Паразитное возбуждение
Cтраница 1
 |
Эскиз контактодержателя для измерения 3 на частоте 100 Мгц с конструктивными емкостями. [1] |
Обычно паразитное возбуждение возникает на резонан-еных частотах во входной или выходной цепи транзистора. [2]
Иногда паразитное возбуждение сопровождается беспорядочными колебаниями стрелки выходного прибора или прибора, контролирующего режим транзистора по постоянному току. [3]
 |
Принципиальная мектршческая схема радиоприемника Кмрц - 40в. [4] |
Для устранения паразитного возбуждения первичная обмотка трансформатора TJ эашунтирована конденсатором СМ. [5]
Другой косвенный метод определения паразитного возбуждения заключается в том, что снимается зависимость измеряемого параметра от режима. Возникновение возбуждения проявляется на этой зависимости либо в виде скачка, либо в виде резкого нарушения монотонности кривой. [6]
 |
Коэффициент связи. [7] |
Необходимо также учитывать возможность паразитного возбуждения тыльной стороны зеркал и наличия попутных потоков. Там же приведены и другие рекомендации по проектированию и строительству РРЛ с ПРЗ. [8]
Конденсаторы С4 и Обслужат для устранения паразитного возбуждения генератора на высокой частоте. Цепь VD1 R3 позволяет приблизить скважность выходных импульсов генератора к значению, равному двум. [9]
Кроме непосредственных методов контроля существуют косвенные методы определения паразитного возбуждения. [10]
 |
Пример схемы по давления паразитной генерации при помощи активных проводимостей, шунтирующих входные и выходные зажимы транзистора. [11] |
В качестве примера на рис. 2.40 изображена схема подавления паразитного возбуждения высокочастотных транзисторов, использованная для измерения параметра р0 в термокамере. Выводы от эмиттера и коллектора осуществлены с помощью двух кабелей с волновым сопротивлением 50 ом. Сопротивления Rs и R2, равные также 50 ом обеспечивают согласованную нагрузку кабелей в широкой полосе частот. [12]
В устройстве с двумя преобразователями объемные волны могут приводить к паразитному возбуждению выходного преобразователя. Обычно на практике нижнюю поверхность подложки делают шероховатой, как показано на рнс. ЕЛ, так что падающие на нее объемные волны рассеиваются некогерентно и поэтому значительного возбуждения выходного преобразователя не происходит. [13]
Следует упомянуть, что в некоторых частных случаях найдены специфические меры подавления паразитного возбуждения. Так, в установке для измерения параметра тк транзисторов ГТ311 и ГТ313 осуществляется режим холостого хода на входе транзистора при включении его в схеме с общей базой. Паразитное возбуждение испытуемого транзистора возникает здесь из-за неизбежной проходной емкости, которая имеет место в корпусе транзистора. Подавление генерации осуществлено путем искусственного увеличения емкости с эмиттера на базу до 25 - 30 пф. Это несколько ухудшает условия холостого хода на входе транзистора, однако при измерениях на частоте 5 Мгц вносимая погрешность измерения невелика Полезный эффект в данном случае достигается за счет дополнительного фазового сдвига в петле обратной связи, действующего в сравнительно широкой полосе частот. [14]
Однако происходящее при подключении компенсирующей индуктивности усложнение схемы и превращение ее в многоконтурную приводят к значительному возрастанию опасности паразитного возбуждения в отсутствие кварца, реально существующей и без этой индуктивности. Желательность в большинстве случаев отсутствия такой генерации заставляет использовать слаботочные туннельные диоды ( / макс 2 ма), что, помимо ослабления выходного сигнала, приводит к ряду затруднений при реализации схемы. Степень опасности паразитной генерации у различных схем разная: она наименьшая в схеме с кварцем в индуктивной ветви колебательного контура. [15]
Страницы: 1 2 3