Увеличение - парциальное давление - кислород
Cтраница 3
Наличие максимума, очевидно, объясняется тем, что в разбавленных растворах процесс окисления лимитируется скоростью реакции в растворе, а в концентрированных - скоростью абсорбции кислорода из воздуха. С увеличением парциального давления кислорода скорость окисления возрастает46, но абсолютный прирост концентрации SO4 - в растворе зависит от того, какая стадия лимитирует общую скорость процесса. [31]
Оксид меди ( I) является обычно дырочным полупроводником из-за примеси атомов кислорода, создающего акцепторные центры в нем. С увеличением парциального давления кислорода над полуоксидом меди увеличивается его проводимость, что типично для оксидов с дырочной проводимостью. Оксид меди ( I) в обычных условиях находится в термодинамически неравновесном состоянии ( закаленное состояние) с некоторым избытком кислорода сверх стехиометрического. В равновесном же состоянии сверхстехиометрическое со - держание кислорода в нем меньше и проводимость тоже меньше. [32]
Обрыв цепи, как и в предыдущем случае, происходит в результате коллига-ции радикалов или любым другим путем, при котором удаляются переносящие цепь радикалы. При увеличении парциального давления кислорода можно перейти от ингибируемого кислородом хлорирования к катализируемому хлором окислению алкана, а при промежуточных парциальных давлениях можно получить одновременно хлорированные и окисленные продукты, например фосген из метана. [33]
 |
Зависимость электропроводности окиси меди ( I от давления кислорода при 700 - 900 С. [34] |
На рис. 74 проводится зависимость электропроводности Си2О от парциального давления кислорода. Рост электропроводности с увеличением парциального давления кислорода характерен для окислов с дырочной проводимостью. [35]
В кислородной среде потери железа от коррозии с кислородной деполяризацией увеличились по сравнению о воздушной средой в десять раз, что свидетельствует об увеличении скорости коррозии о кислородной деполяризацией. Последнее вызвано тем, что увеличение парциального давления кислорода в газовой среде привело к увеличению положительного значения обратимого потенциала кислородного электрода. [36]
Эти и аналогичные методы требуют дополнительных капитальных и эксплуатационных затрат, поэтому важно создать катализаторы, способные крекировать тяжелое сырье. Некоторые из них, такие как увеличение парциального давления кислорода в регенераторе, были направлены на решение вторичной задачи, связанной с высоким коксообразованием, вместо того чтобы кардинально решать проблему в целом путем разработки подходящего катализатора. [37]
Однако большие его количества при хранении на воздухе воспламеняются. Так, при обычных темп - pax с увеличением парциального давления кислорода от 0 05 до 300 мм рт. ст. скорость окисления возрастает, а затем уменьшается и при давлениях выше 700 окисление не идет. [38]
Общий выход уксусной и муравьиной кислот повышается с увеличением парциального давления кислорода. Во время окисления имеют место различные конкурирующие реакции. [39]
Толщина образующихся пленок Si02 при разложении тетраэтоксисилана в плазме тлеющего разряда [91] является линейной функцией времени осаждения при постоянной скорости тока кислорода для различных парциальных давлений исходного соединения в реакционной камере. Линейной является также зависимость скорости осаждения пленок Si02 от парциального давления пара тетраэтоксисилана в реакционной камере. С увеличением парциального давления кислорода скорость осаждения пленки уменьшается за счет разложения большей части соединения на стенках камеры и меньшей - на подложке. Скорость осаждения уменьшается также при нагревании подложки до 200 С из-за возникающего конвенктивиого потока от подложки к степкам камеры, приводящего к уменьшению концентрации вещества вблизи подложки. [40]
Установлено, что ширина запрещенной зоны собственно Си2О 1 5 эв. Закись меди является обычно дырочным полупроводником из-за примеси атомов кислорода, создающего акцепторные центры в ней. С увеличением парциального давления кислорода над полуоксидом меди увеличивается его проводимость, что типично для оксидов с дырочной проводимостью. Закись меди в обычных условиях находится в термодинамически неравновесном состоянии ( закаленное состояние) с некоторым избытком кислорода сверх стехиометри-ческого. [41]
Амфотерная природа окиси кальция ( изменение типа проводимости) проявляется в ее поведении в зависимости от парциального давления кислорода. На рис. 80 приводится зависимость электропроводности спеченных образцов СаО от парциального давления кислорода при 600 С. При увеличении парциального давления кислорода выше 10 - 2 мм рт. ст. наблюдается рост электропроводности СаО, что указывает на дырочный тип проводимости. При давлении около 10 - 2 мм рт. ст. кривая логарифма удельной проводимости проходит через минимум, а при дальнейшем понижении давления электропроводность сильно возрастает, что подтверждает электронный механизм проводимости. [42]
При нагревании желтеет в связи с частичной потерей кислорода и появлением вакансий в анионной подрешетке, в связи с чем увеличивается электронная проводимость оксида. При увеличении парциального давления кислорода проводимость оксида уменьшается, что типично для оксидов п-типа. [43]
При нагревании желтеет в связи с частичной потерей кислорода и появлением вакансий в анионной подрешетке, в связи с чем увеличивается электронная проводимость оксида. При увеличении парциального давления кислорода проводимость оксида уменьшается, что типично для оксидов л-типа. [44]
Полученные результаты позволяют предполагать, что в изученных условиях лимитирующей стадией процесса является окисление либо адсорбированного водорода, возникающего на поверхности в результате дегидрирования спирта, либо продуктов дегидрирования, самогидрирования и деструкции спирта и его окисления. Такое предположение позволяет объяснить практически постоянные на протяжении всего опыта катодные значения стационарного потенциала катализатора. При постоянной концентрации спирта скорость окисления адсорбированного водорода растет с увеличением парциального давления кислорода при все более анодных значениях стационарного потенциала катализатора. [45]
Страницы: 1 2 3 4