Молекулярное возбуждение

Cтраница 1

Модель молекулярного возбуждения, разработанная Пауэллом и Финкельстейном, подобна более ранним моделям [493, 663, 960, 962] и др. Модель, предложенная Капицей [960, 962], широко обсуждалась многими исследователями и послужила значительным стимулом для изучения шаровой молнии в последние несколько десятилетий. Капица предположил, что одной из причин существования светящегося шара в атмосфере в течение времени, близкого к периоду существования шаровой молнии, может служить поглощение энергии от внешнего источника. [1]

Схема энергетических термов и межъядерных расстояний для. разных состояний молекулы С2 ( номера кривых соответствуют 63. при построении схемы не приняты во внимание небольшие смещения термов, происходящие при возбуждении молекулы С2. [2]

Кроме того, существует целый ряд таких молекулярных возбуждений, которые при диссоциации дают атомы с нормальной электронной конфигурацией; здесь изменения сводятся к различным значениям суммарных спиновых и вращательных орбитальных импульсов. [3]

Ага / 4 - - Eg01 - энергия молекулярного возбуждения и dte ( if0 d i) n - дипольный момент перехода. [4]

В конденсированной фазе ионизация также доминирует над образованием нейтральных молекулярных возбуждений, но выход свободных зарядов уменьшается из-за начальной, или парной, рекомбинации электронов с материнскими ионами. Так как продуктом начальной рекомбинации являются электронно-возбужденные состояния молекул S, очевидно, что основная часть этих состояний образуется именно в результате рекомбинации. [5]

Фотоэлектрический эффект.| Эффект Комптона. [6]

Различают пять типов взаимодействия фотонного излучения с веществом: рассеяние фотонов на ядрах ( упругое и неупругое), фотоэлектрический эффект, комптоновское рассеяние, образование пар и атомное или молекулярное возбуждение. [7]

Может показаться удивительным, почему самопоглощение испущенного излучения не делает счетчик непрозрачным для флуоресцентного излучения. Теория молекулярного возбуждения Франка - Кондона объясняет, почему этого не происходит. [8]

В настоящее время широкое распространение получила туннельная спектроскопия, основной особенностью которой является потеря электроном энергии hv при взаимодействии с молекулой при туннелировании через барьер. Потеря энергии связана с инициированием молекулярных возбуждений и изменением при этом колебательных состояний адсорбированных в барьере молекул. Такой неупругий процесс обусловливает появление дополнительного канала для тока, в результате чего на вольтамперной кривой обнаруживается изгиб. [9]

Образование пар.| Зависимость массового коэффициента ослабления фотонного излучения в мягкой ткани от энергии фотонов. [10]

Значение энергии этих фотонов, как правило, не превышает энергии связи электронов в атомах. Однако фотоны низких энергий могут вызывать атомные или молекулярные возбуждения. При этом происходит полное поглощение энергии фотона атомом или молекулой, которые переходят в возбужденное состояние. [11]

Молекулу, возбужденную абсорбцией света, он считает поляризованной с положительным и отрицательным полюсами и трактует все фотохимические реакции как деполяризации, вызванные переносом зарядов от возбужденных светом молекул к соответствующим акцепторам. Хотя такая картина и имеет мало общего с хорошо обоснованными теориями молекулярного возбуждения, ею все же можно пользоваться без особых опасений для описания некоторых фактов сенсибилизации. [12]

Если удается оценить однородную ширину линии, то из анализа ширины линии экситонного поглощения можно определить степень экситонной когерентности. Эта ширина линии отражает движение отдельного ( в противоположность ансамблю) молекулярного возбуждения. Большинство эк-ситонных полос поглощения по характеру не является ни чисто лоренцевы-ми, ни чисто гауссовыми, и степень лоренцева характера данной экситонной полосы поглощения значительно меняется с температурой. [13]

Как уже подчеркивалось ранее, эти поверхностные состояния обусловлены взаимодействием внутримолекулярного-возбуждения с поверхностью металла. В то же время рассмотренные выше поверхностные состояния лежат в области энергий нижайших молекулярных возбуждений, где квантовые особенности проявляются наиболее отчетливо. [14]

Зависимость I, dljtiV и d2IjdVl от смещения У для кремниевого диода при 4 2 К. [15]

Страницы: 1 2