Увеличение - ширина - линия
Cтраница 3
При увеличении температуры от 5000 до 10 000 К е быстро возрастает в связи с увеличением интенсивности линейчатого излучения. Далее рост излучательной способности замедляется, причем зависимость е ( Т) может быть немонотонной. Определяющими являются здесь следующие факторы: увеличение заселенности возбужденных состояний, ионизация, увеличение ширины линий, смещение максимума планковской кривой в сторону больших частот. [31]
При более высоких уровнях мощности СВЧ-поле вызывает переходы с большей скоростью и, следовательно, уменьшает время жизни спинового состояния. Это приводит к неопределенности в энергии и, таким образом, - к увеличению ширины линии. [32]
Величина электронного парамагнитного резонанса были измерена при 9400 и 51 7 Мгц для нескольких углей, нагретых до различных температур. Адсорбция кислорода и окиси азота при комнатной температуре приводит к уменьшению интенсивности поглощения и увеличению ширины линии. Азот и водород при комнатной температуре не оказывают влияния на величину электронного спинового резонанса угля. [33]
Опыт показывает, что ширина линий в спектрах ЯМР жидкостей и газов много меньше, чем для тех же молекул в твердом состоянии. Это объясняется эффектом усреднения за счет быстро меняющихся возмущений в подвижных фазах. В растворе любой фактор, который приводит к замедлению вариаций локального окружения молекулы, должен также вызывать и увеличение ширины линий. Повышение вязкости, равно как и процессы молекулярной ассоциации, способствует замедлению таких изменений и, следовательно, дает вклад в ширину линий. Ширина линии в свою очередь связана с временами релаксации Т4 и Т2 ( и пропорциональна 1 / Т2), поэтому, измеряя Ti и Т2, можно обнаружить изменения в вязкости или ассоциации. [34]
Как и в объемном резонаторе, в открытом резонаторе может существовать целый ряд отдельных мод, отвечающих последовательности дискретных частот. Конфигурации собственных мод резонатора могут быть охарактеризованы распределением интенсивности на зеркалах. Примеры таких распределений показаны на рис. 3.2. В силу конечного времени жизни мод, обусловленного дифракцией и особенно прозрачностью зеркал, амплитуда поля убывает со временем, что приводит к увеличению ширины линии. [36]
Технология изготовления поликристаллических ферритов находится сейчас на таком уровне, что первые два фактора могут практически не сказываться на ширине линии. Вклад магнитной анизотропии в ширину линии связан с различной ориентацией отдельных кристалов в поликристаллическом образце, что приводит к различию эффективных полей анизотропии для различных кристаллов и, следовательно, к увеличению ширины линии. Уменьшение этой ширины может быть достигнуто либо путем изготовления текстури-рованных образцов ферритов, либо путем уменьшения констант магнитной анизотропии материала. [37]
Аналогичные результаты получены для примеси СН31 в жидком криптоне. Действительно, в обоих случаях значения эффективных масс, диэлектрических проницаемостей и энергий связи экситонов вполне сравнимы. Это иллюстрируется результатами, приведенными в табл. 1.12. Обычно ширина линий примесных уровней в жидкостях в два-три раза превышает ширину соответствующих спектральных линий в твердых телах, что, возможно, объясняется изменением энергии при рассеянии и разбросом локальных значений энергии ( неоднородное уширение, см. разд. Это увеличение ширины линии в жидкой фазе приводит к тому, что колебательная структура примесных полос в жидкой матрице становится неразрешимой. [39]
Для развертки электронного луча в растр на обе пары отклоняющих катушек ( в телевизионных устройствах обычно применяются трубки с магнитным отклонением) подаются пилообразные напряжения, причем количество строк в растре определяется отношением периодов этих напряжений. Такое разложение изображения обеспечивает высококачественное воспроизведение. Очевидно, чтобы на экране между строками не было видно темных полос, ширина линии должна быть примерно равна размеру кадра, деленному на число строк. С другой стороны, увеличение ширины линии выше указанного размера приводит к наложению строк, что ухудшает четкость изображения. [40]
Поэтому, как только энергия выше, чем самая низкая точка хребта пересечения ( предполагая, что она должна быть выше диссоциа-ционного предела), может наступить предиссоциация. Однако, если энергия молекулы как раз достаточна, чтобы достигнуть самой нижней точки хребта, предиссоциация возможна только в одной частной конфигурации, и вообще ( согласно представлениям классической механики) она требует значительного времени перед тем, как достигнется эта конфигурация во время движения по фигурам Лиссажу. Когда энергия возрастает, большая часть хребта доступна для фигуративной точки, и, следовательно, для предиссоциации требуется меньше времени. Постепенному уменьшению ( классического) времени жизни соответствует увеличение ширины линии [ см. уравнение (IV.11) ], и, таким образом, диффузность полос поглощения снова будет постепенно возрастать. В зависимости от формы потенциальной поверхности увеличение диффузности может быть очень слабым. Примером может служить уже упоминавшаяся первая предиссоциация HGN; в этом случае, как и в случае СЮ2, диффузность начинается постепенно, но ( в противоположность СЮ2) по крайней мере два колебания выделяются в спектре, и поэтому движение фигуративной точки более сложное. [41]
Расширение линий приводит к тому, что слабые линии с большими величинами углов 6 расплываются и число рефлексов на рентгенограмме уменьшается. При этом некоторые виды нарушения порядка приводят только к ослаблению интенсивности рефлексов, не расширяя линий рентгенограммы. Другие виды нарушения порядка, как, например, заметные искажения пространственной решетки, могут вызвать расширение линий, аналогичное влиянию уменьшение размеров кристаллитов. Поэтому для некоторых образцов трудно однозначно определить причину увеличения ширины линий и уменьшения числа рефлексов на рентгенограмме. В таких сложных случаях наряду с рентгеновским применяются другие методы исследования. [42]
Общее представление относительно ширины линий таково: ширина линий уменьшается с понижением температуры; ширина увеличивается с уменьшением упорядоченности в кристалле, причем в случае стеклообразных веществ ширина полос весьма велика; большая ширина наблюдается часто у очень интенсивных полос колебательных переходов. В спектре совершенного кристалла при низких температурах ширина линии, по-видимому, непосредственно зависит от скорости перехода колебательной энергии в энергию решетки. По мере того как повышается температура, взаимодействие с колебаниями решетки становится сильнее ( вследствие роста значения ангармоничности) и ширина линии увеличивается. Если инструментальная ширина щели значительно превышает ширину линии, то увеличение ширины линии с повышением температуры может сопровождаться кажущимся увеличением наблюдаемой интенсивности поглощения. [43]
Из приведенных данных можно сделать следующие выводы: 1) минимальная ширина линии, которую удается достигнуть с использованием эмульсионных фотошаблонов и негативных фоторезистов, составляет около 3 мкм. KTFR, а также KMER, 3) разрешение тем выше, чем тоньше слой фоторезиста. Они установили, что проявленные линии в слое негативного фоторезиста расширяются прямопропорционально увеличению толщины покрытия, причем это увеличение ширины линий в случае фоторезиста KPR примерно вдвое больше, чем в случае фоторезиста KTFR. Наконец, имеются некоторые причины не использовать покрытия негативного фоторезиста толщиной менее 1 мкм, хотя такие покрытия и обеспечивают самую высокую разрешающую способность. Одной из причин невозможности использования полимерных покрытий толщиной 0 5 мкм и менее является их слабая стойкость к химическим травителям и в результате - образование разрывов. [44]
В работе [35] даны результаты изучения зависимости ширины резонансной линии от количества адсорбированного аммиака, а также влияние природы обменных катионов на процесс магнитной релаксации его протонов. В качестве адсорбентов были взяты различные дегидратированные цеолиты типа А в катионообменной форме. Ширина линии протонного резонанса увеличивается с возрастанием количества адсорбированного аммиака на цеолитах NaCuA и NaNiA. Увеличение ширины линии, естественно, может быть интерпретировано как понижение подвижности молекул аммиака. Катионообменные формы цеолитов по характеру увеличения ширины линии могут быть расположены в ряд, аналогичный ряду прочности аммиакатов металлов, причем, как и при адсорбции паров воды [26], существует однозначная связь между шириной линии и сродством аммиака к обменным катионам. При заполнении адсорбционного пространства цеолита молекулы аммиака располагаются в первую очередь у обменных катионов. Эти результаты хорошо согласуются с адсорбционными измерениями. [45]
Страницы: 1 2 3 4