Увеличение - переменное напряжение
Cтраница 2
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности поля шести сег-нетокерамиче-ских материалов при 20 С. [16] |
Из сегнетокерамики, находящейся в области рабочей температуры в сегнетоэлектриче-ской фазе, разработаны низкочастотные вари-конды. Определяющей характеристикой этих варикондов являются коэффициенты нелинейности, показывающие, во сколько раз возрастает емкость при увеличении переменного напряжения от начального до рабочего ( или максимального): / г - Сраб / С а. [17]
 |
Упрощенная схема. [18] |
Благодаря усилительным свойствам транзистора в цепи эмиттера возникает высокочастотный ток, величина которого в несколько раз больше, чем вызвавший его ток в цепи базы. Значительная часть этого усиленного тока через переходный конденсатор С6 поступает в контур гетеродина. Причем в контур из эмиттерной цепи транзистора поступает больше энергии, чем тратится в самом контуре и в цепи базы. В результате этого высокочастотное напряжение на контуре гетеродина будет расти до тех пор, пока не установится равновесие: энергия, вводимая в контур, равна сумме потерь энергии в самом контуре и в базовой цепи транзистора. С увеличением переменного напряжения на электродах транзистора коэффициент усиления уменьшается. [19]
 |
Упрощенная схема. [20] |
Благодаря усилительным свойствам транзистора в цепи эмиттера возникает высокочастотный ток, величина которого в несколько раз больше, чем вызвавший его ток в цепи базы. Значительная часть этого усиленного тока через переходный конденсатор Съ поступает в контур гетеродина. Причем в контур из эмиттерной цепи транзистора поступает больше энергии, чем тратится в самом контуре и в цепи базы. В результате этого высокочастотное напряжение на контуре гетеродина будет расти до тех пор, пока не установится равновесие: энергия, вводимая в контур, равна сумме потерь энергии в самом контуре и в базовой цепи транзистора. С увеличением переменного напряжения на электродах транзистора коэффициент усиления уменьшается. [21]
Страницы: 1 2