Cтраница 3
Увеличение потерь алюминия в присутствии примесей металлов с более электроположительным потенциалом объясняется снижением межфазного натяжения на границе алюминий - расплав. [31]
![]() |
Зависимость прочности ситаллов от температуры их кристаллизации.| Прочность литиевых ситаллов в области температур 20 - 800 С. [32] |
Увеличение при повышении температуры прочности кордиери-товых материалов объяснено тем, что рост кристаллов происходит не от центров, а от граней образующегося объемного скелета, внутри которого находится стеклофаза, или тем, что образующийся скелет пронизан вторым скелетом остаточной стекловидной фазы. При исследовании зависимости аи фосфатсодержащих ситаллов от химического и минералогического состава Партриджем и Мак-милланом [381] установлено, что добавка А12О3 к стеклу, содержащему Li2O и S1O2, приводила к образованию кристаллов литиевых алюмосиликатов, которые снижали аи ситалла. Максимальному содержанию А12Оз соответствовала минимальная сти ситалла. Высокую прочность этих ситаллов, сравнимую с прочностью высокоглиноземистой керамики, авторы работы [381] объясняют тонкокристаллической взаимосвязанной микроструктурой. По мнению других исследователей [534, 535], прочность ситаллов обусловлена благоприятным сочетанием прочности кристаллических областей с упругостью аморфных участков. [33]
Увеличение tg6 стекол, закристаллизованных при 800 - 825 С и длительных выдержках, вызвано, по-видимому, изменением состава кристаллической фазы - появлением ( 3-кварца, что установлено рентгеноструктурным анализом, и обогащением остаточной стекловидной фазы щелочами. В результате кристаллизации е снижается на единицу уже при 650 С. При дальнейшем повышении температуры и изменении времени выдержки е изменяется мало. [34]
Увеличение его нагрузочной способности возможно путем применения пористых тонкослойных систем [30] ( рис, VIII. Прямые аналогии этому можно найти среди устройств, предназначенных для количественного детектирования в ТСХ с использованием газовых детекторов. [35]
Увеличение 1 k, а при возмущении 1 / гьр обеспечивает не только повышение точности регулирования, но и большую форсировку протекания переходных процессов. [36]
Увеличение при полусухом протравливании ( в сравнении с мокрым) концентрации раствора формалина соответствует уменьшению нормы его расхода. [37]
Увеличение tg бж влечет за собой уменьшение тангенса угла потерь эквивалентной цепи tg бэ. Значительное уменьшение tg63 достигается уже при CVCol. Увеличение отношения CJC0 сверх 1 5 - 2 мало изменяет tg бэ; кроме того, такое увеличение сопряжено со значительным уменьшением чувствительности измерения. [38]
Увеличение ( в допустимых пределах) скорости газового потока повышает быстродействие датчика, а наличие защитной сетки уменьшает его. [39]
Увеличение k повышает правильность сглаживания и дифференцирования, но резко снижает воспроизводимость вычисляемых производных. [40]
Увеличение п при постоянном / г повышает воспроизводимость получаемых производных, но после достижения определенных ( для данного k) значений п приводит к прогрессирующему их искажению. [41]
Увеличение в сырье доли газойлей каталитического крекинга и коксования крекинг-остатков способствует получению сырья для сажи с большим содержанием полициклических ароматических углеводородов, что весьма важно. [42]
Увеличение а уменьшает частотные искажения. [43]
Увеличение или уменьшение сопротивлений может также указывать на увеличение или уменьшение избытка воздуха. [44]
Увеличение же скорости осаждения частиц ( 0 0938 и 0 144 м / сек) с ростом скорости газа настолько существенное, что никак не может быть отнесено за счет ничтожного различия в указанных величинах, и может быть объяснено, в основном, также влиянием турбулентного рассеяния частиц. [45]