Увеличение - приложенное напряжение
Cтраница 2
 |
Монтажные изделия. [16] |
По мере увеличения приложенного напряжения частичные дуги удлиняются и происходит перекрытие. [17]
По мере увеличения приложенного напряжения включается все больше и больше параллельных цепей тока, и проводимость диска быстро возрастает. [18]
 |
Схема включения фототранзистора.| Спектральная характеристика германиевых фотодиодов и фототранзисторов. [19] |
Световое сопротивление с увеличением приложенного напряжения при постоянстве освещенности и температуры увеличивается, что может нарушить согласование каскадов. [20]
 |
Контакт металла с полупроводником при включении внешнего напряжения. [21] |
Таким образом, с увеличением приложенного напряжения при положительных значениях U ( минус на полупроводнике) толщина запирающего слоя уменьшается. При eU 5s ср запирающий слой исчезает полностью. [22]
Скорость ползучести возрастает с увеличением приложенного напряжения о, и обычно наносят на график значения Ige в зависимости от Igo в надежде получить прямую4при помощи билогарифмического масштаба. [23]
Таким образом, с увеличением приложенного напряжения при положительных значениях U толщина запорного слоя уменьшается, а при отрицательных значениях V ( плюс на полупроводнике) - увеличивается. При положительных значениях U, когда U превысит фо / е, запорный слой исчезнет, а при U фо / е все избыточное напряжение будет падать равномерно по всей толщине полупроводника. [24]
 |
Контакт металла с полупроводником при приложенном внешнем напряжении. [25] |
Таким образом, с увеличением приложенного напряжения при положительных значениях V толщина запорного слоя уменьшается, а при отрицательных значениях V ( плюс на полупроводнике) - увеличивается. [26]
Известно, что с увеличением приложенного напряжения возрастает реактивная мощность, что при данном tg 8 вызывает рост тепловыделения и возрастание нагрева изолятора. [27]
Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика растет с увеличением приложенного напряжения только до температуры Кюри. В области температур, превышающих температуру Кюри, зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и другие сегнетоэлект-рические свойства сегнетоэлектриков исчезают; они превращаются в обычные диэлектрики. [28]
Ккр трещина распространяется без дополнит, увеличения приложенного напряжения. [29]
При испытании образцов на замедленное разрушение увеличение приложенного напряжения не влияет существенно ни на величину суммарной деформации, ни на время зарождения субмикроскопических трещин, в то время как длительность распространения трещины с увеличением приложенного напряжения резко снижается. При этом предполагается, что пластическая деформация у конца трещины незначительна, если развитие трещины происходит достаточно быстро. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5