Увеличение - влажность - материал
Cтраница 2
В настоящее время общепризнано, что в условиях частичного насыщения перемещение влаги в материале, хорошо смачиваемом водой, осуществляется в виде последовательно параллельного потока пара и жидкости, причем жидкая фаза приобретает все большее значение при увеличении влажности материала. Оба потока ( пара и жидкости) не могут быть разделены, так как они тесно связаны между собой процессами конденсации и испарения. Имеющиеся данные говорят о том, что расчет процесса перемещения влаги гораздо проще, если это перемещение совершается под воздействием одного только градиента давления пара при постоянной температуре, чем в случае наличия двух градиентов-температуры и давления. Когда тепловой поток сочетается с перемещением влаги, нельзя рассматривать каждую сторону этого сложлого явления отдельно. Пока еще не найдено общего теоретического решения этого вопроса, хотя во многих лабораториях ведутся работы в этом направлении. [16]
Емкостные датчики с меняющейся диэлектрической средой служат для измерения влажности материалов. Увеличение влажности материала увеличивает его диэлектрическую проницаемость, и емкость конденсатора возрастает. Емкостные датчики широко используются в сельском хозяйстве для определения влажности зерна. [17]
 |
Зависимость коэффициента влагопроводности глины от температуры. [18] |
Величина коэффициента влагогароводности зависит от температуры я влажности материала. С увеличением влажности материала коэффициент влагопроводности также возрастает. [19]
Важной для строительных материалов является зависимость К от влажности. С увеличением влажности материалов коэффициент теплопроводности возрастает. Увеличение коэффициента связано с замещением воздуха в порах жидкой влагой, имеющей более высокий коэффициент теплопроводности. [20]
С увеличением длительности перемешивания ( окатывания) гранулируемой массы размер гранул возрастает. При увеличении влажности материала требуемая длительность окатывания уменьшается. [21]
При сухом измельчении влажность материала оказывает очень большое влияние на слипаемость пыли. При измельчении большинства земель увеличение влажности материала на 1 - 3 % против регламентированной снижает на 15 - 25 % производительность и эффективность мельницы. Поэтому необходимо в каждом случае установить оптимальную влажность при сухом измельчении. При производстве пигментов она легко поддается регулировке, так как в большинстве случаев перед размолом производится сушка. [22]
При сухом измельчении влажность материала оказывает очень большое влияние на слйпаемость пыли. При измельчении большинства природных пигментов увеличение влажности материала на 1 - 3 % против регламентированной снижает на 15 - - 25 % производительность и эффективность мельницы. Поэтому необходимо в каждом случае установить оптимальную влажность при сухом измельчении, обеспечивающую максимальную производительность. При производстве пигментов она легко поддается регулировке, так как в большинстве случаев перед размолом проводится сушка. [23]
Большое влияние на К оказывает влажность вещества. Опыты показывают, что с увеличением влажности материала коэффициент теплопроводности значительно возрастает. Кроме того, чем выше объемная плотность материала, тем меньше он имеет пор и тем выше его коэффициент теплопроводности. [24]
С увеличением объемного веса материалов коэффициент теплопроводности возрастает. Для одного и того же материала коэффициент теплопроводности резко повышается при увеличении влажности материала. Например, обыкновенный глиняный кирпич в сухом состоянии имеет X 0 3, при естественной влажности X 0 7, а при сильном увлажнении X 0 9 ккал / м час град. [25]
Различная природа составляющих силы адгезии не позволяет найти единое средство к ее снижению. Например, гидрофо-бизация поверхности подложки снижает капиллярные силы, но повышает электрические и Кулоновские силы; увеличение влажности материала снижает электрические и Кулоновские силы, но приводит к повышению капиллярных сил. [26]
Различная природа составляющих силы адгезии не позволяет найти единое средство к ее снижению. Например, гидрофо-бизация поверхности подложки снижает капиллярные силы, но повышает электрические и Кулоновские силы; увеличение влажности материала снижает электрические и кулоновские силы, но приводит к повышению капиллярных сил. [27]
В помещениях гражданских зданий и в большинстве промышленных помещений не допускается конденсация водяных паров на поверхности и накопление влаги в толще наружных ограждений. Конденсация на поверхности ухудшает санитарно-гигиенические условия в помещении и, так же как конденсация в толще, может привести к переувлажнению конструкции. Увеличение влажности материала конструкции обычно связано со значительным ухудшением теплозащитных качеств и, как правило, приводит к быстрому разрушению ограждений. [28]
В помещениях гражданских зданий и в большинстве производственных помещений не допускается конденсация водяного пара на поверхности наружных ограждений и накопление влаги в их толще. Конденсация водяного пара на поверхности наружных ограждений ухудшает санитарно-гигиенические условия в помещении и, так же как конденсация его в их толще, может привести к переувлажнению конструкции. Увеличение влажности материала конструкции обычно связано со значительным ухудшением ее теплозащитных качеств и, как правило, приводит к быстрому разрушению ограждений. [29]
Емкостно-индуктивные методы связаны с тем, что параметры высокочастотного колебательного контура меняются при введении влажного материала. Эта вариация параметров связана с величиной активного сопротивления и углом диэлектрич. С увеличением влажности материала добротность контура снижается; измеряя величину постоянной составляющей анодного тока генератора, можно определить влажность контролируемого материала. Подобные влагомеры собраны по схеме неравновесного моста, в одно из плеч к-рого включен высокочастотный ( 7 5 - 8 5 Мгц) генератор с колебательным контуром, образованным датчиком. Большим достоинством рассматриваемого метода является отсутствие необходимости в электродах для присоединения датчика к контролируемому материалу: последний должен лишь находиться или перемещаться в непосредственной близости от датчика - в его высокочастотном поле. [30]
Страницы: 1 2 3