Увеличение - сопротивление - резистор
Cтраница 4
Каскад с лампой Л2 является общим в цепи сигнала. Поэтому при увеличении сопротивления резистора R7 происходит уменьшение коэффициента усиления данного каскада, в результате чего на сетки обеих ламп выходного каскада подаются меньшие по амплитуде напряжения и громкость звука на выходе уменьшится. При полном обрыве R7 вся схема перестает работать. [46]
Хотя величина коэффициента усиления синфазного сигнала этой схемы невелика, им нельзя пренебрегать на практике. Она может быть уменьшена увеличением сопротивления резистора R, но это уменьшит ток на обоих транзисторах и при этом уменьшится коэффициент усиления напряжения усилителя. [47]
Хотя величина коэффициента усиления синфазного сигнала этой схемы невелика, им нельзя пренебрегать на практике. Она может быть уменьшена увеличением сопротивления резистора Лр но это уменьшит ток на обоих транзисторах и при этом уменьшится коэффициент усиления напряжения усилителя. [48]
Это положительное напряжение уменьшает нормальное смещение на лампе, усиление каскада возрастает и возникает генерация. То же происходит при увеличении сопротивления резисторов в анодной и сеточной цепях. Отключение, внутренние обрывы или потеря емкости блокировочными конденсаторами приводит к появлению паразитных связей между каскадами через источники питания и цепи АРУ. Чтобы выявить неисправный конденсатор, берут другой конденсатор емкостью 0 1 мкф и подсоединяют его параллельно каждой из развязывающих емкостей в анодной, экранной или накальных цепях, а также в цепи управляющей сетки. Если какая-либо из этих емкостей неисправна, то подключение к ней конденсатора срывает паразитную генерацию. [49]
 |
Схемы питания полевых транзисторен с повышенной стабильностью рабочей точки. [50] |
Схемные средства повышения стабильности рабочей точки полевых транзисторов не отличаются от тех, которые применяются для биполярных транзисторов. Основной прием заключается в увеличении сопротивления резистора Ra в цепи истока, создающего отрицательную обратную связь по постоянному току. [51]
Топология элементов микросхем не изменяется. Нагрев на воздухе приводит к увеличению сопротивления резистора, в вакууме - к уменьшению его. [52]
С помощью - выражения (3.30) можно рассчитать ДВС токоотвода, однако оно не позволяет сразу оценить, за счет каких параметров можно повысить до бесконечности ДВС токоотвода, чтобы получить идеальный ГСТ. Из (3.30) видно, что увеличением сопротивления эмит-терного резистора э до бесконечности можно только приблизить ДВС токоотвода к выходному сопротивлению транзистора. Следовательно, необходимо искать другие пути повышения ДВС токоотвода. [53]
Страницы: 1 2 3 4