Cтраница 3
![]() |
Кривые поглощения монохрома-тических электронов. [31] |
Рассеяние быстро уменьшается с увеличением энергии электронов; тем не менее им нельзя пренебрегать, поскольку для обычно применяемых толщин материалов его вероятность остается сравнительно высокой. Кроме того, угол отклонения электрона может еще увеличиться, если электрон претерпевает многократное рассеяние. [32]
Эффективное сечение растет с увеличением энергии электрона. [33]
Сечения диссоциации возрастают с увеличением энергии электронов в области от 15 до 100 эв. [34]
![]() |
Длина пробега быстрых электронов и их энергия.| Максимальные энергия и длина пробега В-частиц. [35] |
Эффективное сечение растет с увеличением энергии электрона. [36]
![]() |
Зависимость относительных интенсивностей линий нецелочисленных масс от энергии электронов для распада ионов СН3. 1-масса 11 / 15. 2-масса 93 / 5. [37] |
Сечения диссоциации возрастают с увеличением энергии электронов в области от 15 до 100 эв. [38]
![]() |
Длина пробега быстрых электронов и их энергия. [39] |
Эффективное сечение растет с увеличением энергии электрона. [40]
Убедиться, что при увеличении энергии электрона и протона радиусы кривизны их траекторий в однородном магнитном поле и периоды обращения, резко отличающиеся при малых энергиях, сближаются при больших энергиях. [41]
Эти радиационные потери при увеличении энергии электронов растут пропорционально довольно высокой степени последней, пока не становятся равными среднему приращению энергии за 1 оборот. Для ускорения ионов бетатрон непригоден. При одинаковой начальной энергии ионы имеют гораздо меньшую скорость, нежели электроны, и поэтому не могут совершить достаточно большого числа оборотов за время ускорения, чтобы достичь высоких энергий. [42]
Отметим, что при увеличении энергии ионизующих электронов различия сечений ионизации различных атомов и молекул, обусловленные их строением и энергетическими характеристиками, все более и более сглаживаются, и при достаточно больших энергиях электронов сечения ионизации главным образом определяются числом электронов в ионизуемой частице. Так, при энергии электронов, превышающей 5 кэв, сечения ионизации различных двухатомных и многоатомных газов, отнесенные к числу электронов в данной молекуле, различаются не более чем на 30 %, при различии самих сечений в несколько ( до 13) раз ( см. [ 59, стр. Таким образом, из этих данных следует, что при больших скоростях электронов вероятность ионизации молекулы, так же как и вероятность ионизации атома инертного газа, пропорциональна числу электронов в ионизуемой частице. [43]
![]() |
Анодная характеристика тетродами его сеточно-анод-ная характеристика / С2 / ( i / a. [44] |
Дальнейшее повышение анодного напряжения вызывает увеличение энергии электронов и появление вторичной эмиссии анода. Вторичные электроны направляются к экранирующей сетке, имеющей больший потенциал, чем анод. [45]