Cтраница 5
Отсюда следует, что при высоких коэффициентах концентрации излучения в солнечных элементах выделяется большое количество тепловой энергии, и если охлаждение элементов не предусмотрено, то их рабочая температура возрастает. Значительное повышение температуры влияет на свойства неосновных носителей и собственную концентрацию носителей в элементе, а также, хотя и в меньшей степени, на процесс поглощения фотонов вследствие изменения ширины запрещенной зоны. При повышении температуры подвижность неосновных носителей в Si несколько уменьшается, а в GaAs ( при типичных уровнях легирования) меняется очень слабо, поэтому коэффициент диффузии неосновных носителей в Si почти не зависит от температуры, а в GaAs монотонно растет при повышении температуры. В результате диффузионная длина неосновных носителей увеличивается при возрастании температуры ( особенно ярко это проявляется в GaAs), так как вследствие повышения тепловой скорости носителей увеличивается их время жизни. Таким образом, возрастание тока короткого замыкания при повышении температуры является следствием увеличения диффузионной длины неосновных носителей. Что касается напряжения холостого хода, которое, как полагают, должно повышаться при увеличении тока короткого замыкания, то оно сильно зависит от собственной концентрации носителей я, изменяющейся экспоненциально при вариациях температуры. [61]