Насыщенный триггер

Cтраница 1

Насыщенный триггер имеет следующие преимущества перед ненасыщенным, подробное описание которого приведено ниже. [1]

Насыщенный триггер, представленный на фиг. Эмиттерное сопротивление Л7 часто опускается, чтобы установить уровень напряжения в состоянии включено близким к потенциалу земли и тем самым упростить расчет. Уровень напряжения в состоянии выключено может изменяться в разных схемах в зависимости от нагрузки. [2]

Быстродействие насыщенного триггера увеличится в этом случае в значительно меньшей степени - приблизительно на 30 %, так как предельная частота переключений насыщенного триггера зависит не только от постоянной времени коллекторной цепи, но и от времени рассасывания избыточных носителей заряда в области базы. [3]

Недостаток насыщенного триггера, отсутствующий у ненасыщенного, состоит в том, что переходной процесс выключения запаздывает на длительность времени запоминания. Для данного типа транзисторов ненасыщенные триггеры могут работать при более высокой частоте следования импульсов, чем насыщенные. [4]

Принципиальная схема симметричного триггера без смещения. [5]

Особой разновидностью насыщенного триггера является триггер без смещения. Для схем с внешним и автоматическим смещением, рассмотренных выше, характерно, что рабочие точки обоих триодов в стационарном режиме находятся за пределами активной области семейства статических коллекторных характеристик. [6]

Максимальная частота насыщенных триггеров ниже расчетных значений по формулам (5.63) - (5.67), так как час ь периода входных импульсов занимает рассасывание избыточного заряда, не учитываемое этими формулами. [7]

Максимальную частоту переключений насыщенного триггера можно приблизительно оценить по эмпирической зависимости / Макс 0 5 / макс. [8]

Применение эмиттерного сопротивления в насыщенном триггере обеспечивает отрицательную обратную связь и улучшает стабильность. Падение напряжения на эмиттерном сопротивлении определяет уровень, при котором происходит насыщение, и, следовательно, уровень на коллекторе транзистора в состоянии включено. Однако изменение характеристик транзистора вызывает изменения и этого уровня напряжения. Такое обстоятельство также усложняет процесс расчета. [9]

Присоединение внешней заземленной нагрузки к насыщенному триггеру с внешним источником смещения не изменяет прямым образом коллекторного тока открытого триода, так как в этом случае Rn0 шунтирует весьма малое внутреннее сопротивление триода Rp. [10]

При выводе основных расчетных формул для насыщенного триггера было принято во внимание, что параметры активного элемента триггернои схемы - плоскостного триода - не являются жесткими и могут изменяться как от образца к образцу, так и под влиянием условий работы. Если при этом значения Рмин и / К0 макс относятся не к среднему, а к худшему допускаемому образцу триода, то наряду с уштг. Разброс параметров пассивных элементов схемы оказывает существенное влияние на работу триггера. [11]

Приведенное сравнение чаще свидетельствует в пользу насыщенных триггеров. Ненасыщенный режим используется в случаях, когда требуется получить максимальную скорость счета при заданном типе применяемых транзисторов, или в случаях, когда высокая скорость счета не допускает применения режима насыщения среди доступных транзисторов. [12]

При работе на низких частотах обычно применяется насыщенный триггер. При более высоких частотах в большинстве случаев желательно критически сравнить два типа триггеров. Выбор типа триггера зависит от экономических и технических соображений, а также особенностей каждого конкретного случая. [13]

Расчет проводится по формулам, приведенным для насыщенного триггера с внешним смещением, с небольшими коррективами. [14]

Рассмотрим относительное влияние внешней коллекторной нагрузки на режим насыщенного триггера с внешним и автоматическим смещением. Так как величина RK входит в уравнения коллекторного тока и тока базы открытого триода и не входит в уравнение ( 82), определяющее условие запирания, то, очевидно, подключение нагрузки R IK к схеме с внешним источником смещения сводится к воздействию на открытый триод. Иначе обстоит дело при подключении RaK к схеме с автоматическим смещением. [15]

Страницы: 1 2 3