Cтраница 1
Увеличение коллекторного тока транзистора TI происходит до тех тор, пока ток через туннельный диод не достигнет / р, после чего схема снова опрокидывается, напряжение на диоде Дг увеличивается, процесс повторяется. [1]
Этот процесс уменьшения коллекторного тока транзистора Т2 и увеличения коллекторного тока транзистора TI будет развиваться лавинообразно и прекратится тогда, когда транзистор Т2 запрется, а транзистор TI полностью откроется. [2]
![]() |
Схема транзисторного РУ с изменением глубины обратной связи по току. [3] |
Одновременно за счет увеличений коллекторного тока транзистора Т резко упадет дифференциальное сопротивление диода Дь сопротивление верхнего плеча этого делителя станет много меньше сопротивления нижнего плеча, что приведет к увеличению глубины отрицательной обратной связи. [4]
![]() |
Схема защитного отключения с транзисторами, работающая на включение реле. [5] |
Независимость работы мостовых схем защитного отключения от колебания напряжения контролируемой сети является большим их достоинством. Понижение солротив-ления изоляции сопровождается увеличением коллекторного тока транзистора и при достижении заданного уровня изоляции отрицательный потенциал основания по отношению к потенциалу эмиттера становится таким, что коллекторный ток будет достаточным, чтобы воздействовать на дальнейшую схему усиления. [6]
Постоянная составляющая выпрямленного диодом ДЗ напряжения ПЧ поступает на базу транзистора Т2 ( КТ315Б), на котором выполнен усилитель постоянного тока АРУ. Увеличение коллекторного тока транзистора Т1 снижает коэффициент егс усиления. [7]
Рассмотрим процесс включения тиристора при подаче управляющего тока / У. При этом увеличивается ток через переход Я3 и его составляющая ал ( / а / у), которая для р-п - р транзистора является током базы, поэтому возрастает доля тока коллектора р / а. Общий ток / к возрастает, при этом в базу п-р - п транзистора поступает из слоя п больший ток, что вновь вызывает увеличение коллекторного тока транзистора п-р - n - типа. При увеличении тока / а значения коэффициентов передачи ар и растут и знаменатель в выражении (1.9) обращается в нуль. За счет резкого нарастания тока / а увеличивается падение напряжения на резисторе R ( рис. 1.13, в), а падение напряжения на тиристоре уменьшается. [8]
Рассмотрим процесс включения тиристора при подаче управляющего тока / у. При этом увеличивается ток через переход Я3 и его составляющая ал ( / а / у), которая для р-п - р транзистора является током базы, поэтому возрастает доля тока коллектора ар / а. Общий ток / к возрастает, при этом в базу п-р - п транзистора поступает из слоя п больший ток, что вновь вызывает увеличение коллекторного тока транзистора п-р - n - типа. При увеличении тока / а значения коэффициентов передачи ав и а растут и знаменатель в выражении (1.9) обращается в нуль. За счет резкого нарастания тока / а увеличивается падение напряжения на резисторе RH ( рис. 1.13, б), а падение напряжения на тиристоре уменьшается. [9]
Конденсатор Ср разряжается с постоянно. По мере разряда конденсатора ток в нагрузке уменьшается и ее влияние ослабевает. Вызывая увеличение коллекторного тока транзистора Tz, подключение нагрузки может вызвать выход этого транзистора из режима насыщения в течение определенного интервала времени после переключения триггера. [10]
![]() |
Транзисторный преобразователь напряжения по схеме мультивибратора. [11] |
При включении питающей батареи коллекторный ток одного из транзисторов ( например, Tt) в силу каких-либо причин нарастает быстрее, чем у другого, а напряжение на нем оказывается ниже. Из-за наличия связи между транзисторами это препятствует нарастанию коллекторного тока транзистора Г2 и приводит к росту напряжения на нем. Последнее вызывает заряд конденсатора Сг через цепь эмиттер - база транзистора 7, еще более открывая транзистор. После окончания заряда конденсатора Сг транзистор 7 оказывается закрытым и нарастание напряжения на его коллекторе аналогичным образом приводит к увеличению коллекторного тока транзистора Гг. Частота образовавшихся колебаний определяется постоянными времени RiCi и К2Сг и зависит от величины питающего напряжения. [12]
Начинается процесс лавинного переключения. С коллектора Тя отрицательное приращение напряжения передается через делитель Rt Rt на базу транзистора Tt, перешедшего в активный режим. Контур положительной обратной связи замыкается. Коэффициент усиления по напряжению, больший единицы, в данном контуре создает каскад на транзисторе Ts, коллекторная нагрузка которого не должна быть очень малой. Отрицательное приращение напряжения на коллекторе Г2 после усиления транзистором Та и передачи через делитель RsRe на базу Tt приводит к увеличению коллекторного тока транзистора Tt и повышению потенциала его коллектора. Положительное приращение напряжения с коллектора Tt через конденсатор С2 передается на базу транзистора Та, в результате чего коллекторный ток этого транзистора уменьшается, еще более снижая потенциал коллектора. [13]