Увеличение - коллекторное напряжение
Cтраница 1
Увеличение коллекторного напряжения до С / ктах, иногда в несколько раз превышающего значение Е, может привести к пробою транзистора. Следует иметь в виду, что уменьшение напряжения на коллекторе запертого транзистора достигнуто ценой увеличения времени восстановления. Поскольку при использовании трансформатора площадь импульса ( заштрихована на рис. 6.118, б) должна быть равна площади выброса коллекторного напряжения ( отмечена на рис. 6.118, б обратной штриховкой), то ( 7тт еод / в, где Um - амплитуда выходного импульса на коллекторе Т; / в - время восстановления. [1]
Увеличение коллекторного напряжения до величины t / Kmax, иногда в несколько раз превышающей значение Е, может привести к пробою транзистора. В процессе восстановления ток намагничивания в этой схеме замыкается через диод Д, напряжение на котором мдпр-еод. Следует иметь в виду, что уменьшение напряжения на коллекторе запертого транзистора достигнуто ценой увеличения времени восстановления. [2]
При увеличении коллекторного напряжения UK ширина перехода Хк увеличивается, а толщина базовой области d d0 - Хк ( С / к) уменьшается; при этом чем меньше ширина базовой области о. [3]
 |
Расчетная схема для определения выходного сопротивления каскада. [4] |
При гвн / 0 увеличение коллекторного напряжения приводит к понижению эмиттерного потенциального барьера и к росту коллекторного тока, так как напряжение между эмиттером и базой растет. Коллекторные характеристики в этом случае увеличивают наклон, что соответствует уменьшению выходного сопротивления. Если rSHoo ( база питается от генератора тока / боconst), падение напряжения нз эмиттерном переходе и наклон коллекторных характеристик становятся самыми большими, а выходное сопротивление триода - наименьшим. [5]
Эту частоту можно повысить увеличением коллекторного напряжения, которое, в свою очередь, ограничено допустимой мощностью рассеяния. [6]
Знак минус означает, что увеличение коллекторного напряжения ( по модулю) уменьшает эмиттерное напряжение. [7]
 |
Схема коллекторных характеристик транзистора при общей. [8] |
Они показывают, что при увеличении коллекторного напряжения ( по абсолютной величине), начиная от нуля, коллекторный ток / к сначала быстро увеличивается. [9]
Знак минус говорит о том, что увеличение коллекторного напряжения ( по модулю) уменьшает эмиттер ное напряжение. Малая величина ( лэк означает слабое смещение кривых на рис. 4 - 11, б при изменении параметра UK. [10]
Знак минус говорит о том, ч: увеличение коллекторного напряжения ( по модулю) уменьшает эми тернсе напряжение. Малая величина эк означает слабое смещен. [11]
Как отразится на средней величине емкости двух последовательно и согласно включенных варикапов увеличение коллекторного напряжения транзистора ЛГ. [12]
В настоящее время различают три принципиально различных физических явления, обусловливающие выход триода из строя при увеличении коллекторного напряжения. [13]
А является функцией геометрии и сопротивлений материала, из которого состоит кристаллический триод. Таким образом, увеличение коллекторного напряжения вызывает уменьшение емкости. [14]
Графически а представляет собой площадь под любой из кривых, показанных на фиг. Второй максимум на кривой а / ( / е), смещается в сторону больших значений тока 1е при увеличении коллекторного напряжения УС - Если поддерживать величину тока эмиттера постоянной ( как это делается при снятии коллекторной характеристики) и увеличивать коллекторное напряжение, то при некотором значении напряжения Vc величина а резко уменьшится. [15]
Страницы: 1 2