Увеличение - доза - облучение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Какой же русский не любит быстрой езды - бессмысленной и беспощадной! Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - доза - облучение

Cтраница 3


31 Влияние дозы ( рентгеновские лучи на окисление 0 00878 М раствора FeSO4 в 0 8 н. растворе H2SO4 и на инактивацию карбоксипептидазы. гидролитическая активность последней измерялась путем титрования 1 / 50 н. раствором NaOH. [31]

Эти данные показывают, что при увеличении дозы облучения белков возрастает значение других реакций, кроме окисления тио-ловых групп.  [32]

33 Изменение физико-механических характеристик поликарбонатов в процессе облучения. [33]

Как видно из данных таблицы, с увеличением дозы облучения для образцов ароматического поликарбоната с регулярным чередованием звеньев наблюдается до определенного момента облучения более значительное нарастание прочности при разрыве и уменьшение относительно удлинения при разрыве примерно в 2 раза; в этих же условиях старения для образцов статистических поликарбонатов относительное удлинение при разрыве уменьшается примерно в 7 раз.  [34]

Характер зависимости возрастания количества структурных изменений с увеличением дозы облучения изучался очень широко, и результаты этих исследований дали основу, на которой базируются теория механизма образования структурных изменений хромосом.  [35]

Для решения указанной задачи были сопоставлены кривые снижения цветности с увеличением дозы облучения для - излучения 60С и ускоренных электронов.  [36]

37 Изменение относительного коэффициента усиления по току кремниевых транзисторов в зависимости от интегрального потока нейтронов с энергией. 0 1 Мэв. [37]

Из формулы ( 30 - 70) следует, что с увеличением дозы облучения ( Ф) время жизни неосновных носителей уменьшается. Уменьшение времени жизни неосновных носителей, например, в транзисторе увеличивает число неосновных носителей, которое рекомбинируется с основными носителями, что ведет к уменьшению коэффициента усиления по току. ППП уменьшаются с увеличением критической частоты.  [38]

Характерно, что устойчивость радиационных дефектов по отношению к отжигу возрастает при увеличении дозы облучения.  [39]

40 Вязкость стекол KS ( 1 и Palex ( S. [40]

Как видно из рис. 25, глубина разрушения ] стекла возрастает по мере увеличения дозы облучения.  [41]

При одновременном протекании деструкции и сшивания с преобладанием процесса сшивания величина s с увеличением дозы облучения ( г) стремится к некоторому пределу. Этот предел определяется соотношением скоростей деструкции и сшивания и не достигает нуля, если скорость деструкции не слишком мала по сравнению со скоростью сшивания. Хотя причины этого различия в деталях не известны, можно полагать, что оно связано с радиационной нестойкостью участков углеводородной цепи, содержащих третичные атомы углерода.  [42]

При одновременном протекании деструкции и сшивания с преобладанием процесса сшивания величина s с увеличением дозы облучения г стремится к некоторому пределу. Этот предел определяется соотношением скоростей деструкции и сшивания и не достигает нуля, если скорость деструкции не слишком мала по сравнению со скоростью сшивания. Хотя причины этого различия в деталях не известны, можно полагать, что оно связано с радиационной нестойкостью участков углеводородной цепи, содержащих третичные атомы углерода.  [43]

Из формул ( V20) и ( V19) следует, что с увеличением дозы облучения покрытия в 100 раз от 0 1 до 10 Мрад адгезионная прочность пленки полиэтилена, сформированной из порошка в атмосфере воздуха, увеличивается, а температура формирования покрытия снижается. В целом облучение материала адгезива способствует росту адгезионной прочности пленок полиэтилена при более низкой температуре их формирования.  [44]

Скорость образования метана и водорода пропорциональна деструкции, но скорость образования изобутилена возрастает с увеличением дозы облучения. Это явление связано с тем, что изобутилен образуется в результате отщепления как концевых групп молекулы исходного полимера, так и концевых групп, возникающих под действием излучения.  [45]



Страницы:      1    2    3    4