Увеличение - концентрация - дырка
Cтраница 1
Увеличение концентрации дырок в пленках Bi0j5Sb1) 5Te3 ( Рэс101в см-3) приводит к изменению характера температурных зависимостей кинетических коэффициентов. Более того, с увеличением температуры растет отрицательное значение Q по абсолютной величине при Т 200 К. [1]
Увеличение концентраций дырок и электронов повышает удельную проводимость и обратный ток при заданном напряжении. Вскоре достигается такое состояние, когда в результате кумулятивного эффекта этого процесса возникает очень большой ток, и происходит пробой. [2]
С увеличением концентрации дырок количество уровней Аи2 резко сокращается. [3]
С увеличением концентрации дырок почти все двухзарядные ионы золота превращаются в однозарядные. После этого скорость рекомбинации дырок определяется сечением захвата электронов однозарядными отрицательными ионами золота, так как этот процесс подготавливает примесь к захвату следующей дырки. Поскольку сечение захвата электрона на Аи - много меньше сечения захвата дырки на Аи2 -, то время жизни дырок увеличивается с ростом их концентрации в базе диода. [4]
По мере увеличения концентрации дырок нижняя зона постепенно истощается; изменение знака коэффициента Холла связано с прохождением энергетической кривой зоны через точку перегиба, так что d2s / dk2, вторая производная от энергии е по волновому числу k, становится теперь положительной. [5]
 |
Энергетический спектр поглощения в кремнии, сильно легированном бором ( 300 К. [6] |
Видно, что увеличение концентрации дырок до 1020 см 3 сдвигает край поглощения в область больших энергий на величину, примерно равную 0 03 эв. [7]
Для восстановления электрической нейтральности р-области происходит увеличение концентрации дырок, что приводит к появлению в этой области избыточного заряда дырок С. Создание такого заряда ( как и самого тока / РДИф) возможно только при наличии потока дырок в р-области от омического контакта к р-п переходу. Однако во внешней цепи в проводнике может протекать только электронный ток, который создают электроны, уходящие из р-области во внешнюю цепь. Таким образом, при инжекции сохраняется электрическая нейтральность полупроводниковых областей. [8]
 |
Разложение ( в / 0 N2O на ZnO и Сг2О3 с добавками и без добавки посторонних окислов ( по Хауффе, Глангу и Энгелю. [9] |
Обработка СиО2 кислородом приводит практически к такому же увеличению концентрации дырок в граничном слое и, следовательно, к уменьшению энергии активации лимитирующей стадии ( 40а), что и внедрение малых количеств 0 3 мол. [10]
Таким образом, скорость процесса десорбции должна возрастать с увеличением концентрации дырок в катализаторе р-типа и снижаться с увеличением концентрации свободных электронов в катализаторе - типа. [11]
Это кажущееся противоречие исчезает, если принять во внимание, что с увеличением концентрации дырок в граничном слое катализатора хемосорбция СО в соответствии с уравнением ( 506) становится энергетически более выгодной. [12]
Из последнего выражения следует, что любое уменьшение концентрации электронов на уровнях 5 вызывает увеличение концентрации дырок на этих уровнях, или, как это следует из (30.2) и (30.3), уменьшение ns вызывает уменьшение т и увеличение тр. Уменьшение ps, очевидно, приведет к обратному результату. Но в стационарном состоянии концентрация электронов и дырок на центрах 5 однозначно определяется концентрациями электронов и дырок в зонах. [13]
Это объясняется дырочным характером проводимости ( или рассеиванием) на границе между сетками. По мере увеличения концентрации дырок нижняя зона постепенно истощается. При температурах выше 1400 С ( рис. 1.4 б) процесс образования дырок вследствие выделения водорода, по-видимому, в основном запрещается. Связывание разорванных сеток, происходящее во время ростов кристаллов, приводит к уменьшению количества дырочных дефектов, играющих роль электронных ловушек. При этом лзона начинает снова заполняться. Одновременно при росте размеров сеток углерода происходит уменьшение ширины А. При температуре 2000 С ( рис. 1.4 г) эту зону можно считать достаточно узкой для перехода электронов в зону проводимости под действием теплового возбуждения. Таким образом, в отличие от кристаллического графита, обладающего, посуще-ству, металлической проводимостью, переходные формы углерода являются органическими полупроводниками, электрические свойства которых определяются делокализованными л-электронами. [14]
Реакция анодного растворения протекает с участием дырок и электронов, поскольку захват электронов может происходить как из зоны проводимости, так и из валентной зоны полупроводника. Все внешние воздействия, способствующие увеличению концентрации дырок на поверхности, - нагрев, освещение, инжекция дырок через р-п-переход - ускоряют процесс анодного растворения. [15]
Страницы: 1 2