Увеличение - напряженность - поле
Cтраница 2
 |
Схема регистрации движения инжектированных носителей в образце. [16] |
С увеличением напряженности поля время переноса уменьшается. [17]
С увеличением напряженности поля размах колебаний становится больше, однако совершенно ясно, что это увеличение не может продолжаться беспредельно. Действительно, при очень больших смещениях, например электрона, последний может вырваться за пределы атома. Таким образом, максимально допустимы смещения порядка размеров атома а. При г-а гармонический закон колебаний нарушается и в возвращающей силе появляются составляющие, пропорциональные квадрату смещения и его более высоким степеням. [18]
С увеличением напряженности поля и скорости поступательного движения случайные отклонения от круговой траектории закономерно уменьшаются. При скорости около 25 м / сек они уже практически отсутствуют, причем, начиная с этого момента, ширина кольцевой зоны, в которой оказывается зажатым катодное пятно, определяется уже процессом его деления. [19]
С увеличением напряженности поля усиление эффекта не происходит, при этом зависимость изменения свойств от напряженности поля носит экстремальный или полиэкстремальный характер. С течением времени изменения, внесенные магнитным полем, пропадают. [20]
 |
Зависимости удельной мощности и коэффициента мощности. [21] |
С увеличением напряженности поля лента без покрытия быстро насыщается и cos p падает, хотя активная мощность продолжает слабо расти. [22]
С увеличением напряженности поля величина ТКИ увеличивается, поэтому целесообразно измерять ТКИ при заданном значении напряженности поля. Подобным же образом может быть определена временная стабильность индуктивности катушки с ферритовым сердечником, если известно изменение проницаемости материала сердечника во времени. [23]
 |
Зонная диаграмма. [24] |
С увеличением напряженности поля до EZ энергия электронов начинает возрастать, часть их переходит в верхнюю долину, и в электропроводности принимают участие электроны верхней долины. [25]
С увеличением напряженности поля размер выявляемого дефекта уменьшается. При полной магнитной насыщенности величина потока рассеивания становится строго пропорциональной площади дефекта. Применение постоянного тока для намагничивания более желательно. [26]
С увеличением напряженности поля насыщение наступает раньше и предельная толщина уменьшается; существование предельной толщины слоя связано с отталкивающим действием заряда, накопленного слоем. Измерения показали, что с ростом толщины слоя увеличивается не только его накопленный заряд, но и RC слоя, что ухудшает условия стекания заряда. Определяющим фактором в условиях стекания заряда является сопротивление слоя; при снижении сопротивления слоя удается получить его большую толщину. Прочность и адгезия слоя с ростом напряженности поля возрастают. [27]
С увеличением напряженности поля возрастают tg б и нелинейные искажения, вызываемые гистерезисными явлениями. [28]
С увеличением напряженности поля магнитная проницаемость и - В / Н ( железа уменьшается, поэтому индуктивность катушки с железным сердечником убывает при увеличении амплитуды тока, а собственная частота колебательного контура при этом увеличивается. [29]
С увеличением напряженности поля магнитного дутья улучшаются условия схода дуги с контактов на дугогасительные рога и облегчается ее вхождение в камеру. Поэтому с ростом Я уменьшается также износ контактов от термического воздействия дуги, но до определенного предела. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5