Увеличение - магнитное поле
Cтраница 3
Данные его анализа дают овнованне предсказать, что с увеличением магнитного поля, перпендикулярного к плоскости пленки, удельное сопротивление будет соответствовать какому-то среднему значению, превышающему величину удельного сопротивления массивного образца. [31]
В спектре имеются 4 пика, соответствующие ( по мере увеличения магнитного поля) 1) м - и n - протонам ядра; 2) о-прото-нам ядра, 3) а-протонам ядра, 4) метиленовым протонам цепи. [32]
Одной из основных мер по уменьшению эрозии внутреннего элек-трода следует считать увеличение магнитного поля, что приводит к большему нагреву газа в области горения дуги и облегчению шунтирования. [33]
На образец будет действовать сила, направленная вдоль длины его в сторону увеличения магнитного поля. [34]
Ускорители, в которых используется этот принцип, называются фазотронами; 2) увеличение магнитного поля при неизменной частоте ускоряющего электрического поля. [35]
Выражение, стоящее в уравнении в скобках, как показывает опыт, с увеличением магнитного поля только возрастает, приближаясь к максимальной величине при подходе к насыщению в очень высоких полях. Таким образом, анализ показывает, что частицы с большим магнитным насыщением и восприимчивостью должны притягиваться с большей силой. [36]
Благодаря этому при малых температурах сопротивление рхх можно сделать практически равным нулю за счет увеличения магнитного поля. [37]
Если мащитное состояние вещества фиксируется какой-либо точкой на основной кривой индукции, то при увеличении магнитного поля на величину АЯ возрастает и индукция на величину АБ, соответственно смещается точка на кривой индукции. [38]
Вычисления приводят к, пожалуй, очевидному выводу, что импульс /, необходимый для увеличения магнитного поля, тем больше, чем больше изменение скорости а, и, разумеется, приближенно пропорционален этому изменению скорости. [39]
При этом следует отметить сильное развитие полюсных наконечников по массе, что имеет значение для увеличения магнитного поля. [40]
Сигнал сдвигается в сторону меньших значений напряжения на затворе, а ширина линии возрастает при увеличении магнитного поля. Более высоким концентрациям электронов соответствует больший сдвиг резонансного пика. Этот факт является прямым следствием деполяризации, его нельзя объяснить одним только диамагнитным сдвигом. Если эффектом деполяризации пренебречь, то влияние магнитного поля должно ослабевать по мере увеличения концентрации электронов, поскольку они теснее прижимаются к поверхности. В действительности, однако, как эффект деполяризации, так и деформация формы линии увеличиваются с ростом Ns и, как следствие, возрастает сдвиг пика. Экспериментально исследовались и инверсионные слои [164], причем влияние магнитного поля оказалось очень слабым. На рис. 38 приведены примеры спектров поглощения обогащенного слоя, вычисленные методом функционала плотности [64], которые иллюстрируют уширение и сдвиг пика. [42]
При этом все электроны находятся на основном уровне продольного движения, глубина которого неограниченно возрастает с увеличением магнитного поля и при В Z3 становится значительно больше энергии кулоновского взаимодействия на среднем расстоянии от ядра. [43]
 |
Результаты магнитных и резонансных измерений. [44] |
Таким образом, системы с гетероатомами в структуре полимеров обладают положительной магнитной восприимчивостью, причем при увеличении магнитного поля восприимчивость падает. [45]
Страницы: 1 2 3 4