Увеличение - плотность - электронное облако
Cтраница 1
Увеличение плотности электронного облака на атоме кислорода ОН-группы в карбоксиле способствует сдвигу упомянутого выше равновесия справа налево. [1]
Поэтому симметричной функции отвечает увеличение плотности электронного облака между ядрами ( IV. [2]
Ковалентная связь возникает в результате увеличения плотности электронного облака обобществленных электронов между атомами. [3]
Следовательно, образование химической связи объясняется понижением потенциальной энергии электронов, обусловленным увеличением плотности электронного облака в пространстве между ядрами. [4]
 |
Электронные облака атомов водорода при различной взаимной ориентации спинов электронов. [5] |
Следовательно, образование химической связи объясняется понижением потенциальной энергии электронов, обусловленным увеличением плотности электронного облака в пространстве между атомными ядрами. [6]
 |
Сопоставление расчета молекулы водорода о экспериментальными данными. [7] |
Следовательно, образование химической связи объясняется понижением потенциальной энергии электронов, обусловленным увеличением плотности электронного облака в пространстве между ядрами. [8]
Возникновение ковалентных связей объясняется тем, что при перекрывании электронных облаков увеличивается их плотность между положительными ядрами атомов, вступающих в химическое взаимодействие. Увеличение плотности электронного облака между положительными ядрами можно условно сравнить с ролью цемента, скрепляющего кирпичи. Наблюдается следующая закономерность: чем больше ( полнее) перекрываются электронные облака, тем прочнее образуется химическая связь. [9]
Для симметричной волновой функции, когда электронные спины антипараллельны, их волновые функции складываются. Поэтому симметричной функции отвечает увеличение плотности электронного облака между ядрами ( IV. [10]
Таким образом, условие заключается в том, чтобы в электронную пару входили электроны с противоположными спинами. Совершенно очевидно, что выполнение этого условия поведет к увеличению плотности электронного облака в этой области, а поскольку электроны, находящиеся в ней, взаимодействуют с обоими ядрами, - к возникновению сил притяжения одного атома к другому. Начавшееся образование связи вызовет уменьшение потенциальной энергии и дальнейшее увеличение области, в которой реализуются состояния того и другого электрона. При образовании молекулы водорода такое проникновение одного электронного облака в другое будет продолжаться до тех пор, пока расстояние между атомными ядрами не станет равным 0 74 А. Такому расстоянию соответствует минимум потенциальной энергии молекулы и, следовательно, максимальная энергия связи между атомами, равная согласно опыту 4, 4776 эв. [11]
Нитрогруппа, ион циана, сернистые соединения типа тиомочевины, тиосульфата, иона SCN -, а также молекулы этилена, пропилена, окиси углерода и окиси азота являются типичными восстановителями. Все эти молекулы или атомные группы содержат неиспользованные резервные электроны, которые могут смещаться в направлении электронной системы металла и тем самым, грубо говоря, обусловливать смещение центра тяжести отрицательных зарядов ( или увеличение плотности электронного облака) в направлении группы, стоящей в транс-положении к координированному восстановителю. [12]
Другим важным вопросом является порядок присоединения различных радикалов к двойной связи, которая благодаря наличию атома фтора поляризована. По аналогии с порядком присоединения к двойной связи 1 1-дифтор - и трифторэтиленов алкильные радикалы атакуют jb - углеродный атом. Это, по-видимому свя-зано с увеличением плотности электронного облака т-связи около Jb - углеродного атома. Такой порядок присоединения к двойной связи подтверждается тем фактом, что продукты присоединения типа CH2 C HFBr легко дегидробромируются при кипячении с водным раствором едкого натра, в то время как от соединений типа CHF-Cb Br НВг отщепляется только в спиртовом растворе гидроокиси калия. [13]
 |
Энергетические состояния электронов первых 20 элементов. [14] |
Обычно прибегают к еще большим упрощениям и, как правило, отыскивают у каждого атома по одному или нескольку электронов, которые играют основную роль в образовании химической связи. В случае, когда у каждого атома имеется по одному такому электрону, возникает так называемая двухзлектронная химическая связь. Образование химической связи здесь рассматривается как следствие перекрытия электронных облаков обоих электронов, спины которых обязательно должны быть антипараллельными. Результатом перекрытия является увеличение плотности электронного облака между обоими атомами. [15]
Страницы: 1 2