Cтраница 4
Возможность диссоциации винтовой дислокации на частичные, расположенные в металлах с о. В этом случае высокое сопротивление движению дислокаций обусловлено необходимостью стягивания расщепленной дислокации с последующей рекомбинацией и образованием перетяжек, способных скользить в кристаллической решетке, поскольку эти процессы связаны со значительным увеличением энергии дислокации. Модель диссоциации и рекомбинации винтовых дислокаций удовлетворительно объясняет температурную зависимость сопротивления кристаллической решетки движению дислокации, высокий уровень напряжения течения при О К для о. Атомы внедрения могут стабилизировать сидячую дислокационную конфигурацию и понижать вероятность образования перетяжки на расщепленной дислокации, что приводит к возрастанию напряжения Пайерлса при увеличении концентрации примесей внедрения. [46]
Кроме того, для определения ур обычно с помощью просвечивающего электронного микроскопа измеряют ширину дислокаций или расщепленных тройных узлов при комнатной температуре. Вполне возможно, что ширина дислокации оказывает влияние на ползучесть. Однако корреляция между ско ростью высокотемпературной ползучести и энергией дефекта упаковки сплавов, измеренной при комнатной температуре, не имеет смысла и в лучшем случае является случайной. Отметим, что Орлова и др. [268] не обнаружили такой корреляции для сплавов Си - А1 вплоть до концентрации А1 в 16 ат. Наконец, миграция ступеньки и излома на расщепленной дислокации, по-видимому, происходит по-разному в чистых металлах и сплавах с выделением атомов растворенного, вещества на дефектах упаковки. [47]
В результате электронно-микроскопических исследований, проведенных в настоящей работе на различных ГЦК сплавах твердых растворов ( XisFe, тронные сплавы на его основе ( PdsFe, NisMu), сплавы системы Си - А1 и Си - Мп, хромошшелевьге и хромомар-ганцевые стали), было установлено, что все наблюдавшиеся типы дислокационных субструктур ( ДСС) можно разделить на два больших класса [145, 157, 158]: неразориентированные и разориен-тированные субструктуры. Среди таких неразориентп-рованных дислокационных субструктур можно выделить ( фото 16): а ( 1) - хаотическое распределение почти невзаимодействующих дислокации ( сюда же относятся однородные субструктуры типа невзаимодействующих диполей или сверхдпслокацпй); 6 ( 2) - скопления дислокации; в ( 3) - однородная сетчатая субструктура, г ( 4) - дислокационные клубки; д ( 5) - неразорпентированггые ячейки и е ( 7) - ячеисто-сетчатая нерилорпентированная субструктура. К разориентнрованным субструктурам ( дискретные разорпентиров-ки на субграницах превышают 0 5) относятся ( фото 17): а ( 6) - ячеистая с разориентировкой; 6 ( 8) - ячеисто-сетчатая дислокационная структура с плавными разориентнровкамн; в ( 9) - полосовая субструктура; г ( 10) - субструктура с многомерными дискретными и плавными разориентировками; д ( 11) - фрагментированная субструктура. Есть еще один класс субструктур, связанный с двонни-кованием и мартенситнымп превращениями. Начальная из этого класса субструктур - е ( 12) - субструктура с расщепленными дислокациями - может быть отнесена к неразориентированным. Незавершенное двойнпкование либо мартенситное превращение приводит к ж ( 13) - субструктуре с многослойными дефектами упаковки. Они относятся к классу разориентированных. Также к разориентп-рованным относятся з ( 14) - двойниковая ( одно -, дву - или многомерная) и и ( 15) - субструктура с деформационным мартенситом. [48]