Дальнейшее увеличение - обратное напряжение
Cтраница 1
 |
Характеристики р-п-перехода. [1] |
Дальнейшее увеличение обратного напряжения приводит к электрическому пробою / - и-перехода, при котором обратный ток резко увеличивается. [2]
 |
Характеристики р-п перехода. а - вольтамперная. е - сопротивления. [3] |
Дальнейшее увеличение обратного напряжения приводит к пробою р-п перехода, пэи котором обратный ток резко увеличивается. [4]
 |
Вольт-амперная характеристика кремниевого диода на 200 A, SOO В при температуре перехода 20 С ( основная линия и 120 С ( пунктирная линия. [5] |
При дальнейшем увеличении обратного напряжения ( участок А - Б характеристики) обратный ток еще немного возрастает и достигает значения тока насыщения, который при этом остается практически неизменным. [6]
При дальнейшем увеличении обратного напряжения возникает пробой, который мы уже рассматривали в разделе 2.4, и ток резко увеличивается. Напряжение, при котором происходит резкое увеличение обратного тока, называется напряжением пробоя. При увеличении концентрации примеси в полупроводнике напряжение пробоя уменьшается почти обратно пропорционально. Для идеального контакта Шоттки при концентрации доноров ( iVd) 1016 см-3 напряжение пробоя у кремния составляет 55 В, а у GaAs - 70 В. [7]
 |
Условное графическое обозначение и вольтамперные характе - ристики кремниевого стабилитрона. [8] |
При дальнейшем увеличении обратного напряжения обратный ток растет неограниченно, происходит тепловой пробой запирающего слоя и разрушение p - n - перехода. [9]
Обратная ветвь характеристики диода в диапазоне рабочих напряжений незначительно отличается от теоретической вследствие появления неконтролируемых токов как за счет утечек по поверхности вентильного элемента, так и за счет термогенерации носителей заряда в области перехода. Дальнейшее увеличение обратного напряжения вызывает резкое нарастание тока в результате ударной ионизации атомов или локального перегрева структуры. Поэтому напряжение U в точке перегиба принято считать напряжением пробоя. [10]
Ток / о составляет несколько микроампер и им можно пренебречь. Дальнейшее увеличение обратного напряжения ( выше / 06 max) приводит к электрическому пробою Р - Л / - перехода ( при / 7 р) 5), сопровождающемуся резким возрастанием обратного тока. Пробой P - jV - перехода происходит под действием внутренней электростатической ионизации, в результате которой электронам сообщается энергия, достаточная для освобождения их от парноэлектронных связей и преодоления потенциального барьера. В результате ударной ионизации атомов полупроводника в районе P - yV - перехода носителями, образующими первичный обратный ток, наступает лавинный пробой. Пр-i ударной ионизации одновременно образуются электрон и дырка, являющиеся неосновными носителями тока, поэтому электрическое поле P-iV - перехода направляет электроны и дырки соответственно в полупроводники типа N и Р, увеличивая обратный ток. [11]
 |
Вольт-фарадные характеристики электронно-дырочных переходов. [12] |
Как уже отмечалось, эта емкость обусловлена изменением зарядов у границ перехода при изменении напряжения U. При дальнейшем увеличении обратного напряжения закон распределения неосновных носителей остается практически неизменным. [13]
 |
Вольт-амперные характеристики р-п-пере-хода ( сплошная кривая и полупроводникового диода ( пунктирная кривая. [14] |
Согласно соотношению ( 3) экспоненциальным членом в этом выражении можно пренебречь при Ub 0 1 В. При дальнейшем увеличении обратного напряжения обратный ток не изменяется. [15]
Страницы: 1 2