Увеличение - число - свободный электрон
Cтраница 1
Увеличение числа свободных электронов или дырок в веществе под воздействием какого-либо вида энергии способствует повышению электропроводности, увеличению тока, появлению электродвижущих сил. [1]
Поскольку избыток атомов свинца приводит к увеличению числа свободных электронов, а избыток халькогена дает свободные дырки, то существуют большие трудности в получении образцов с малыми концентрациями носителей заряда. [2]
Так, на участке АВ с увеличением Т она возрастает вследствие увеличения числа свободных электронов и ионов благодаря все усиливающейся ионизации вещества. На участке ВС величина к определяется в основном связанно-свободными и свободно-свободными переходами ( они как раз и описываются формулами Крамерса) и с ростом Г она уменьшается. [3]
Так как содержание лития в сплаве олова постоянно ( 0 18 весовых процентов, по данным упомянутых авторов), то очевидно, что всякое увеличение числа N свободных электронов в 1 см3 восстановит ионизацию, а следовательно, и растворимость лития, потому что практически все его атомы ионизированы. Следует ожидать, что присутствие замещающих примесей ( Донорные или акцепторные центры) усиливает растворимость лития. [4]
Различают: 1) внешний фотоэффект, при котором поглощение света приводит к выходу электронов за пределы облучаемого тела; 2) внутренний фотоэффект, при котором происходит лишь увеличение числа свободных электронов внутри вещества, но не происходит выхода их наружу. Это приводит к резкому уменьшению электрического сопротивления тела; 3) фотогальванический эффект, при котором на границе раздела полупроводника и металла или на границе двух полупроводников под влиянием облучения возникает электродвижущая сила; 4) фотоэффект в газообразной среде, представляющий собой фотоионизацию отдельных молекул или атомов. Рассмотрим каждый вид фотоэффекта. [5]
При образовании твердых растворов происходит деформация решетки металла-растворителя-энергетическая и объемная. Энергетическая деформация решетки вызывается растворением элементов, обладающих большим количеством валентных электронов, чем растворитель. Это объясняется увеличением числа свободных электронов в решетке, или, как говорят, увеличением электронной концентрации. [6]
Поскольку опыт показывает, что вплоть до полей 10 в / см в большинстве полупроводников справедлив закон Ома, можно утверждать, что в этих пределах подвижность не зависит от поля. Наши опыты показали, что и за пределами применимости закона Ома подвижность добавочно ь веденных зарядов ( например, фотоэлектронов), а следовательно, и ничем от них пе отличающихся свободных зарядов, вызванных тепловым движением, сохраняет часто то же значение. Отклонение же от закона Ома вызвано в этих условиях увеличением числа свободных электронов. [7]
В 1953 г. Смит [184], исследуя влияние газообразного хлора на ионизацию щелочных металлов с помощью резонансного контура, после введения в пламя атомов натрия или калия в определенных условиях обнаружил сдвиг частоты, противоположный ожидаемому, в то время как для других щелочных металлов такое явление не обнаружено. Причина этого аномального эффекта состоит в увеличении концентрации свободных электронов, несмотря на добавление в систему акцепторов. Используя непосредственные измерения затухания радиоволн микроволнового диапазона, Пейдж впоследствии показал, что увеличение числа свободных электронов наблюдается только при малых концентрациях добавок галогена и при увеличении концентрации проходит через максимальное значение, а затем падает. Найдена зависимость эффекта от температуры и отношения концентраций щелочного металла и галогена. [8]
 |
Зависимость вязкости от температуры.| Зависимость lg ц от 1 / Т для ртути по данным настоящей работы.| Значения электросопротивления ртути в интервале 293 - 943 К по данным настоящей работы. [9] |
Температурный коэффициент р по Биргу в высокотемпературной области имеет большее значение, чем следует из наших измерений. До температуры кипения ртути при нормальном давлении зависимость р / ( Т) - прямая, при более высокой она выражается плавной кривой. Если предположить, что сила гомеополярной связи обусловлена числом электронов, участвующих в ее образовании, то металлизация должна привести к увеличению числа свободных электронов, приходящихся на атом, так как измерения вязкости и рентгеноструктурные исследования [17, 18] свидетельствуют об убыли доли гомеополярной связи в металле при повышений температуры. [10]
 |
Свойства щелочных металлов. [11] |
Металлоиды же имеют очень мало свободно движущихся электронов в кристалле, и электропроводность их соответственно низкая. Большинство электронов прочно удерживается атомами. При повышении температуры увеличивается тепловое движение, и это приводит к тому, что некоторые связанные электроны отрываются и становятся свободными. Такое увеличение числа свободных электронов и обусловливает повышение электропроводности. Конечно, при высоких температурах каждый свободный электрон имеет более ограниченные возможности движения, чем при низких температурах, вследствие беспорядочного расположения атомов, однако на понижение электропроводности в расчете на один электрон это не сказывается, поскольку такое понижение более чем компенсируется значительным увеличением числа свободных электронов в металлоидах, происходящим при повышении температуры. [12]
Уровень критического градиента в соответствии с данными рис. 1 - 12 по мере роста амплитуды приложенного напряжения сначала быстро снижается, а затем скорость уменьшения становится ниже и намечается стремление к определенному пределу. По мере роста приложенного напряжения возрастает плотность отрицательных ионов, поступающих из внешней зоны в зону ионизации. Это, естественно, должно сопровождаться увеличением числа свободных электронов, которые образуются при распаде отрицательных ионов в области сильного поля, и должно благодаря этому приводить к снижению критического градиента. Однако снижение критического градиента не может быть безграничным, так как процесс ударной ионизации может иметь место только при градиентах выше некоторой величины. Поэтому при приближении критического градиента к этой величине, несмотря на возрастание числа отрицательных ионов при увеличении напряжения, темп снижения критического градиента должен уменьшаться и должен существовать предел, ниже которого критический градиент опуститься не может. Наличие такого предела обусловлено также тем обстоятельством, что по мере снижения градиента уменьшается вероятность распада отрицательных ионов с освобождением свободных электронов. Это явление также влияет на уменьшение скорости снижения критического градиента по мере роста перенапряжения. [13]
В стеклянном или металлическом баллоне / находятся три металлических электрода: катод / С в виде полого цилиндрика, сетка С, спирально намотанная вокруг катода, и анод А - цилиндр большего диаметра. Внутри катода расположена спиральная вольфрамовая проволочка Н - нить накала. К ней подводят напряжение около 6 В. Нагрев нити приводит к выходу электронов с поверхности катода ( термоэлектронная эмиссия); они образуют электронное облако. Для увеличения числа свободных электронов катод обычно покрывают смесью окислов бария и стронция. [14]
Чистый полупроводник при сильном охлаждении подобен изолятору. Все его электроны прочно удерживаются в своих атомах. Поэтому внешнее электрическое поле не может вызвать движения зарядов - нет зарядов, способных двигаться. В результате электрического тока не возникает. Это - изолятор, к нему приложено напряжение, но тока не возникает. Однако электроны в атомах полупроводников удерживаются все же не так прочно, как в атомах изоляторов. При нагревании, при облучении светом или невидимыми лучами электроны получают дополнительную энергию, достаточную для того, чтобы вырваться из атома и получить возможность передвигаться. В результате в полупроводниках появляются свободные заряды, создающие проводимость. Из этого, между прочим, вытекает одна из особенностей полупроводников: при нагревании их проводимость увеличивается, тогда как у проводников она уменьшается - увеличившиеся размахи колебания атомов затрудняют движение электронов. Конечно, и у полупроводников усиление колебаний атомов по мере нагревания затрудняет движение электронов, но это перекрывается увеличением числа свободных электронов, тогда как у проводников число свободных электронов при нагревании практически не увеличивается. [15]
Страницы: 1 2