Cтраница 1
Технологические трудности получения в отливке проточной части многоступенчатых насосов точных размеров и высокой степени чистоты поверхности каналов делают во многих случаях целесообразным применение лопаточных отводов, что позволяет обеспечить точность размеров и чистоту поверхности механической обработкой. Одновременно возможно дифференцированное применение материалов; более коррозионностойких для лопаточных отводов, где скорости потока достигают максимального значения и, следовательно, где более активно корродирующее действие жидкости, и менее коррозионностойких - для переводных каналов и других элементов корпуса с более низкими скоростями потока. [1]
Технологические трудности получения достаточной однородности параметров запоминающих элементов не позволяют практически получить модули с количеством элементов в несколько тысяч бит, что затрудняет применение этих элементов в ОЗУ с большой информационной емкостью. [2]
Несмотря на технологические трудности получения острых надрезов, применение образцов с гн 0 25 мм или с трещиной необходимо, так как они приближают испытания к условиям, при которых в эксплуатации возможно хрупкое разрушение. [3]
Допуск вала равен допуску отверстия в любом классе точности, поскольку технологические трудности получения отверстий малых размеров не выше, чем трудности получения валов малых размеров, а иногда точный вал получить труднее, чем отверстие. [4]
Увеличение угла профиля свыше а 65 для резьбы диаметром до 1 мм вызывает технологические трудности получения наружного диаметра резьбы винта и при испытании таких соединений наблюдается выкрашивание вершин резьбы винта по этому диаметру вследствие малой прочности вершины, что приводит к снижению статической прочности резьбовых соединений. [5]
Использование метода привитой сополимеризации гелеоб-разующих компонентов на механически прочных полимерных подложках позволило не только решить эту проблему, но и значительно упростило технологические трудности получения различного типа устройств с гемосовместимой поверхностью. [6]
![]() |
Ножевой ( просечной штамп для тонколистовых электроизоляционных материалов. [7] |
Эти штампы дают значительно более гладкую поверхность среза, чем обычные вырубные штампы. Технологические трудности получения режущих кромок с углами 20 - 40 ограничиЕают применение этих штампов главным образом вырубкой деталей простой формы, например шайб. [8]
Ранее отмечалось, что при достижении СП 100 вытаскива ние коротких макромолекул из волокна при его растяжении становится практически невозможным. Из этого можно сделать вывод, что увеличение СП 100 - 150 нецелесообразно, так как вязкость прядильного раствора или расплава с ростом молекулярного веса резко увеличивается, технологические трудности получения волокон возрастают, а прочность заметно не изменяется. В действительности влияние молекулярного веса полимера на прочность волокна оказывается более сложным. С его увеличением возрастает межмолекулярное взаимодействие. [9]
Однако проблема пластичности бериллия по существу осталась нерешенной, поэтому в указанных областях он используется еще очень мало. В настоящее время мировое производство бериллия не превышает 20 - 30 m в год. Однако даже если технологические трудности получения изделий из бериллия будут преодолены, его будут применять лишь в специфических областях в отличие от титана, области применения которого могут быть весьма обширны. [10]
Однако проблема пластичности бериллия по существу осталась нерешенной, поэтому в указанных областях он используется еще очень мало. В настоящее время мировое производство бериллия не превышает 20 - 30 т в год. Однако даже если технологические трудности получения изделий из бериллия будут преодолены, его будут применять лишь в специфических областях в отличие от титана, области применения которого могут быть весьма обширны. [11]
Кристаллические сегнетоэлектрини, используемые для записи голограмм, имеют ряд преимуществ перед другими материалами. Это возможность записывать объемные фазовые голограммы с высокой плотностью записи и высокой дифракционной эффективностью, причем запись может быть стерта нагреванием, импульсами интенсивного света или приложением электрического поля. Последнее обстоятельство особенно перспективно для оперативного управления памятью. Следует отметить, однако, технологические трудности получения оптически однородных кристаллов. [12]