Увеличение - высота - потенциальный барьер
Cтраница 1
 |
Изменение потенциального барьера перехода при приложении запирающего напряжения. [1] |
Увеличение высоты потенциального барьера не отражается на величине тока проводимости через переход. Действительно, неосновные носители, достигающие области объемного заряда за счет теплового движения, по-прежнему подхватываются полем и переносятся через переход. Величина этого компонента тока определяется только количеством неосновных носителей, появляющихся на границах области объемного заряда в каждую единицу времени. Это количество зависит только от скорости возникновения неосновных носителей и их концентрации в данном полупроводнике. [2]
 |
Процессы в яр-переходе при наличии обратного напряжения. потоки носителей заряда ( а. потенциальная диаграмма ( б. распределение концентрации электронов и дырок ( в. распределение токов ( г. [3] |
Увеличение высоты потенциального барьера ведет к уменьшению потоков основных носителей 1 и 2 ( чем выше барьер, тем меньше электронов способно преодолеть его), а потоки неосновных носителей 3 и 4 остаются неизменными. [4]
С увеличением высоты потенциального барьера количество электронов, способных перейти из области п, резко сокращается - так как они не будут обладать достаточной энергией, чтобы преодолеть высоту потенциального барьера. [5]
Во всех трех случаях при увеличении высоты потенциального барьера ( переход от левой части фигуры к правой) вращательные уровни, которые не являются настоящими вырожденными уровнями ( Е), расщепляются на два подуровня с различной энергией. [6]
Из таблицы видно, что с увеличением высоты потенциального барьера статистическая сумма стремится к 1, особенно при низких температурах. [7]
 |
Семейство статических анодных характеристик триода. [8] |
С увеличением абсолютной величины отрицательного сеточного напряжения происходит увеличение высоты потенциального барьера для электронов в пространстве сетка - катод и уменьшение анодного тока. Чтобы при новом значении f / o получить прежний анодный ток, необходимо восстановить исходную высоту барьера, а для этого требуется увеличить анодное напряжение. При положительном напряжении на сетке необходимо учитывать токораспределение. [9]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [10] |
Если к нагретому р-п переходу подвести напряжение внешнего источника в непропускном направлении, то из-за увеличения высоты потенциального барьера поток основных носителей уже при весьма малых значениях внешнего напряжения практически прекратится; динамическое равновесие будет нарушено и в цепи останется ток неосновных носителей, почти не зависящий от приложенного напряжения, но во много раз увеличившийся по сравнению с током проводимости ненагретого р-п перехода. [11]
Обратным напряжением, приложенным к полупроводниковому прибору, является внешнее напряжение, при котором происходит увеличение высоты потенциального барьера в яр-переходе. Пренебрегая падением напряжения в эмиттерной и базовой областях, можно считать, что все внешнее напряжение прикладывается к пр-переходу. [12]
Поскольку эмиттируемые электроны имеют различные скорости и, следовательно, различные кинетические энергии ( хотя в среднем кинетическая энергия свободных электронов пропорциональна температуре эмиттера 7), то при увеличении высоты потенциального барьера доля электронов, которые смогут преодолеть этот барьер, уменьшится и тем самым уменьшится и плотность тока эмиссии по сравнению с плотностью тока при эмиссии в свободный вакуум. [13]
ДО а и ДО с - свободные энергии анодного и катодного процессов соответственно, а - часть общей энергии ( - nFkE), приводящая к снижению высоты энергетического барьера катодной реакции, а ( 1-а) - часть общей энергии, отвечающая за увеличение высоты анодного потенциального барьера. Если ДО с - СДО равн, катодный процесс облегчается и катодный ток возрастает. [14]
В случае небольших потенциальных барьеров вклад в теплоемкость за счет заторможенного вращения проходит через резкий максимум при низких температурах и значительно превосходит величину вклада в теплоемкости за счет свободного вращения; при повышении температуры величина барьера приближается к энергии свободного вращения. При увеличении высоты потенциального барьера максимальное значение вклада в теплоемкость за счет эффекта внутреннего вращения может превосходить максимальное значение вклада энергии гармонического вибратора. Величину потенциального барьера обычно определяют из измерений теплоемкости газов при одной температуре или из экспериментальных значений энтропии при некоторой температуре. Зная значение потенциального барьера при одной температуре, нетрудно рассчитать вклад в теплоемкости за счет заторможенного вращения при любой другой температуре. В настоящее время пе существует общего падежного метода определения потенциальных барьеров, препятствующих вращению. [15]
Страницы: 1 2