Cтраница 1
Увеличение температуры окружающей среды влечет за собой увеличение обратного тока насыщения / jfSo транзистора и уменьшение напряжения БЭпр. [1]
С увеличением температуры окружающей среды первыми в жидкое состояние переходят включения рассола которые вместе с частью растаявшего пресного льда сбрасываются в сток. Когда температура окружающеГ среды повышается до 0 5 - 4 С, остается рыхлая масса пресного льда, при таянии которого и получается пригодная для использования пресная вода. [2]
![]() |
Скачкообразное изменение тока в термосопротивлении при изменении приложенного к цепи напряжения.| Скачкообразное изменение тока в термосопротивлении. [3] |
С увеличением температуры окружающей среды максимум характеристики снижается. Поэтому разным температурам среды соответствует семейство вольт-амперных характеристик. [4]
С увеличением температуры окружающей среды это сопротивление незначительно уменьшается. [5]
С увеличением температуры окружающей среды она уменьшается. [7]
При увеличении температуры окружающей среды остаточное напряжение на насыщенном триоде меняется незначительно. [8]
При увеличении температуры окружающей среды у кремниевых диодов происходит увеличение обратного тока. Однако максимальная рабочая температура кремниевых диодов значительно выше ( 125 С), что связано с большей шириной запрещенной зоны кремния. Кремниевые диоды могут иметь пробивное напряжение около 1 000 ч - 1 500 в. У кремниевых диодов пробой объясняется лавинным процессом. С повышением температуры увеличивается тепловое рассеяние свободных носителей и уменьшается длина свободного пробега. Для приобретения носителем энергии, достаточной для ионизации валентных связей, необходимо повысить напряженность электрического поля. [9]
При увеличении температуры окружающей среды уменьшается сопротивление термистора, снижается максимум статической вольт-амперной характеристики и уменьшается ее крутизна. Такую зависимость используют в системах автоматического контроля и регулирования температуры. [10]
При увеличении температуры окружающей среды остаточное напряжение на насыщенном триоде меняется незначительно. [11]
При увеличении температуры окружающей среды свыше 50 С допустимая мощность рассеивания снижается на 2 8 мет на каждый градус. [12]
При увеличении температуры окружающей среды свыше 50 С допустимая мощность рассеивания снижается на 2 8 мет на каждый градус. [13]
При увеличении температуры окружающей среды и уменьшении напряжения источника питания ( при питании телевизора от аккумуляторов) гетеродин должен работать стабильно. Стабильность генерируемой частоты зависит от температуры, свойств транзистора, элементов и схемы гетеродина. Для повышения температурной стабильности используется метод термокомпенсации ( конденсатор С22 имеет большой отрицательный ТКЕ), подбирается оптимальное смещение на базе транзистора гетеродина и в цепь эмиттера вводится резистор Ди, обладающий большим сопротивлением. [14]
При увеличении температуры окружающей среды и уменьшении напряжения источника питания ( при питании телевизора от аккумуляторов) гетеродин должен работать стабильно. Стабильность генерируемой частоты зависит от температуры, свойств транзистора, элементов и схемы гетеродина. Для повышения температурной стабильности используется метод термокомпенсации ( конденсатор С22 имеет большой отрицательный ТКЕ), подбирается оптимальное смещение на базе транзистора гетеродина и в цепь эмиттера вводится резистор Rli обладающий большим сопротивлением. [15]