Cтраница 2
Для увеличения выходной мощности лазерной системы, представленной на рис. 5.15, б, в первом УМ активный элемент ГЛ-201 был заменен на ГЛ-201Д. [16]
Для увеличения выходной мощности решающих усилителей предусмотрен ряд конечных усилителей мощности, которые выполняются в виде пластин. Пластины унифицированы, и требуемая мощность на выходе решающих усилителей достигается добавлением пластины конечного каскада усиления мощности к последнему каскаду решающего усилителя. Входы и выходы решающих усилителей согласованы друг с другом и с модулем возведения в квадрат. [17]
Для увеличения выходной мощности источника питания нужно использовать более мощный сетевой трансформатор с теми же уровнями входного и выходного напряжений, при этом, конечно же, пришлось бы установить выпрямительные диоды с большим номинальным током и более мощный транзистор, оставив все остальные компоненты прежними. Просмотр справочных данных по транзисторам позволяет выбрать подходящий из них. [18]
Возможности увеличения выходной мощности за счет использования большей амплитуды колебаний на входе ( 7га6 и Um6) ограничиваются нелинейностью входных характеристик транзистора. [19]
С целью увеличения выходной мощности стабилизаторов, а также уменьшения размеров тсплоотводящнх радиаторов, на которых устанавливаются мощные регулируемые транзисторы, в стабилизаторах часто используется параллельное включение мощных транзисторов. [20]
![]() |
Схема мощного преобразователя тока с двухтактным инвертором и мощным усилителем ( а, схемы включения трая. яисторов ( б. [21] |
В некоторых случаях для увеличения выходной мощности используются схемы с параллельным включением нескольких транзисторов. [22]
С целью выяснения возможности увеличения выходной мощности при повышении ускоряющего напряжения разработанные клистроны были испытаны в импульсном режиме. [23]
Весьма желательно исследовать возможность увеличения выходной мощности ТПУ путем параллельного включения двух транзисторов, а также найти пути увеличения полосы пропускания. [24]
Обратите внимание, что для увеличения выходной мощности используется р-п - р транзистор, коллектор которого подключен к выходу источника питания, а эмиттер соединен с выходом выпрямителя. База транзистора должна быть подключена к входному выводу стабилизатора, а резистор R1, включенный между эмиттером и базой транзистора, обеспечивает нормальную работу последнего. При создании практического устройства следует транзистор, так же как и стабилизатор, снабдить подходящим типом, тепло-отводящего радиатора. [25]
В струйной технике часто возникает необходимость увеличения выходной мощности, что можно осуществить за счет увеличения давления питания. [26]
![]() |
Распределение амплитуд тока и поля волны в лампах бегущей и обратной волны.| Устройство лампы бегущей волны.| Движение электрона в ортогональных электрическом и магнитном полях. [27] |
Однако увеличение ее длины приводит к увеличению выходной мощности только до известного предела, что связано с: прекращением увеличения плотности сгустков за счет возрастания электростатического расталкивания и разгруппировывающего воздействия тормозящего поля волны, нарушением условий синхронизма из-за уменьшения скорости электронов, прохождением сгустками тормозящей полуволны и попаданием их в ускоряющее поле ( Афо я); увеличением потерь в замедляющей системе. [28]
Более высокие значения параметра М при необходимости увеличения выходной мощности [ см. (6.14), (6.15) ] позволяют получить мостовые схемы однотактных преобразователей, с обратным включением диода при аналогичном ( рис. 6.5, а) выполнении цепей управления мощными транзисторами. [29]
Параллельное включение полупроводниковых приборов является основным методом увеличения выходной мощности усилительно-преобразовательных устройств. При параллельном включении необходимо, чтобы температура всех приборов не превышала допустимой. Желательно, чтобы температура переходов полупроводниковых приборов была приблизительно одинаковой. [30]