Дальнейшее увеличение - температура
Cтраница 1
 |
Схема энергетических уровней собственных междоузельных атомов в кремнии согласно модели Блаунта.| Модель сдвоенного междоузелъного Si-PG - центра. [1] |
Дальнейшее увеличение температуры приводит к переходу электронов на нижний уровень радиационных дефектов Еа, который, как видно из экспериментальных данных, полностью не заполняется. [2]
 |
Влияние температуры ОКК мазута на железо-окисном катализаторе на выход кислородсодержащих соединений фракции 350 С - к.к. [3] |
Дальнейшее увеличение температуры приводит к разрушению сульфоновых комплексов с образованием газообразных сернистых продуктов. [4]
Дальнейшее увеличение температуры усиливает извилистость торца ступени, которая затем распадается на множество островков и отдельных молекул кристаллизанта, разбросанных на поверхности плотноупаковашюго слоя S. Поверхность при этом превращается в молекулярно-шероховатую, на которой расстояние между молекулами в слое А соизмеримо с межмолекулярным расстоянием в кристалле. Степень извилистости ступени согласно расчетам [41] увеличивается с повышением температуры немонотонно вследствие коллективного взаимодействия молекул. Подобный распад ступеней происходит и на неравновесной поверхности. Однако в этом случае температура Гс зависит от пересыщения среды. [5]
Дальнейшее увеличение температуры до 140 приводит К умень-шйнйю выхода. [6]
 |
Изменение группового химического состава смолы пиролиза при. [7] |
Дальнейшее увеличение температуры и времени термообработки способствует интенсивному превращению асфальтеновых структур и быстрому карбоидообразо-ванию в системе. [8]
Дальнейшее увеличение температуры не приводит к существенному изменению величины коэффициента асимметрии. [9]
 |
Влияние температуры ОКК мазута на железо-окисном катализаторе на выход кислородсодержащих соединений фракции 350 С - к.к. [10] |
Дальнейшее увеличение температуры приводит к разрушению сульфоновых комплексов с образованием газообразных сернистых продуктов. [11]
 |
Хроматограммы расплавов, полученных при окислении РОС13 без продувки ( а и с продувкой воздухом ( б. [12] |
Дальнейшее увеличение температуры нецелесообразно, так как приводит к увеличению скорости испарения хлористого калия. [13]
Дальнейшее увеличение температуры приводит к менее резкому, но все же заметному увеличению электропроводности, а начиная примерно с 1200 С ( теллурид галлия) и 1000 С ( теллурид индия) электропроводность практически перестает зависеть от температуры. [14]
Дальнейшее увеличение температуры приводит к тому, что средний запас энергии атомов увеличивается и, в конце концов, становится выше, чем необходимо для преодоления энергетического барьера, препятствующего образованию новой фазы. Атомы получают запас энергии больший, чем требуется для образования зародышевых кристаллов, и выделяющаяся при их образовании скрытая теплота кристаллизации ( избыточная) приводит к расплавлению части образовавшихся зародышей. Энергия кристалла меньше, чем энергия расплава, вследствие чего при кристаллизации вещества всегда выделяется скрытая теплота плавления, которая, согласно Тамману, расплавляет часть образовавшихся кристаллов, делает их нестабильными. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5