Увеличение - число - элемент
Cтраница 2
 |
Диаграмма, иллюстрирующая функцию распределения упругого модуля по времени релаксации. [16] |
По мере увеличения числа элементов вертикальные прямые будут приближаться друг к другу до тех пор, пока полностью не сольются. [17]
При резервном соединении увеличение числа элементов увеличивает надежность системы. Если надежность такой системы задана, то увеличение числа элементов снижает требования к надежности отдельного элемента. [18]
При этом с увеличением числа параллельно включенных элементов могут возникнуть условия, когда запасенной энергии будет достаточно для взрыва предохранителя, разрушения кожуха конденсатора и его выводов. [19]
Наиболее быстро достигается предел увеличения числа элементов на единицу площади кристалла в схемах, рассеивающих большие мощности. У современных БИС на биполярных транзисторах, особенно у быстродействующих, величина рассеиваемой мощности достигает единиц ватт. Тепловые связи между элементами в кристалле и способы отвода тепла часто лимитируют увеличение числа элементов в микросхемах. [20]
Оно значительно возрастает при увеличении числа элементов кодовых комбинаций, что приводит к образованию ложных путей прохождения тока за счет шунтирующего действия отдельных диодных ключей. [21]
 |
Зависимость доли ф элементов в рабочем режиме от скорости газового потока. [22] |
Последующее уменьшение газового потока сопровождается увеличением числа неработающих элементов, и в конце концов для всех них режим становится нерабочим. [23]
С другой стороны, при увеличении числа элементов на плате, особенно пленочных, повышается вероятность брака платы вследствие некачественного изготовления того или иного элемента. Это приводит к большому проценту отбраковки плат с неудовлетворительными характеристиками, что в свою очередь сводит к нулю выигрыш в производительности сложных плат с пассивными элементами. [24]
Уменьшение tn возможно только за счет увеличения числа N элементов, что также приводит к удорожанию испытаний. В связи с этим важное значение приобретает сбор данных об отказах, происшедших в процессе эксплуатации систем. Своевременная обработка этих данных может послужить не только исходным материалом для расчета показателей надежности вновь разрабатываемой аппаратуры, но и для внесения улучшений в существующие системы. Кроме того, наличие данных об отказах отдельных узлов и элементов позволяет прогнозировать места появления отказов и способствует более быстрому отысканию неисправностей. [25]
Микроминиатюризация радиотехнических устройств, а вследствие этого увеличение числа элементов в единице объема, рассеивающих теплоту, требует снижения потребляемых мощностей. Для этого необходимо предельно снизить напряжение питания до барьерной величины ( 1 - 1 5 В), что позволит сократить потребляемую мощность в 5 - 10 раз, а переход в режим микротоков ( ток покоя 1000 мкА) для транзисторов позволит снизить потребляемую мощность на 2 - 3 порядка. [26]
 |
Соотношение между расчетным и производственным допусками на селектируемый элемент. [27] |
При применении МГВ следует помнить, что увеличение числа селектируемых элементов и установление очень узких допусков на них может привести к значительному снижению экономичности метода. [28]
Уменьшение сопротивления заземления путем рационального размещения или увеличения числа элементов заземляющего устройства приводит к снижению напряжений прикосновения и шага. [29]
Уменьшение сопротивления заземления путем рационального размещения или увеличения числа элементов заземляющего устройства приводит к снижению напряжений прикосновения и шага. Наибольшие допустимые значения напряжения прикосновения и напряжения шага зависят от ряда условий: длительности воздействия электрического тока, рода тока, его частоты, сопротивления пути тока через тело человека, сопротивления в месте касания и др. С учетом указанных условий установлены такие нормы сопротивлений заземления электроустановок различных классов напряжения, при которых напряжения прикосновения и шага будут находиться в допустимых пределах. [30]
Страницы: 1 2 3 4