Увеличение - размер - кристалл
Cтраница 1
Увеличения размера кристаллов можно достичь внесением в раствор затравки, частицы которой служат центрами осаждения бикарбоната из раствора. [1]
Увеличение размера кристаллов до 5 - 12 ( д, вызывает дальнейшее значительное увеличение объема пор с радиусами, превышающими 480 тц. [2]
Увеличение размеров кристаллов и вывод растворителя приводят к непрерывному изменению концентрации С. [3]
 |
Зависимость величины рН осаждения Zn fo z OT концентрации цинка при различных величинах соотношения. [4] |
Увеличение размеров кристаллов фосфатного слоя в этих растворах наблюдается уже при величине Д рН 0 7 - 0 8; при этом влияние на величину массы слоя почти отсутствует. [5]
 |
Схема вакуум-кристаллизационной установки. [6] |
Для увеличения размера кристаллов в продукционной суспензии и уменьшения расхода охлаждающей воды применяют 2 - 3-корпусные вакуум-кристаллизационные установки. Вакуум в испарителях создается с помощью системы барометрических конденсаторов смешения, паровых эжекторов и водокольцевого вакуум-насоса. [7]
Для увеличения размеров кристаллов после скребковых кристаллизаторов часто устанавливают кристаллорастители [132], которые представляют собой вертикальные цилиндрические аппараты с рамной мешалкой. Кристаллизаторы охлаждаются жидким этиленом или пропаном. [8]
Для увеличения размеров кристаллов образовавшегося осадка хромата бария нагревают смесь снова до кипения, иначе кристаллы настолько малы, что их трудно отделить от раствора. [9]
С увеличением размера кристалла степень перемешивания расплава за счет конвективных и концентрационных токов усиливается. [10]
При увеличении размера кристалла различные грани попадают в различные гидродинамические условия и не сохраняют общности диффузионно-концентрационного режима. Хотя при этом и сохраняется общее перенапряжение, господствующое на всем электроде, тем не менее эффективное перенапряжение, ввиду различия концентраций ионов металла возле различных граней, будет для них неодинаковым. [11]
С целью увеличения размеров кристаллов и снижения расхода охлаждающей воды применяют многокорпусные кристаллизационные установки. Корпусов может быть 2 - 3; число их определяется на основании технико-экономических расчетов. Вакуум в вакуум-испарителях создают при помощи барометрических конденсаторов смешения, паровых эжекторов и водокольцевых вакуум-насосов. [12]
По мере увеличения размеров кристалла появляется большее число мест, в которых может образоваться зародыш, однако одновременно с этим те же самые молекулярные зародыши необходимы для полного завершения кристаллизации грани роста. Таким образом, молекулярное зароды-шеобразование и полная кристаллизация одной молекулы приводят к независимости скорости роста от числа мест, доступных для образования зародышей. [13]
Повышение скорости прессования требует увеличения размеров кристаллов; при пониженных скоростях удовлетворительно прессуются также мелкокристаллические продукты. [14]
 |
Схема получения технического нафталина кристаллизацией с механическим отделением кристаллов от жидкости. [15] |
Страницы: 1 2 3 4