Увеличение - концентрация - вакансия
Cтраница 2
Согласно принятым моделям центров рекомбинации неравновесных носителей заряда и уравнению ( 10), рост положительной фэп может быть обусловлен либо уменьшением концентрации вакантных узлов в кислородной подрешетке окисла, либо увеличением концентрации вакансий в металлической подрешетке. Очевидно, что уменьшение Концентрации анионных вакансий, как и увеличение концентрации катионных, свидетельствует о том, что в области потенциалов, отвечающей росту положительной фэп, при анодном формировании окисла в зону реакции кислород поступает в большем, а серебро в меньшем количестве. Иными словами, имеет место преимущественная диффузия ионов кислорода. Поскольку диффузия ионов кислорода по междоузлиям маловероятна по стерическим соображениям, можно предположить, что кислород в Ag2O диффундирует по имеющимся анионным вакансиям. Аналогичным образом можно показать, что, поскольку падение положительной фэп после максимума связано либо с уменьшением концентрации катионных вакансий, либо с увеличением концентрации анионных, анодное окисление серебра до Ag2O на этом участке носит преимущественно катионный характер. [16]
Пластическая деформация увеличивает удельное сопротивление на 2 - 6 % из-за искажения пространственной решетки кристаллов при наклепе. Увеличение концентрации вакансий и дислоцированных атомов также приводит к увеличению удельного сопротивления. При комнатной температуре прирост удельного сопротивления Ар за счет вакансий и дислоцированных атомов согласно [22] составляет на 1 % ( ат. [17]
Пластическая деформация повышает удельное электросопротивление на 2 - 6 %, что связано с искажениями пространственной решетки кристалла. Увеличение концентрации вакансий и дислоцированных атомов главным образом и приводит к увеличению удельного электросопротивления. При комнатной температуре прирост сопротивления Ар за счет вакансии и дислоцированных атомов составляет. [18]
Первый из них - увеличение концентрации вакансий с увеличением температуры закалки, второй - уменьшение среднего числа скачков до исчезновения вакансии с увеличением температуры. [20]
На рис. 21.22, 21.23 представлены зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах Pbi - jSruTe различного состава от давления пара металлов и теллура соответственно. Увеличение давления пара теллура и уменьшение давления пара металлических компонентов приводит к увеличению концентрации вакансий в подрешетке металлов, а соответственно, и к возрастанию концентрации дырок. Как видно из рисунков, управление концентрацией носителей заряда в пределах всей области гомогенности одним лишь компонентом ( металлом или теллуром) невозможно. Это связано с существованием в пределах области гомогенности минимального общего давления пара ( робщ. [22]
Низкотемпературный максимум при - 196 С вызван электронным обменом Fe Fe3; положение максимума при комнатной температуре практически не зависит от концентрации вакансий, однако величина его возрастает с увеличением концентрации вакансий. Наконец, для третьего максимума ( 100 - 200 С) его величина возрастает, а сам максимум смещается в область более высоких температур по мере увеличения концентрации вакансий. Следовательно, существуют два различных релаксационных процесса, связанных с диффузией ионов и вакансий, хотя их природа остается неизвестной. [23]
 |
Изменение прироста предела текучести при естественном деформационном старении армко-железа ( а и изменение предела прочности при искусственном деформационном старении стали МСт. Зкп ( б. [24] |
Сравнительно высокие значения ан и низкое положение Гхл после деформационного старения термически упрочненной стали можно объяснить более дисперсным и равномерным структурным фоном такой стали, что обеспечивает высокий запас вязкости. Увеличение концентрации вакансий может приводить к образованию комплексов вакансия - внедренный атом [59] и тем самым уменьшать количество атомов внедрения, взаимодействующих с дислокациями. [25]
С переходом из междуузлия в вакансию связана перезарядка иона, так как в вакансии медь существует в виде отрицательного иона. Таким образом, характерной чертой диффузии Си в Ge является обмен типа Сщч Сиое. Увеличение концентрации вакансий смещает это равновесие вправо. Поэтому условия диффузии меди в приповерхностной области могут существенно отличаться от условий диффузии вдали от ее. [26]
Значение N растет при повышении температуры. U могут быть измерены многими способами. Так как увеличение концентрации вакансий с повышением температуры требует затраты энергии, то вакансии вносят определенный вклад в теплоемкость. Вакансии в металлах рассеивают электроны и поэтому их присутствие увеличивает электрическое сопротивление. [27]
Таким образом, теплота плавления оказывается достаточной для образования 7 66 1022 вакансий на 1 г-ат, что эквивалентно увеличению концентрации вакансий на Ас 13 ат. Используя известный факт, что образование одной вакансии в ГЦК - или ГПУ-решетке приводит к увеличению объема кристалла на 1 / 2 атом. С этим увеличением концентрации вакансий качественно коррелирует и скачок электросопротивления при плавлении металлов. [28]
 |
Зависимость постоянной решетки жечезо-магииевой шпинели от состава для изобар с парциальным давлением. [29] |
Кривая 0 001 ( участок ab) характеризует изменение постоянной решетки растворов MgxFe3 xO4 стехиометри-ческого по кислороду состава. Кривые 0 02 - 1 0 в том же интервале концентраций исходных окислов отражают влияние катионных вакансий на постоянную решетки. При фиксированном атомном соотношении магния к железу увеличение концентрации вакансий приводит к уменьшению постоянной решетки. [30]
Страницы: 1 2 3 4