних частот настолько, что было бы опрометчиво налагать высокочастотные ограничения на условия принимаемого решения, обусловленного указанными выше соображениями. [18]
В такой проверке в большей степени нуждаются триггеры, которые предполагается построить на кремниевых транзисторах, и ненасыщенные триггеры при питании пониженным напряжением. Например, при расчете ненасыщенного триггера на ток нагрузки 300 ма и диапазон температур от 20 до 120 С ( на транзисторах типа П302 - П304) Е П обычно получается равным 26 - 30 в. При этом возрастает базовый ток / б, но его можно снизить, применив составные транзисторы. [19]
В ненасыщенном триггере с автоматическим смещением используется стабилизирующее действие отрицательной обратной связи из цепи эмиттера в цепь базы. Существует второй, еще более эффективный способ стабилизации режима и предотвращения насыщения. Этот способ характеризуется тем, что обратная связь осуществляется между цепями коллектора и базы, и притом с помощью нелинейного элемента. Вследствие этого обратная связь действует только в том случае, когда напряжение на коллекторе открытого триода становится равным некоторой малой величине ( например, 0 6 б), обеспечивающей отсутствие насыщения. [20]
С увеличением / Сн, как следует из выражений (5.17) и (5.18), время рассасывания возрастает, а быстродействие триггера уменьшается. В ненасыщенном триггере этап рассасывания вообще отсутствует, благодаря чему заметно сокращается длительность стадии подготовки, а поэтому возрастает быстродействие схемы. [21]
Недостаток насыщенного триггера, отсутствующий у ненасыщенного, состоит в том, что переходной процесс выключения запаздывает на длительность времени запоминания. Для данного типа транзисторов ненасыщенные триггеры могут работать при более высокой частоте следования импульсов, чем насыщенные. [22]
В такой проверке в большей степени нуждаются триггеры, которые предполагается построить на кремниевых транзисторах, и ненасыщенные триггеры при питании пониженным напряжением. Например, при расчете ненасыщенного триггера на ток нагрузки 300 ма и диапазон температур от 20 до 120 С ( на транзисторах типа П302 - П304) Е П обычно получается равным 26 - 30 в. При этом возрастает базовый ток / б, но его можно снизить, применив составные транзисторы. [23]
 |
Схема ненасыщенного триггера с нелинейной обратной связью. [24] |
Насыщение транзистора приводит к увеличению продолжительности стадии подготовки, а следовательно, к уменьшению быстродействия триггера. Поэтому в быстродействующих схемах применяются ненасыщенные триггеры, в которых предотвращается насыщение открытого транзистора, благодаря чему сокращается продолжительность времени переброса триггера и соответственно повышается его быстродействие. [25]
 |
Принципиальная схема симметричного триггера с автоматическим смещением. [26] |
На рис. 7.3 представлена схема одного из ненасыщенных триггеров с нелинейной обратной связью. [27]
Тип триода выбирается, исходя из требований к быстродействию триггера. При этом следует руководствоваться приведенными выше формулами связи максимальной частоты переключений ненасыщенного триггера с динамическими параметрами триода. Если из данной оценки следует что требуемая частота достигается с большим запасом, то прорабатывается один из вариантов насыщенного триггера. В противном случае сразу следует остановиться на ненасыщенном триггере. Затем следует выбрать величины ЕК ( ЕК), Е5 ( Еб) и Кк. Учитывая влияние напряжения смещения Е5 на быстродействие триггера, не следует выбирать его слишком большим. [28]
Быстродействие триггерных схем на плоскостных полупроводниковых триодах зависит от ряда факторов. При использовании низкочастотных триодов, работающих по принципу диффузии, предельная возможная частота переключений ненасыщенного триггера определяется главным образом временем движения неосновных носителей заряда через базовый слой. В режиме насыщения неосновные носители накапливаются в области базы в избыточном количестве, что вызывает дополнительную задержку переключения схемы на время их рассасывания. Применение дрейфовых триодов значительно повышает быстродействие триггеров, работающих в ненасыщенном режиме, и в относительно меньшей степени - быстродействие насыщенных. [29]
Быстродействие транзисторного счетчика определяется главным образом характеристиками транзисторов. Применение высокочастотных полупроводниковых триодов типов П-401, П-402, П-403 и др. в счетчиках, выполненных из обычных ненасыщенных триггеров на двух транзисторах, позволяет получить передельную частоту счета до 3 - 4 Мгц. Дальнейшее увеличение скорости счета достигается дополнительным введением в схему ячейки эмиттерных повторителей и корректирующих индуктивностей. [30]
Страницы: 1 2 3