Cтраница 1
Увеличение энергии связи приводит к усилению роли сорб-ционных явлений в общем процессе разделения. В частности, скачкообразное изменение концентрации компонентов на границах мембраны не только повышает проницаемость целевого компонента, но может принципиально изменить процесс разделения смеси. [1]
Увеличение энергий связей С - F по сравнению со связями С - Н имеет своим результатом то, что стабилизация углеродных скелетов, производимая фтором, значительнее, чем в случае. Принимая во внимание малое значение энергии атомизации фтора, легко себе представить, что АЯ образования фтороуглеродов из простых тел велики и экзотермичны. [2]
![]() |
Периодическая зависимость первых ионизационных потенциалов от атомного номера. [3] |
Увеличение энергии связи электронов с ядром должно приводить к сжатию электронных оболочек. Когда электроны, добавляющиеся по мере возрастания z, заполняют внешний 2-уровень, то лежащая под ним заполненная 1 2-электронная оболочка, сильно экранирующая ядро, понижает энергию связи внешних s - электронов. [4]
Увеличение энергии связи прочносвязанного водорода особенно четко выражено при адсорбции ионов цинка. Последняя детально изучена нами с использованием изотопа Zn-65 на платиновом [29] и родиевом [30] электродах. Поэтому для объяснения результатов измерений кривых заряжения и потенциодина-мических кривых в присутствии ионов Zn2 необходимо располагать данными по адсорбции этих ионов в условиях, аналогичных условиям снятия кривых заряжения и потенциодинамических кривых. [5]
Учесть увеличение энергии связи Э - О от хрома к вольфраму и изменение типа кристаллической решетки. [6]
Это увеличение энергии связи А Полинг связывает с частич но ионным характером связи. [7]
![]() |
Зависимость перенапряжения выделения водорода на различных металлах при i - 1 0 ма-см и 25 С в 1 н. растворе НС1 от энергии адсорбции атомов Н ( по Рючи и Делахею sos. [8] |
Здесь увеличение энергии связи атомов водорода должно было бы повышать энергию активации катодного выделения водорода и, следовательно, повышать перенапряжение. [9]
С увеличением энергии связей реагирующих веществ с катализатором ( EQjjf) величина EI возрастает, а Ь уменьшается. Предполагается, при определенных допущениях, что энергия активации каталитич. [10]
С увеличением энергии связи подвижных ионов с активными группами сорбента возрастает трудность их десорбции, при этом увеличивается расход регенерирующего реагента и длительность процесса. [11]
С увеличением энергии связей реагирующих веществ с катализатором ( ZQjjfj величина EI возрастает, а Е уменьшается. Предполагается, при определенных допущениях, что энергия активации каталитич. [12]
Согласно [14], увеличение энергии связи определяется количеством электронов по наружной оболочке и наличием вакантных состояний, имеющихся в d - или f - ypoe - нях. В частности, элементы, у которых заполнены внутренние электронные оболочки и у которых число внешних электронов не превосходит четырех, уменьшают энергию связи углерода с железом; если таких электронов более пяти, то энергия связи увеличивается. Когда у элементов недостроены преднаружные оболочки, то большое значение приобретает число недостающих в ней электронов. При недостаче менее четырех электронов энергия связи уменьшается, а при недостаче более четырех электронов энергия связи увеличивается. [13]
Ясно, что увеличение энергии связи реагирующих молекул с катализатором, достигаемое, например, при переходе от одного вещества к другому, будет облегчать адсорбционную и одновременно затруднять десорбционную стадии процесса. Поэтому возникает некоторый оптимум по величине энергии связи. [14]
При освещении кристалла происходит увеличение энергии связи доменной стенки с дефектом. С увеличением интенсивности света отдельные границы уже не могут оторваться от своих центров закрепления при данной амплитуде внешнего поля, что и приводит к снижению общего уровня шума. При сильном увеличении Нт доменные стенки движутся со все большей скоростью, так что фотоиндуцированные анизотропные центры не успевают подстроиться под направление намагниченности в стенке и влияние света на магнитный шум ослабевает. [15]