Спиральная дислокация
Cтраница 1
Спиральная дислокация образуется в том случае, если линия узлов одного из блоков некоторой своей частью как бы соскользнет на один период выше или ниже своего нормального направления. Наибольшие искажения здесь также возникают вдоль оси дислокации ( рис. 32.6), в остальных участках, особенно вдали от оси, дальний порядок оказывается ненарушенным. [1]
Спиральная дислокация образуется в том случае, если линия узлов одного из блоков некоторой своей частью как бы соскользнет на один период выше или ниже своего нормального направления. [2]
Если есть спиральная дислокация, то наращивание грани идет таким образом, что ступеньки, на которых атомам выгодно занять место, никогда не зарастут. Физики облегченно вздохнули, когда были обнаружены спиральные дислокации. Им стали понятны величины скоростей роста и стала очевидной суть картинок, подобных приведенной выше для парафина. Такие спиральные пирамидки наблюдаются очень часто, и в том, что они существуют, нет ничего удивительного. [3]
Показана ось спиральной дислокации, та же, что и на трехмерном рисунке. Сплошными линиями показана плоскость правого блока, пунктирными - левого блока. [4]
В одном и том же объекте могут встретиться одна за другой спиральные дислокации одного направления вращения. Если же в одной и той же плоскости лежат две дислокации разного направления вращения, то возникает более сложное искажение. [5]
В последнее время часто высказывается мнение, что практически всегда, даже в самых лучших, полученных в лабораториях монокристаллах имеются дислокации2 и что они в чистых условиях всегда дают возможность расти кристаллам без образования новых двухмерных зародышей: выход спиральной дислокации на поверхность образует неисчезающую ступень роста - группу двухмерных зародышей, являющихся воспроизводящимися активными местами растущего кристалла. [6]
Кристалл действительно упрочняется по мере увеличения степени деформации, но далеко не в сто раз. Спасают положение спиральные дислокации. Оказывается ( но здесь читатель должен поверить нам на слово, так как очень трудно иллюстрировать это чертежом), спиральные дислокации не так-то просто выгнать из кристалла. Кроме того, сдвиг кристалла может происходить с помощью дислокаций обоих типов. Теория дислокаций удовлетворительно объясняет особенности явлений сдвига кристаллических плоскостей. Движение беспорядка вдоль кристалла - вот что такое с современной точки зрения представляет собой пластическая деформация кристаллов. [7]
Как и для соответствующей спиральной дислокации, их способность к перемещению была бы очень мала. [8]
 |
Зависимость свободной энергии от положения атомов или молекул, пересекающих границу раздела кристалл - жидкость. [9] |
Теперь признано, что образование двумерных зародышей не является существенной чертой процесса. Все реальные кристаллы содержат спиральные дислокации, которые обеспечивают непрерывный рост кристалла без какой бы то ни было необходимости повторения за-родышеобразования в новых плоскостях кристалла. [10]
Если есть спиральная дислокация, то наращивание грани идет таким образом, что ступеньки, на которых атомам выгодно занять место, никогда не зарастут. Физики облегченно вздохнули, когда были обнаружены спиральные дислокации. Им стали понятны величины скоростей роста и стала очевидной суть картинок, подобных приведенной выше для парафина. Такие спиральные пирамидки наблюдаются очень часто, и в том, что они существуют, нет ничего удивительного. [11]
Наибольшие искажения сосредоточены на оси, показанной на рисунке. Область, примыкающая к этой оси, и называется спиральной дислокацией. [12]
Итак, мы видим вездесущность и универсальность спиральных форм. Они могут существовать от микроскопических масштабов, включающих несколько сотен атомов в спиральных дислокациях до размеров порядка миллионов световых лет в спиральных галактиках. Они сопровождают всю историю развития человечества, начиная от зарождения первых спиральных органических молекул, которые впоследствии вылились в формирование ДНК в ее современном виде. Они встречаются как в органическом, так и в неорганическом мире. [13]
Подобный же расчет был проведен еще в 1935 г. Беккером и Дерингом [20], а затем и другими авторами. Однако именно Кабрера и Франк первыми показали, что при наличии на грани с малыми индексами спиральной дислокации необходимость в образовании зародыша отпадает, причем при низких пересыщениях такая скорость роста может достигать конечного значения и должна быть пропорциональной пересыщению. [14]
Как мы убедились, при деформации кристалла частично увеличивается порядок в распэложении атомных плоскостей и уменьшается число простых дислвкаций. Отсюда следует, что по мере того как кристалл даджергается дефврмациям, его прочность должна возрастать. Оказывается, что здесь важную роль играют спиральные дислокации, которые далеко не всегда исчезают при деформациях. [15]
Страницы: 1 2