Разноименная дислокация

Cтраница 1

Разноименные дислокации, лежащие в одной плоскости скольжения, в соответствии с формулой ( 47) притягиваются и аннигилируют: две экстраплоскости сливаются в единую полную атомную плоскость. [1]

Разноименные дислокации, столкнушись одна с другой, взаимно погашаются. [2]

Из формулы ( 47) следует, что при xil разноименные дислокации притягиваются ( см. рис. 29, кривая 2), а при xil отталкиваются. [3]

Схемы дислокаций. [4]

Движение дислокаций задерживается у точечных и линейных дефектов атомно-кристалли-ческих решеток, включений примесных атомов, облаков примесей ( атмосферы Котрелла), у границ фаз, кристаллических блоков и зерен: Перемещение дислокаций тормозят поперечные дислокации и дислокации одинакового направления, но противоположного знака. Разноименные дислокации, столкнувшись одна с другой, взаимно погашаются. [5]

Силовые ноля дислокаций могут взаимодействовать не только с силовыми полями инородных атомов, по и между собой. Так, например, разноименные дислокации ( положительные и отрицательные), расположенные в одной плоскости скольжения, притягиваются ( и при слиянии уничтожаются), а одноименные дислокации отталкиваются. Дислокации, расположенные в пересекающихся плоскостях, также взаимодействуют и стремятся занять положение, соответствующее уменьшению потенциальной энергии кристаллической решетки. Объединившиеся краевые дислокации, лишние плоскости которых пересекаются, требуют для начала движения значительно больших напряжений, чем единичные краевые или винтовые дислокации. [6]

Под действием внешнего напряжения дислокации в кристалле могут двигаться. Поскольку знаки напряжений, создаваемых положительной и отрицательной дислокациями, противоположны, разноименные дислокации движутся в разные стороны под действием одного и того же внешнего напряжения. Разнои-именные дислокации, такие как на рис. 260, движущиеся в одной плоскости, при встрече взаимно уничтожаются ( аннигилируют), в результате чего восстанавливается целостность решетки. [7]

Силы, обуславливающие образование конгломератов, могут иметь различную природу. В месте контактов между близлежащими частицами могут возникать валентные и Ван-дер - Ваальсовы силы, также силы между разноименными дислокациями. [8]

Образование дислокаций, как указывалось, могут вызвать также скопления вакансий. При повышении температуры увеличивается концентрация вакансий и способность их образовывать колонки, причем в зависимости от размеров и формы колонки последняя может превратиться в пару разноименных дислокаций. Построение такой системы в дислокацию или колонию вакансий зависит от соотношения величины энергии дислокации / 7Д и поверхностной энергии скопления вакансий QB. [9]

Движение дислокаций задерживается у точечных и линейных дефектов атомно-кристалли-ческих решеток, включений примесных атомов, облаков примесей ( атмосферы Котрелла), у границ фаз, кристаллических блоков и зерен. Разноименные дислокации, столкнувшись одна с другой, взаимно погашаются. [10]

При напряжениях, достаточных для начала массового поперечного скольжения дислокаций, начинается III стадия, где природа деформационного упрочнения сейчас более понятна, чем на двух предыдущих. К моменту качала ИГ стадии скольжение во всех системах затормаживается различными барьерами. После начала этого процесса коэффициент упрочнения уменьшается - происходит так называемый динамический возврат. Ему способствуют также многочисленные процессы аннигиляции дислокаций из-за возрастания вероятности встреч разноименных дислокаций в одной плоскости. [11]

Особенности рельефа грани кристалла непосредственно связаны с особенностями его роста. Если на грани расположена одна хорошо развитая спираль, это означает, что в образовании кристалла участвовала одна активная дислокация. В формировании кристалла часто участвуют две, три и более дислокаций. Соответственно на поверхности кристалла образуются несколько спиралей; при этом они видоизменяются определенным образом в зависимости от взаимного расположения, знака и вектора Бюргерса дислокаций. На рис. 5 показан пример объединения двух спиралей одного знака с гиперболической кривой пересечения, а на рис. 6 - примеры объединения трех по-разному расположенных и почти одинаково развитых спиралей одного знака. Ери взаимодействии дислокаций разных знаков на поверхности кристалла образуются замкнутые петли. На рис. 7 показано образование своеобразных петель из пяти пар разноименных дислокаций. [12]

Особенности рельефа грани кристалла непосредственно связаны с особенностями его роста. Если на грани расположена одна хорошо развитая спираль, это означает, что в образовании кристалла участвовала одна активная дислокация. В формировании кристалла часто участвуют две, три и более дислокаций. Соответственно на поверхности кристалла образуются несколько спиралей; при этом они видоизменяются определенным образом в зависимости от взаимного расположения, знака и вектора Бюргерса дислокаций. На рис. 5 показан пример объединения двух спиралей одного знака с гиперболической кривой пересечения, а на рис. 6 - примеры объединения трех по-разному расположенных и почти одинаково развитых спиралей одного знака. При взаимодействии дислокаций разных знаков на поверхности кристалла образуются замкнутые петли. На рис. 7 показано образование своеобразных петель из пяти пар разноименных дислокаций. [13]

Страницы: 1