Дальнейшее увеличение - поле
Cтраница 1
Дальнейшее увеличение поля приводит только к повороту направления намагниченности до тех пор, пока оно не совпадет с направлением поля. Это последнее изменение намагниченности, связанное с поворотом, является обратимым ( dM / dH иобр), а конечное состояние есть состояние магнитного насыщения. [1]
Дальнейшее увеличение поля может привести к ориентации оставшихся неупорядоченными спинов, и рост намагниченности продолжится. Поскольку описанный процесс подобен процессу намагничивания парамагнетика, при котором влияние поля должно преодолевать влияние теплового движения, его называют парапроцессом. [2]
 |
Смещение границ доменов кремнистого железа.| Кривая изменения гра. [3] |
Дальнейшее увеличение поля заставляет границу вновь смещаться обратимо вплоть до следующего более высокого максимума - точки хс. Переход границы из ХА в хв необратим. [4]
Дальнейшее увеличение поля приводит только к повороту направления намагниченности до тех пор, пока оно не совпадет с направлением поля. [5]
При дальнейшем увеличении поля Н ( рис. 6.1, а), преодолевающем обменное поле НЕ, намагниченности MI и М % постепенно сближаются по направлению. При этом, конечно, условие L2 const становится несправедливым. Напротив, М стремится к своему максимальному значению М 2Мо, a L - к нулю. [6]
При дальнейшем увеличении поля кривая от точки К пойдет вверх и замкнется в точке А. [7]
При дальнейшем увеличении поля сверхпроводимость у экватора должна разрушиться. Наступает частичное разрушение сверхпроводимости - образец расслаивается на нормальные и сверхпроводящие области. Такое состояние, когда в образце существуют одновременно и сверхпроводящие и нормальные области, называется промежуточным. [8]
 |
Прямоугольный резонатор с ферритовой пластинкой. [9] |
При дальнейшем увеличении поля ре может стать отрицательной, но в этой области магнитные потери быстро растут в связи с приближением к области гиромагнитного резонанса. За пределами гиромагнитного резонанса существует область быстрого изменения ре с увеличением приложенного поля, но она все же слишком близка к резонансу. Таким образом, для целей настройки наиболее выгодна область слабых полей, как с точки зрения потерь, так и с точки зрения требуемого поля. [10]
С ростом плотности плазмы увеличивается коэффициент отражения электромагнитной волны, предотвращая дальнейшее увеличение поля в плазме. [11]
Если в области сильных полей наблюдается насыщение тока, то при дальнейшем увеличении поля ток может резко возрасти, начиная с некоторого поля ЕКР. [12]
 |
Магнитосопротивление сверхчистого алюминия ( чистотой 99 999 % при температуре 4 2 К, подвергнутого холодной деформации и последующему отжигу. [13] |
В отличие от меди сопротивление алюминия выходит на насыщение в сравнительно слабых магнитных полях и при дальнейшем увеличении поля растет довольно медленно. Таким образом, при использовании в обмотке магнитов алюминия высокой чистоты необходимо проводить контролируемый отжиг после ее намотки и стремиться уменьшить в ней механические напряжения, возникающие при охлаждении и под действием электромагнитных сил. [14]
Нкр) появляются падающие части, интервал и крутизна к-рых сначала увеличиваются с увеличением / /, затем при дальнейшем увеличении поля исчезают. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5