Cтраница 4
При высоких температурах пороговый ток, согласно (37.61), не зависит от R и d, а пропорционален Т3 и убывает с увеличением No. При увеличении интенсивности излучения с увеличением тока растет число рекомбинирующих пар. Уход носителей из этой области энергий компенсируется притоком с окружающих уровней, где функции распределения остаются квазиравновесными. Перераспределение носителей в слабо легированных полупроводниках происходит в основном при столкновениях с фононами, а в сильно легированных - путем столкновений электронов и дырок друг с другом. В результате столкновений и устанавливается равновесное распределение / 0, когда приток и отток взаимно скомпенсированы. [46]
![]() |
Изменение спектров поглощения ( а и излучения ( б акридина в зависимости от величины рН ( указаны на кривых. [47] |
Кривые, приведенные на рис. 19, а, показывают, что по мере накопления ионизованной формы II, приращение интенсивности поглощения происходит за счет поглощения в длинноволновой области. Наблюдаемое визуально увеличение интенсивности излучения при изменении цвета свечения объясняется сдвигом максимума излучения в область большей чувствительности глаз. Из рис. 19 также следует, что при изменении формы существования акридина наблюдается значительное изменение и в электронных уровнях этой молекулы: максимум полосы излучения сдвигается в длинноволновую область приблизительно на 50 ммк ( ЯМакс для формы I - 425 ммк, а для формы II - 475 ммк. [48]
В случае окисления специфика теплового действия лазерного излучения обусловлена наличием обратной связи в процессе взаимодействия излучения с поверхностью металла и возможностью влиять па эту обратную связь, изменяя характеристики излучения. Так, увеличение интенсивности излучения ведет к увеличению температуры поверхности, к увеличению слоя окисла, что, в свою очередь, уменьшает коэффициент отражения, увеличивает интенсивность излучения, действующего на поверхность, и соответственно увеличивает ее температуру. Таким образом, имеет место положительная обратная связь в процессе взаимодействия излучения с поверхностью металла. Днпампка этого процесса носит характер термохимической неустойчивости. [49]
При относительно небольших интенсивностях излучение частоты со проходит сквозь полупроводниковую пластинку, не поглощаясь, поскольку энергия фотона Йсо недостаточна для того, чтобы обеспечить переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Однако с увеличением интенсивности излучения растет вероятность того, что электрон в валентной зоне поглотит сразу два фотона и, приобретя энергию 2& со, совершит переход в зону проводимости. Таким образом, с ростом интенсивности излучения возрастают ( за счет двухфотонного поглощения) потери, вносимые в резонатор полупроводниковой пластинкой; наблюдается явление затемнения полупроводника. [50]
Из фигуры видно, что увеличение интенсивности излучения красных лучей с температурой происходит значительно стремительнее, чем увеличение полной мощности излучения. [51]
На это указывает уменьшение выхода Н2 в присутствии этилена. Выход водорода линейно растет с увеличением интенсивности излучения. [52]
Поэтому при питании от генератора напряжения увеличение интенсивности излучения светодиода с ростом температуры может происходить просто из-за роста тока. [54]
![]() |
Зависимость угла нелинейной. [55] |
В работе [42] предсказан, а в [1] экспериментально исследован эффект уменьшения флуктуации интенсивности в пучке при тепловом самовоздействии в турбулентной среде. Было установлено, что ослабление флуктуации интенсивности при увеличении интенсивности излучения сменяется затем их усилением. [56]
Одним из возможных путей ускорения разрушения покрытий в лабораторных условиях может служить повышение интенсивности излучения. Так, в аппарате Ксенотест 1200 фирмы Оригиналь Ханау предусматривается трехкратное увеличение интенсивности излучения в УФ-области до 340 нм. [57]
Неожиданное появление полос, относящихся к переходам с уровней v 9, вызвано увеличением интенсивности излучения с этих слабо заселенных при 300 К уровней. [58]
Если камера работает Б режиме насыщения, то величина ионизационного тока линейно зависит от интенсивности излучения. Однако для данной камеры напряжение, при котором достигается насыщение, возрастает с увеличением интенсивности излучения. Поэтому при измерениях интенсивности излучения в достаточно широких пределах необходимо правильно подбирать величину рабочего напряжения. [59]
![]() |
Зависимость интен. [60] |