Увеличение - ток - насыщение
Cтраница 1
Увеличение тока насыщения может произойти, если возрастет интенсивность выхода свободных электронов, для чего нужно увеличить температуру катода. [1]
В противоположность этому, увеличение тока насыщения дырок при введении в раствор окислителей типа КзРе ( СМ) 6 должно иметь место и для кремния, так как в этом случае дополнительное количество дырок возникает непосредственно на поверхности полупроводника. Обе кривые - кривая 4, снятая при обратно смещенном р-л-пе-реходе, и кривая 5, снятая при разомкнутой цепи - совпадают. [2]
Увеличение напряжения Ua не вызывает увеличения тока насыщения. В диоде ток насыщения равен току эмиссии катода. [3]
На участке / / / вольт-амперной характеристики при высокой напряженности поля имеет место увеличение тока насыщения за счет размножения зарядов ( вторичной ионизации) при введении в детектор анализируемых веществ. В этой области работают аргоновый и гелиевый ионизационные детекторы. [4]
В диодах с катодом прямого накала радиус гк мал, и поэтому напряженность Ек велика и увеличение тока насыщения заметно при меньших напряжениях, чем в плоском диоде. [5]
 |
Влияние диффузионной. [6] |
В свою очередь повышение в кристалле германия n - типа концентрации неосновных носителей тока - дырок вызывает увеличение тока насыщения и, следовательно, облегчает процесс анодного растворения. [7]
Как было показано ранее ( см. главу III), введение в раствор иона С2О1 - вызывает увеличение тока насыщения на германии п-типа. [8]
При повышенных температурах сопротивление прибора в состоянии отключено заметно уменьшается. Такое возрастание является заметным уже при температуре около 100 С, когда увеличение тока насыщения изолированного перехода Nв - Рв еще неизмеримо мало - Величина емкости для прибора в области / играет важную роль. Экспериментально полученная зависимость емкости от напряжения соответствует данным теории, указывающей на снижение емкости с возрастанием напряжения смещения при любой полярности последнего. [9]
Определены условия истечения, при которых можно изменить концентрации возбужденных ионов и электронов в различных участках струи. Для сильно ионизированного газа процесс В приводит к возрастанию концентрации электронов и ионов, что подтверждается увеличением токов насыщения на небольших расстояниях от среза сопла. В слабо ионизированной струе концентрация электронов падает, что свидетельствует об основной роли процесса А. [10]
Нами предложен и экспериментально опробован новый вариант сканистора, работающего на эффекте фотопроводимости. В отличие от сканистора, работающего на фотодиодном эффекте, где изменение вольтамперной характеристики вблизи нулевого значения напряжения происходит вследствие увеличения токов насыщения р-п переходов, в сканисторе, работающем на эффекте фотопроводимости, это изменение происходит за счет уменьшения сопротивления базового слоя, е котором осуществляется примесное поглощение света. [11]
Нами предложен и экспериментально опробован новый вариант сканистора, работающего на эффекте фотопроводимости. В отличие от сканистора, работающего на фотодиодном эффекте, где изменение вольтамперной характеристики вблизи нулевого значения напряжения происходит вследствие увеличения токов насыщения р-п переходов, в сканисторе, работающем на эффекте фотопроводимости, это изменение происходит за счет уменьшения сопротивления базового слоя, е котором осуществляется примесное поглощение света. [12]
Свойства р - n - перехода меняются существенным образом, когда вследствие генерации носителей тока светом, падающим на переход, меняется концентрация неосновных носителей тока вблизи перехода. Вьттпе было показано, что ток насыщения, переносимый неосновными носителями тока данного знака, пропорционален их концентрации, так что обусловленный действием света рост концентрации неосновных носителей тока вызывает увеличение тока насыщения. [13]
СЭ и концентрированном солнечном излучении равновесная температура СЭ может превышать 100 С. Увеличение рабочей температуры сопровождается уменьшением ширины запрещенной зоны, что дает некоторое увеличение фототока за счет расширения спектра фотоответа в длинноволновую область. Однако это увеличение фототока не компенсирует уменьшения UK K и F вследствие экспоненциального увеличения тока насыщения с ростом температуры, что приводит к существенному снижению КПД при увеличении температуры. [15]
Страницы: 1 2