Насыщенный триод

Cтраница 2

При увеличении температуры окружающей среды остаточное напряжение на насыщенном триоде меняется незначительно. [16]

Поэтому амплитуда сигнала нормализуется по напряжению стабилизатора с точностью падения на насыщенном триоде и открытом диоде. Стабильностью этих потенциалов определяется и стабильность работы схемы. [17]

Отметим, что при запуске на коллектор стартовый импульс проходит на базу насыщенного триода через ускоряющий конденсатор, чем ослабляется. [18]

Не только напряжение база - эмиттер, но и напряжение коллектор - эмиттер насыщенного триода измеряется десятыми долями вольта. [19]

Статические коллекторные характеристики полупроводникового триода, включенного по схеме с общим эмиттером.| Схема замещения полупроводникового триода в области насыщения при включении его с общим эмиттером. [20]

Из выражения ( 9 18), следует, что ток в коллекторе насыщенного триода определяется величиной напряжения питания и сопро тивлением нагрузки и не зависит от параметров самого триода и входного сигнала. [21]

Из проведенного рассмотрения, в частности, следует, что соотношение между входным и выходным токами насыщенного триода, а также характер их изменения не определяются триодом или, иными словами, входной ток в таком режиме не управляет выходным током триода и, следовательно, триод является пассивным элементом. Однако процесс перехода схемы релаксатора из одного состояния в другое - процесс регенеративный и возможен только при работе триодов в усилительном режиме, когда они являются активными элементами схемы. Поэтому, для того чтобы начался регенеративный процесс, триод должен выйти из насыщения. Таким образом, регенеративный процесс начинается с некоторой задержкой относительно управляющего импульса, что оказывает заметное влияние на разрешающую способность триггера: с ростом задержки последняя уменьшается. [22]

В действительности изменение тока коллектора в схеме с ненасыщенным триодом начинается раньше, чем в схеме с насыщенным триодом. Поэтому кривые на рис. 2 служат лишь для сравнения длительности среза импульса. Из этого рисунка видно, что длительность среза Ср ( определяемая на уровне от 0 9 до 0 1) для дрейфового триода, оказавшегося в насыщении, почти в 1 8 раза меньше по сравнению с tcv для этого же триода, но - ненасыщенного. [23]

Длительность импульса ( длительность запертого состояния триода Т2) - промежуток времени, в течение которого напряжение uiC на разряжающемся конденсаторе Ct уменьшится практически до нуля ( через насыщенный триод 7 напряжение база-эмиттер Tz иабэ. [24]

Характеристика мощного транзистора в режиме мкб 0. [25]

При избыточном базовом токе остаточное напряжение на участке коллектор-эмиттер уменьшается на 30 - 40 %, входное напряжение при этом остается приблизительно постоянным; при этом мощность, рассеиваемая в насыщенном триоде, снижается. [26]

Возможность выбора импульса, индуктированного в обмотке Wz при действии запускающего импульса, достаточно большой мощности с суммарной длительностью фронта и вершины, равной или превышающей время переходного процесса в насыщенном триоде, практически полностью устраняет сбои в пересчетном режиме работы триггера от накопления неосновных носителей. Отсутствие конденсаторов в триггере делает его устойчивым к воздействию различного рода помех. [27]

Характеристика мощного транзистора в режиме икб 0. [28]

При избыточном базовом токе остаточное напряжение на участке коллектор-эмиттер уменьшается на - 30 - 40 %, входное напряжение при этом остается приблизительно постоянным; при этом мощность, рассеиваемая / в насыщенном триоде, снижается. [29]

Электрическая схема одновибратора ( а. временные диаграммы, иллюстрирующие режим его работы ( б - д. [30]

Страницы: 1 2 3 4