Увеличение - помехоустойчивость
Cтраница 3
Служит для выделения информативного спектра БКГ, снижения влияния дыхательных вариаций, имеющих частоту около 0 3 Гц, и увеличения помехоустойчивости. [31]
 |
Мостовая схема нереверсивного преобразователя ( а, диаграммы очередности включения тиристоров ( б и синхронизации работы генераторов импульсов ( в. [32] |
Достоинства полупроводниковой СИФУ с вертикальным принципом управления - легкость конструирования отдельных узлов схемы управления, почти безынерционность ( при отсутствии фильтров с целью увеличения помехоустойчивости системы) - делали ее применение практически неограниченным до недавнего времени. [33]
Таким образом, применение защитного экрана всегда приводит к увеличению помехоустойчивости по продольной помехе. Увеличение помехоустойчивости зависит от Xz и К3 поэтому R3 и С3 должны быть минимальными. [34]
Повышение помехоустойчивости является одной из наиболее важных задач передачи информации. Увеличение помехоустойчивости не дается даром. Если емкость канала это допускает, могут быть приняты меры, повышающие надежность передачи. [35]
Потенциометр 4R60 предназначен для выбора рабочей точки лампы АРУ. Для увеличения помехоустойчивости в схему введены конденсаторы 4С5, 4С61, 4С59, увеличивающие постоянную времени цепи фильтра напряжения АРУ. [36]
 |
Нагрузочный МДП транзистор, работающий в пологой области.| Характеристики ивых. ( Увх для случая, когда истоки соединены с подложкой. [37] |
Запас по помехоустойчивости растет при увеличении отношения значений крутизны характеристики управляющего и нагрузочного транзисторов. Для увеличения помехоустойчивости необходимо увеличить отношение ( а) / 1) Упр / ( а. [38]
Проблема помехоустойчивости в определенной степени является противоречивой по отношению к проблеме надежности. Если для увеличения помехоустойчивости необходимо увеличивать избыточность передаваемой информации, то это приводит в свою очередь к усложнению структуры системы, к увеличению ее объема, и если вводимая избыточность не рассчитывалась на исправление ошибок, возникших по причине неисправности аппаратуры, то наблюдается снижение надежности системы. Если учесть, что основной задачей для ПСПИ является правильный прием переданного сообщения за допустимый промежуток времени, то можно воспользоваться такими едиными вероятностными критериями, как вероятность правильного приема Рпр, вероятность трансформации сообщения Ртр - Свойство системы в отношении помехоустойчивости и надежности можно связать с количеством информации, передаваемой через систему. [39]
При тактовых частотах до 100 МГц используют обычные двусторонние печатные платы, имеющие сквозные металлизированные отверстия для коммутации печатного монтажа обоих слоев. С целью увеличения помехоустойчивости микросхем, смонтированных на такой плате, все сигнальные проводники располагают с одной стороны платы, а с другой стороны - шины подвода питания; шину земли размещают так, чтобы она покрывала все свободные участки поверхности платы. [40]
 |
Схема элемента ТТЛ со сложным инвертором. [41] |
На рис. 1.31 приведена модификация элемента ТТЛ со сложным инвертором. Данная схема предназначена для увеличения помехоустойчивости, коэффициента разветвле-ления и быстродействия при работе на большую емкостную нагрузку. Инвертор состоит из фа-зорасщепляющего каскада на транзисторе 7 и резисторах Я2, Кз и выходного каскада на транзисторах Г Т3, резисторе Ra и диоде Дг. Особенность работы схемы заключается в следующем. Если транзистор 7 закрыт, то на его эмиттере потенциал равен нулю и транзистор Т2 закрыт. Через Т3 на выход схемы подается высокий уровень напряжения l / v Выход схемы в этом ( единичном) состоянии является низкоомным и обладает высокой нагрузочной способностью. Если транзистор 7 открыт, то транзистор Тг открывается и начинает работать в режиме насыщения. Чтобы предотвратить открытие транзистора Т3 при напряжении на выходе, равном U0, в схему вводят диод Дг. Для ограничения насыщения выходного транзистора шунтируют его коллекторный переход диодом Шотки. Этот схемотехнический прием был впервые использован в ТТЛ. [42]
 |
Принципиальная электрическая схема тиристориого ограничителя напряжения ТОН-3. [43] |
Падение напряжения на Ц № является запирающим для транзистора Т5 и предотвращающим переход блокинг-генератора в автоколебательный режим. Конденсатор Се служит для увеличения помехоустойчивости блокинг-генератора. [44]
Наиболее важным результатом проведенного анализа является тот вывод, что помеха, имеющая частоту, не совпадающую с частотой сигнала ( / i и / 2), а только находящаяся в широкой полосе тракта до ограничителя, оказывает существенное влияние на помехоустойчивость приемника, построенного по схеме ШОУ. Поэтому стремление расширить полосу пропускания тракта до ограничителя для увеличения помехоустойчивости относительно импульсных помех приводит к существенному ухудшению помехоустойчивости относительно сосредоточенных помех. Приходится ограничивать полосу пропускания широкополосного тракта величинами, компромиссно разрешающими это противоречие. [45]
Страницы: 1 2 3 4