Увеличение - коэффициент - отражение
Cтраница 1
 |
Спектральные зависимости коэффициента отражения серебряных и алюминиевых рефлекторов ( - - - - - - и интерференционного диэлектрического покрытия ( - - - - -. [1] |
Увеличение коэффициента отражения может быть достигнуто при использовании интерференционных диэлектрических покрытий. Эти покрытия представляют интерес также и в том отношении, что наряду с высоким коэффициентом отражения в спектральном интервале, соответствующем полосам поглощения активного материала, они могут обладать низкой отражающей способностью в других областях спектра, в частности в инфракрасной. В результате этого может быть значительно снижен нагрев активного элемента, что улучшает его рабочие характеристики. В качестве примера на рис. II 1.21 пунктиром изображена спектральная зависимость коэффициента отражения для одного из интерференционных покрытий, содержащего 15 диэлектрических слоев. К недостаткам интерференционных покрытий следует отнести довольно сильную зависимость коэффициента отражения от угла падения. [2]
Увеличение коэффициента отражения зеркал служит мощным средством повышения разрешающей силы, но возможности ее увеличения ограничены в реальном интерферометре несовершенством его поверхностей. Непараллельность отражающих поверхностей, а также их дефекты изменяют распределение интенсивности, создаваемое идеальным интерферометром. Форма максимума в несовершенном интерферометре определяется суммой максимумов, создаваемых отдельными участками; его поверхности, которые можно считать параллельными. Так как общее количество света, приходящегося на одно кольцо, одинаково и для идеального, и для реального интерферометра, то в последнем случае ширина контура окажется больше, а высота максимума меньше. Поэтому неточность изготовления поверхностей и плохая юстировка снижают реальную разрешающую силу и интенсивность света в максимуме. [3]
Увеличение коэффициента отражения частиц k ( n) от тела ( при lfzk ( n) fzQ 7) слабо влияет на параметры газа на теле, но более существенно - на отход головной ударной волны. [4]
Увеличение коэффициента отражения частиц / сп) от тела ( при 1 k ( n 55 0 7) слабо влияет на параметры газа на теле, но более существенно - на отход головной ударной волны. [5]
 |
Распределение интенсивности в интерференционной картине эталона при разных коэффициентах отражения. [6] |
С увеличением коэффициента отражения увеличивается резкость колец. [7]
При увеличении коэффициента отражения р и уменьшении коэффициента пропускания т зеркальных слоев интенсивность интерференционной картины быстро падает. [8]
Рост мощности PR объясняется увеличением коэффициента отражения от сред при резких изменениях их электромагнитных параметров. [9]
Рост пе сопровождается скинированием и увеличением коэффициента отражения. Поле в плазме становится неоднородным. [10]
Возвращение на землю передаваемых радиоволн является следствием увеличения коэффициента отражения при увеличении плотности электронов на большой высоте. Отражение радиоволн также делает возможным детальное изучение ионосферных явлений при помощи наземных передатчиков и приемников, хотя эксперименты, произведенные недавно с помощью ракет и искусственных спутников, разрешили некоторые проблемы, которые вызывали трудности при использовании одних только наземных методов. Например, профиль плотности электронов в верхней части ионосферы, который не мог быть изучен в связи с тем, что на высоте 300 км находится слой с максимальной электронной плотностью, был определен спутником1 Алюэт [21], зондировавшим верхние слои ионосферы. С помощью наземных измерений можно только исследовать, как изменяется плотность электронов и ионов с увеличением высоты, а вид ионов должен устанавливаться на месте с помощью ионных спектрометров, которые находятся на борту ракет. [11]
При вводе УЗК со стороны металла выявляемость дефектов улучшается с увеличением коэффициента отражения Лн от поверхности ввода УЗК и уменьшением коэффициента отражения Лвн от внутренней границы металла. Радикальным способом повышения Лн является использование бес-контактных ( например, ЭМА) преобразователей. [12]
 |
Энергетическая диаграмма р-п перехода для вырожденных полупроводников. [13] |
На грани, образующие оптический резонатор, обычно не наносят никакого покрытия для увеличения коэффициента отражения. В полупроводниках коэффициент усиления на единицу длины во много раз больше, чем в газовых и твердотельных Лазерах, и поэтому величина коэффициента отражения ( - 35 %) на границе полупроводника с воздухом оказывается достаточной. [14]
В обоих случаях связи увеличение мощности выше порогового значения приводит к монотонному уменьшению коэффициента прохождения и увеличению коэффициента отражения. [15]
Страницы: 1 2 3 4