Увеличение - число - носитель - заряд
Cтраница 1
Увеличение числа носителей заряда в зоне проводимости возможно также за счет эффекта термоэлектронной ионизации, рассмотренного Френкелем. Сильное электрическое поле может понизить потенциальный барьер на величину AW в направлении, противоположном электрическому полю. Тогда энергия активации, необходимая для теплового заброса электрона в зону проводимости, уменьшается на величину Е Е - AW. Отличие этого эффекта от туннельного эффекта в том, что там поле переводит электроны в зону проводимости, а здесь поле только понижает барьер, а сам переход осуществляется за счет тепловых колебаний атомов. Следовательно, термоэлектронная ионизация зависит от температуры, тогда как эффект Зинера не зависит. [1]
 |
Диаграмма энергетических [ IMAGE ] Экспериментальная зависимость уровней для чистой поверхности Рд / ( U Для одного из типов варисто. [2] |
Увеличению числа носителей заряда способствует также разогрев контактирующих областей кристаллов. Эти области малы по величине, поэтому вполне возможно допустить их разогрев до высокой температуры даже при небольших токах, протекающих через контактирующие кристаллы. При таком микроразогреве приконтакт-ных областей макроразогрев всего образца может быть очень мал. [3]
Вследствие увеличения числа носителей зарядов в диэлектрике растет электропроводность. Носители перемещаются в поле электрета, в результате чего происходит компенсация зарядов и снижение поверхностной плотности зарядов. [4]
Одним из механизмов увеличения числа носителей заряда в сильных электрических полях является эффект Зинера. Вертикальный переход связан с затратой энергии и обусловлен механизмом ударной ионизации. [6]
 |
Условное графическое обозначение и вольтамперные характе - ристики кремниевого стабилитрона. [7] |
Диоды, использующие эффект Зенера и эффект лавинного увеличения числа носителей заряда, применяются для стабилизации постоянных напряжений и обычно называются лавинными диодами, или полупроводниковыми стабилизаторами. [8]
С ростом напряженности поля электрическая проводимость повышается за счет увеличения числа инжектируемых носителей зарядов ( ионов и электронов) в диэлектрик и образования инжектированного объемного заряда. [9]
 |
Схема процессов фотовозбуждения. [10] |
Увеличение проводимости фоторезистора под действием электромагнитного излучения связано с увеличением числа носителей зарядов. [11]
Двигаясь к аноду, эти электроны дополнительно ионизируют газ и создают новые электрические заряды - возникает тлеющий разряд. Увеличение числа носителей зарядов приводит к возрастанию тока. [12]
Различают два основных вида пробоя электронно-дырочного перехода: электрический и тепловой. В обоих случаях резкий рост тока связан с увеличением числа носителей заряда в переходе. При электрическом пробое число носителей заряда в переходе возрастает под действием сильного электрического поля и ударной ионизации атомов решетки, при тепловом пробое - за счет термической ионизации атомов. [13]
Такие фотоэлементы называются газонаполненными. Большая чувствительность газонаполненного фотоэлемента, чем такого же вакуумного, обусловлена увеличением числа носителей заряда вследствие ударной ионизации молекул газа электронами. Газонаполненные фотоэлементы менее стабильны в работе и обладают большей инерционностью, чем вакуумные. [14]
При повышении напряжения Ua ток тиристора увеличивается незначительно, пока напряжение Ua не приблизится к некоторому критическому значению t / пр. После этого происходит лавинообразное увеличение числа носителей заряда за счет лавинного увеличения носителей в переходе Пг движущимися электронами. С увеличением числа носителей заряда ток в переходе / 7з быстро нарастает, падение напряжения на резисторе Ra увеличивается, напряжение на тиристоре падает. [15]
Страницы: 1 2