Увеличение - поле
Cтраница 2
С увеличением поля Т ( Е) быстро падает ( формула (5.53)) и в какой-то момент становится равным тс. Анализ показывает, что неустойчивость проводящего режима в этом случае затухает. [16]
При увеличении поля векторы магнитных моментов всех доменов в конечном счете поворачиваются в самое энергетически выгодное направление. Поскольку в этом процессе участвует значительно большее количество доменов, чем на начальном участке, процесс намагничивания идет более интенсивно и кривая намагничивания идет круче. При дальнейшем увеличении поля начинается постепенный поворот вектора магнитного момента от направления легкого намагничивания к трудному, совпадающему в конечном итоге с направлением внешнего поля ( процесс вращения), и магнитное состояние материала достигает технического насыщения. Если продолжать увеличивать поле, то наблюдается парапроцссс, заключающийся в слабом росте намагниченности, в пределе, достигающем значения истинного намагничивания. [17]
При увеличении поля восприимчивость становится функцией IEI. Изменение восприимчивости с ростом поля называется насыщением. Физическая причина этого в том, что распределение атомов по внутренним состояниям изменяется за счет воздействия поля. Поэтому заселение новых уровней приводит и к новым переходам. Например, в двухуровневой системе переходы вниз с верхнего уровня и переходы вверх начинают конкурировать. [18]
При увеличении поля допуска увеличивается доля значений параметров, находящихся в пределах допуска, а вблизи границ поля допуска при нормальном и треугольном распределении контролируемых параметров уменьшается плотность вероятности распределения контролируемых параметров и снижается уровень вероятности ошибок даже при увеличенных значениях коэффициентов точности. [19]
При обратном увеличении поля до прежнего значения индукция снова вернется к исходной величине, но уже по новому пути - кривая образует петлю гистерезиса ( фиг. [20]
 |
Различные типы процессов нетика. [21] |
При увеличении поля смещения границ доменов делаются необратимыми. [22]
На практике увеличение поля, обусловленное отдельным электроном, значительно меньше начальной неопределенности поля. [23]
Поэтому при увеличении поля состояния удаляются от края зоны. Анализируя уравнение Шре-дингера для водородоподобной системы, Яфет, Кейес и Адаме [817] показали, что с каждой подзоной Ландау связаны подобные серии примесных уровней. [24]
 |
Запоминающий элемент с одновит-ковой числовой обмоткой.| Плетеные ЗУ на тонких цилиндрических пленках. [25] |
Однако это требует и увеличения переключающего поля, что достигается увеличением числа витков в обмотках или использованием более мощных сигналов. [26]
 |
Кольцевой преобразователь. [27] |
Влияние гистерезиса уменьшается с увеличением поля возбуждения. [28]
 |
Зависимость относительно поля коллапса ( кривая У и поля эллиптической неустойчивости ( кривая 2 от степени неоднородности ЦМД-пленки S. [29] |
Видно, что при увеличении поля Я размеры ВД уменьшаются вплоть до некоторых значений, отмеченных на рисунке светлыми кружками. Это привлекательное с практической точки зрения свойство. Важно также, что нужный интервал полей существования ВД можно выбрать по своему усмотрению, выращивая пленки с соответствующей степенью неоднородности. [30]
Страницы: 1 2 3 4