Полевой триод
Cтраница 3
 |
Схема генератора, стабилизированного пьезоэлектрическим ( кварцевым фильтром ( а и схема с эквивалентным контуром ( б. [31] |
Использование пьезоэлемента в схеме генератора в качестве частотно-избирательной цепочки приводит к значительному повышению стабильности частоты колебаний. На рис, 9.15 изображена одна из возможных схем генератора с пьезоэлектрическим фильтром / Се, использующая полевой триод, и эквивалентная схема такого генератора, которая может рассматриваться как схема усилителя с индуктивной нагрузкой и емкостной обратной связью через конденсатор Ссв. Напряжение на стоке в рассматриваемой схеме будет сдвинуто по фазе относительно тока на я ( или на величину, близкую к л) за счет индуктивного характера нагрузки. [32]
 |
Пленочный полевой триод. [33] |
Поэтому естественно, что большое значение для пленочной микроэлектроники имеют исследования по отысканию других принципов преобразования и усиления сигналов, которые позволили бы работать на поликристаллических полупроводниках. Сюда можно отнести приборы, работающие на туннельном эффекте, приборы, ток которых ограничен объемным зарядом, полевые триоды. [34]
 |
Каскад с катодным входом. а - принципиальная схема. б и в - эквивалентные схемы. [35] |
Поскольку полевой транзистор является полупроводниковым аналогом электронной лампы ( cvi. ИП справедливы формулы (10.3), (10.6) и другие, полученные для КП, если в них подставить соответствующие параметры полевого триода. [36]
Это относится, в частности, к изготовлению эффективно действующих вариантов полевых триодов МДП с изолированным затвором [405, 657, 410, 557], элементов памяти на основе систем МДП [562, 599, 360, 437], твердотельных матричных видиконов с высоким разрешением [289], интегральных схем с зарядовой связью [240, 239] и др. Важно заметить, что все эти приборы выполнены на основе многофазных слоистых систем типа ДП, МДП, МД П и др. и используют эффекты, реализующиеся, как правило, вблизи поверхности полупроводника в пространственно ограниченных областях. [37]
Наконец, по входным характеристикам триода ( рис. 4.14, б) легко получить связь между током базы и ее потенциалом. Обращает на себя внимание гораздо худшая линейность кривой на рис. 4.14, е по сравнению с кривой рис. 4.14, в, что является характерной особенностью биполярных транзисторов. Все сказанное о построении динамических характеристик справедливо и для схем с полевыми триодами, анализ которых проводится совершенно аналогично путем построения нагрузочной прямой. В схемах с полевыми триодами имеет смысл только динамическая характеристика в координатах гс, ы3; она обладает гораздо лучшей линейностью, чем аналогичная кэивая для схемы с биполярным транзистором. [38]
Одно из наиболее важных отличий состоит в том, что изменение потенциала затвора управляет активной составляющей сопротивления сток - исток, проводимость которого одинакова для токов встречных направлений. Таким образом, в полевом транзисторе исток и сток при нормальных для прибора потенциалах почти равноправны ( различие вызывается только конструктивными решенпяуп), чего ни в коем случае нельзя сказать о биполярном транзисторе относительно эмиттера и коллектора. Это обстоятельство приводит к тому, что свойства схем с общим истоком и общим стоком могут оказаться практически совершенно одинаковыми. Поэтому полевые триоды используются преимущественно только в схемах с общим истоком. Более подробные сведения об особенностях применения униполярных транзисторов могут быть почерпнуты в специальной литературе. [39]
Успешно ведутся работы но созданию так называемых полевых триодов. Так называется плоскостной триод, сила тока в котором изменяется под влиянием электрического поля специального управляющего электрода. Входное сопротивление такого ПТ значительно выше, чем у обычных полупроводниковых триодов, п может достигать величины, равной 1 мгом. Частотная характеристика полевого триода позволяет применять его на частотах до 100 мец. [40]
Наконец, по входным характеристикам триода ( рис. 4.14, б) легко получить связь между током базы и ее потенциалом. Обращает на себя внимание гораздо худшая линейность кривой на рис. 4.14, е по сравнению с кривой рис. 4.14, в, что является характерной особенностью биполярных транзисторов. Все сказанное о построении динамических характеристик справедливо и для схем с полевыми триодами, анализ которых проводится совершенно аналогично путем построения нагрузочной прямой. В схемах с полевыми триодами имеет смысл только динамическая характеристика в координатах гс, ы3; она обладает гораздо лучшей линейностью, чем аналогичная кэивая для схемы с биполярным транзистором. [41]
Она находит применение, когда напряжения между электродами неизменны во времени либо изменяются с низкой частотой, при которой можно пренебречь токами смещения между электродами полевого триода. Для учета токов смещения в эквивалентные схемы следует ввести соответствующие емкостные элементы С. Упрощенная схема триода в малосигнальном режиме изображена на рис. 19.40. Из-за особенностей геометрии полевого триода ( см. рис. 19.31) емкость Сси обычно на порядок меньше емкостей Сш и С. [42]
Эта зависимость, как и в транзисторах с двумя р - л-переходами, нелинейна и в достаточно широкой области изменения величин может быть представлена только графически. Графики изменения тока стока от потенциала на нем при постоянном потенциале затвора, принимаемом в качестве параметра, называют обычно выходными характеристиками полевого транзистора. Возможно и другое представление тех же зависимостей - графики изменения тока стока от потенциала затвора при фиксированном потенциале на стоке. Такие характеристики получили ( не совсем удачное) название переходных. На рис. 4.8, а приведены примерные характеристики полевого триода этого типа. На рисунках индексы у величин обозначают: и - вывод истока, с - вывод стока, з - вывод затвора. Характеристики, приведенные на рисунке, получены в предположении, что потенциал истока и корпуса нулевой, а стока - отрицательный. [43]
Страницы: 1 2 3