Увеличение - скорость - рост - кристалл
Cтраница 1
 |
Вязкость насыщенных растворов солей в зависимости от температуры.| Влияние температуры раствора на форму кристаллов MgSO4 6Н2О. [1] |
Увеличение скорости роста кристаллов с повышением температуры непосредственно вытекает из общих положений теории кристаллизации. В самом деле, если лимитирующей является диффузионная стадия [ уравнение ( 11) ], то с повышением температуры увеличивается скорость роста кристаллов вследствие увеличения коэффициента диффузии D и уменьшения толщины ламинарного слоя б, величина которого при прочих равных условиях уменьшается с понижением вязкости раствора. Сравнительно плавный характер кривых nf ( t) объясняется тем, что с повышением температуры одновременно возрастает и концентрация соли в насыщенном растворе. [2]
Перемешивание способствует увеличению скорости роста кристаллов, которая зависит от условий диффузии. [3]
Повышение температуры пересыщенных растворов должно, с одной стороны, приводить к увеличению скорости роста кристаллов сульфата кальция вследствие увеличения скорости процессов переноса на границе раздела фаз, снижения вязкости жидкой фазы и ряда других причин; с другой - оно может приводить к замедлению скорости роста кристаллов из-за уменьшения степени пересыщения вследствие повышения растворимости сульфата кальция. В результате влияние температуры раствора на скорость роста кристаллов имеет сложный характер. [4]
В результате дополнительно образуются гидроксиды и основные соли железа, адсорбционный слой становится рыхлым, происходит увеличение скорости роста кристаллов и появление дисперсных порошкообразных отложений железа. Качество осадков резко ухудшается. [5]
 |
Зависимость скорости роста граней кристаллов Л от скорости их вращения п. [6] |
В условиях массовой кристаллизации не используются такие высокие скорости перемешивания, поэтому в первом приближении для обычных промышленных кристаллизаторов характерно увеличение скорости роста кристаллов с повышением скорости движения раствора. [7]
При увеличении концентрации соли более благородного металла свыше 0 005 - 0 01 % скорость растворения стали в кислоте, содержащей ингибитор, начинает возрастать. Это вызывается увеличением скорости роста кристаллов осаждающегося на стали металла; этому росту уже не может препятствовать коллоидная пленка ингибитора. На поверхности стали вместо непроницаемой пленки мельчайших кристаллов осаждаются крупные кристаллы более благородного металла, играющие роль микрокатодов. При увеличении концентрации введенной соли до 2 - 3 % скорость растворения стали в кислоте, содержащей ингибитор, становится больше, чем в кислоте без ингибитора. [8]
При осаждении PbSO4 из его пересыщенных растворов в серной кислоте происходит как образование новых центров кристаллизации, так и рост уже образовавшихся кристаллов. Повышение растворимости PbSO4 способствует увеличению скорости роста кристаллов, что приводит к формированию крупнокристаллического-пористого слоя сульфата свинца. При этом для образования сплошного пассивирующего слоя требуется значительно больше вещества. [9]
При осаждении PbSO4 из его пересыщенных растворов в серной кислоте происходит как образование новых центров кристаллизации, так и рост уже образовавшихся кристаллов. Повышение растворимости PbSO4 способствует увеличению скорости роста кристаллов, что приводит к формированию крупнокристаллического пористого слоя сульфата свинца. При этом для образования сплошного пассивирующего слоя требуется значительно больше вещества. [10]
Со, представляющая действительное пересыщение возле поверхности кристалла, определяемое в каждом конкретном случае условиями кристаллизации раствора. Коэффициент р0 должен учитывать также увеличение скорости роста кристалла за счет присоединения к его граням субмикроскопических образований - блоков. [11]
Смекал [85] и Цвицки [105] пошли дальше, они считали каждую неправильность на поверхности кристаллов активным местом с повышенной силой притяжения и поэтому с большой каталитической активностью. Неправильности, встречающиеся во всех кристаллах, увеличиваются примесями посторонних веществ или увеличением скорости роста кристаллов. Чем быстрее кристаллизуется вещество, тем больше вероятность всзникнсвения таких неправильностей. Высокая температура, при которой происходит рост кристаллов, индуцирует указанный выше вид неправильностей или благоприятствует увеличению числа активных мест. Смекал определил, что число активных мест колеблется между 10 - 3 и 10 - 5 элементов кристалла в зависимости от условий роста кристаллов. [12]
По экспериментально найденным значениям для исследуемых веществ построены кривые зависимости линейной скорости кристаллизации от температуры, которые во всех случаях имеют две ветви: восходящую и нисходящую. Восходящая ветвь кривой скорости кристаллизации лежит в области температур ниже точки кристаллизации, и увеличение перепада температур между точкой кристаллизации и температуры жидкой фазы соответствует увеличению скорости роста кристаллов. При определенном переохлаждении жидкой фазы ривые скорости кристаллизации имеют свой максимум, а при дальнейшем понижении температуры жидкой фазы скорость роста кристаллов уменьшается, стремясь к нулю. [13]
По экспериментально найденным значениям для исследуемых веществ построены кривые зависимости линейной скорости - кристаллизации от температуры, которые во всех случаях имеют две ветви: восходящую и нисходящую. Восходящая ветвь кривой скорости кристаллизации лежит в области температур ниже точки кристаллизации, и увеличение перепада температур между точкой кристаллизации и температуры жидкой фазы соответствует увеличению скорости роста кристаллов. При определенном переохлаждении жидкой фазы ривые скорости - кристаллизации имеют свой максимум, а при дальнейшем понижении температуры жидкой фазы скорость роста кристаллов уменьшается, стремясь к нулю. [14]
При движении и росте такого незакрепленного кристалла условия для теплоотвода улучшаются-так как часть теплоты фазового перехода тратится на нагрев кристалла, условия для отвода примеси ухудшаются, вследствие необходимости отводить от кристалла еще добавочный поток примеси из внутренних слоев кристалла. Оба эффекта действуют в противоположных направлениях. Меньший отвод тепла способствует увеличению скорости роста кристалла. Поток примеси из внутренних слоев увеличивает концентрацию примеси у поверхности, снижая температуру кристаллизации, а тем самым скорость роста. [15]
Страницы: 1 2