Увеличение - выходная мощность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Самая большая проблема в бедности - то, что это отнимает все твое время. Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - выходная мощность

Cтраница 2


Для увеличения выходной мощности лазерной системы, представленной на рис. 5.15, б, в первом УМ активный элемент ГЛ-201 был заменен на ГЛ-201Д.  [16]

Для увеличения выходной мощности решающих усилителей предусмотрен ряд конечных усилителей мощности, которые выполняются в виде пластин. Пластины унифицированы, и требуемая мощность на выходе решающих усилителей достигается добавлением пластины конечного каскада усиления мощности к последнему каскаду решающего усилителя. Входы и выходы решающих усилителей согласованы друг с другом и с модулем возведения в квадрат.  [17]

Для увеличения выходной мощности источника питания нужно использовать более мощный сетевой трансформатор с теми же уровнями входного и выходного напряжений, при этом, конечно же, пришлось бы установить выпрямительные диоды с большим номинальным током и более мощный транзистор, оставив все остальные компоненты прежними. Просмотр справочных данных по транзисторам позволяет выбрать подходящий из них.  [18]

Возможности увеличения выходной мощности за счет использования большей амплитуды колебаний на входе ( 7га6 и Um6) ограничиваются нелинейностью входных характеристик транзистора.  [19]

С целью увеличения выходной мощности стабилизаторов, а также уменьшения размеров тсплоотводящнх радиаторов, на которых устанавливаются мощные регулируемые транзисторы, в стабилизаторах часто используется параллельное включение мощных транзисторов.  [20]

21 Схема мощного преобразователя тока с двухтактным инвертором и мощным усилителем ( а, схемы включения трая. яисторов ( б. [21]

В некоторых случаях для увеличения выходной мощности используются схемы с параллельным включением нескольких транзисторов.  [22]

С целью выяснения возможности увеличения выходной мощности при повышении ускоряющего напряжения разработанные клистроны были испытаны в импульсном режиме.  [23]

Весьма желательно исследовать возможность увеличения выходной мощности ТПУ путем параллельного включения двух транзисторов, а также найти пути увеличения полосы пропускания.  [24]

Обратите внимание, что для увеличения выходной мощности используется р-п - р транзистор, коллектор которого подключен к выходу источника питания, а эмиттер соединен с выходом выпрямителя. База транзистора должна быть подключена к входному выводу стабилизатора, а резистор R1, включенный между эмиттером и базой транзистора, обеспечивает нормальную работу последнего. При создании практического устройства следует транзистор, так же как и стабилизатор, снабдить подходящим типом, тепло-отводящего радиатора.  [25]

В струйной технике часто возникает необходимость увеличения выходной мощности, что можно осуществить за счет увеличения давления питания.  [26]

27 Распределение амплитуд тока и поля волны в лампах бегущей и обратной волны.| Устройство лампы бегущей волны.| Движение электрона в ортогональных электрическом и магнитном полях. [27]

Однако увеличение ее длины приводит к увеличению выходной мощности только до известного предела, что связано с: прекращением увеличения плотности сгустков за счет возрастания электростатического расталкивания и разгруппировывающего воздействия тормозящего поля волны, нарушением условий синхронизма из-за уменьшения скорости электронов, прохождением сгустками тормозящей полуволны и попаданием их в ускоряющее поле ( Афо я); увеличением потерь в замедляющей системе.  [28]

Более высокие значения параметра М при необходимости увеличения выходной мощности [ см. (6.14), (6.15) ] позволяют получить мостовые схемы однотактных преобразователей, с обратным включением диода при аналогичном ( рис. 6.5, а) выполнении цепей управления мощными транзисторами.  [29]

Параллельное включение полупроводниковых приборов является основным методом увеличения выходной мощности усилительно-преобразовательных устройств. При параллельном включении необходимо, чтобы температура всех приборов не превышала допустимой. Желательно, чтобы температура переходов полупроводниковых приборов была приблизительно одинаковой.  [30]



Страницы:      1    2    3    4