Увеличение - положительное напряжение
Cтраница 1
 |
Генератор наносекундных импульсов на лампах со вторичной эмиссией. [1] |
Увеличение положительного напряжения на управляющей сетке на величину Д 0 вызывает соответствующее приращение напряжения на аноде и диноде. При этом потенциал анода уменьшается на величину Диа, а потенциал динода увеличивается на величину Дцд. [2]
 |
Характеристики триода для токов анода, сетки и катода. [3] |
Увеличение положительного напряжения сетки вызывает сначала рост всех токов. В режиме насыщения при увеличении сеточного напряжения катодный ток растет незначительно, но сеточный ток возрастает и за счет этого уменьшается анодный ток. При большом положительном сеточном напряжении анодный ток становится меньше сеточного. [4]
При увеличении положительного напряжения на сетке потенциальный барьер уменьшается и при некотором значении f / c0 исчезает совсем. [5]
При увеличении положительного напряжения на базе этого транзистора он запирается, что уменьшает усиление УВЧ. Иногда используют обратную полярность напряжения АРУ. При увеличении отрицательного напряжения на базе транзистора возрастает коллекторный ток и увеличивается падение напряжения на резисторе Ri. Это приводит к уменьшению постоянного напряжения на промежутке коллектор - эмиттер и к падению усиления. [6]
При увеличении положительного напряжения на сет-е потенциальный барьер уменьшается и при некотором начении f / c0 исчезает совсем. [7]
При увеличении положительного напряжения на сетке управляющее поле будет возрастать и вместе с тем ( так же как это происходит в двухэлектроняой лампе) будет возрастать анодный ток, пока он не достигнет тока насыщения. [8]
При увеличении положительного напряжения на аноде потенциальный барьер у катода уменьшается и его вершина сдвигается к катоду. Все большее число электронов преодолевает барьер и / д увеличивается. [9]
Итак, увеличение положительного напряжения сетки сопровождается ростом анодного и сеточного токов. [10]
Так как уменьшение U6i равносильно увеличению положительного напряжения U3, то потенциальный барьер p - n - перехода снижается, создавая условия для инжекции дополнительных носителей заряда из эмиттера в базу Б и дальнейшего роста тока эмиттера. [11]
При этом очевидно, что, например, увеличение положительного напряжения ug и увеличение отрицательного напряжения и ых приводят к одинаковому результату - уменьшению анодного напряжения основной лампы. [12]
Как видно из выражения (4.33), ширина запорного слоя уменьшается с увеличением положительного напряжения и увеличивается при отрицательном обратном напряжении. На рис. 4.4 пунктиром показано распределение объемного заряда, поля и потенциала в запорном слое при обратном напряжении. [13]
 |
Сеточные характеристики триода. [14] |
Ток сетки при отрицательном потенциале сетки отсутствует; при нуле сеточного напряжения этот ток возникает и растет по мере увеличения положительного напряжения сетки. На рис. 5.24 штрихом показана также характеристика тока Iк, равного сумме токов / 0 и / с. Области характеристик, соответствующие верхнему изгибу, режиму насыщения и перенапряженному режиму, используются редко, поэтому в справочниках для приемных и усилительных ламп эти участки характеристик не приводятся. [15]
Страницы: 1 2 3