Дальнейшее увеличение - чувствительность
Cтраница 2
 |
Электронные плотность Ne и темп - pa Т, солнечной атмосферы. [16] |
Обнаружено также радиоизлучение нек-рых вспы-шечных звезд. Дальнейшее увеличение чувствительности радиотелескопов позволит наблюдать не только их спорадическое ( во время вспышек), но и тепловое радиоизлучение. [17]
 |
Светимость детонационных волн в кислородно-ацетиленовых смесях. [18] |
Под действием удара с энергией 2 5 кгс - см взрывы удается вызвать в 100 % испытаний, а под действием удара с энергией 1 кгс - см - в 50 % испытаний. Окислы азота не вызывали дальнейшего увеличения чувствительности, в то время как озоп вызывал: при содержании 0 01 % озона в жидком кислороде взрывы с вероятностью 100 % происходили под действием удара с энергией 1 75 кгс-см. [19]
Наиболее актуальной и наименее разработанной из всех проблем является проблема надежности. Несомненно важной проблемой является проблема дальнейшего увеличения чувствительности и точности приборов. Третьим важным вопросом является снижение габаритов приборов. [20]
Чувствительность прибора довольна высока: он четко срабатывает от пламени спички, находящейся на расстоянии 5 - 6 м от датчика. В то же время источники с постоянным уровнем излучения ( лампы накаливания, солнечный свет, мапре-тые стенки топок) этим фотореле не фиксируются. Дальнейшее увеличение чувствительности может быть достигнуто при использовании оптической системы, концентрирующей на фотопрм-емнике большую, чем при непосредственном освещении, часть излучения пламени. [21]
Емкостный ток, который зависит от изменения поверхности электрода и его потенциала, ограничивает чувствительность поля. Величину емкостного тока можно снизить, применяя стационарные электроды с постоянной площадью рабочей поверхности. Дальнейшее увеличение чувствительности возможно с помощью электролитического концентрирования определяемого вещества на стационарном электроде. Определение методом инверсионной вольт-амперометрии заключается в электролитическом растворении ранее выделенного на поверхности электрода вещества. Ток, протекающий при этом, значительно выше максимального тока до концентрирования. [22]
После откачки из прибора кислорода и распыления геттера в боковом отростке получают металлический цезий путем нагрева токами высокой частоты помещенного туда источника цезия, который представляет собой стеклянную капсулу, наполненную цезием, или никелевую капсулу, содержащую соединение цезия. После достижения максимума фототока боковой отросток с цезиевой ампулой отпаивается и лампа охлаждается до комнатной температуры. Затем проводится повторный нагрев для удаления избытка цезия, и следующее за этим охлаждение, приводит к дальнейшему увеличению фотоэлектронной чувствительности фотокатода. [23]
 |
Схема соединения приборов для метода расширения шкалы. [24] |
Таким образом можно скомпенсировать как угодно большую часть сигнала. К сожалению, флуктуации интенсивности флуоресценции раствора, связанные в первую очередь с нестабильностью источника возбуждения, не дают возможности беспредельно повышать чувствительность анализа. На примере реакции окисления стильбексона, катализируемого железом, показано, что расширением шкалы чувствительность реакции может быть повышена на 1 - 1 5 порядка. Дальнейшее увеличение чувствительности реакции достигается стабилизацией источника возбуждения. Метод расширения шкалы открывает новые возможности повышения чувствительности флуоресцентных каталитических реакций. [25]
Фотоэлектронные умножители ФЭУ-1 и ФЭУ-2 имеют один каскад умножения. Интегральная чувствительность их лежит в пределах от 400 до 1000 мка / лм. Выпускаемые нашей промышленностью многокаскадные фотоумножители обладают чувствительностью от 1 Ю6 до 100 - 10е мка / лм. Дальнейшему увеличению чувствительности препятствуют два фактора. Во-первых, значительное увеличение тока у последних эмиттеров сопровождается быстрым ростом пространственного заряда, для рассасывания которого необходимы сравнительно высокие напряжения между эмиттерами. Во-вторых, при очень слабом токе и очень высоком усилении начинают сказываться флюктуационные помехи, вследствие чего дальнейшее усиление бесполезно. Характеристики фотоэлектронных умножителей практически не отличаются по своим данным от характеристик обычных фотоэлементов с соответствующим фотокатодом. Следует, однако, иметь в виду, что их удельная чувствительность примерно на 50 % изменяется в течение первых 100 - 200 часов работы. Вследствие этого для питания фотоумножителя, как правило, необходим специальный источник. [26]
Для определения индия Юз высушенного гранулированного цинка ( 30 меш) помещают в пробирку из органического стекла люцайт, которую вводят в отверстие парафинового блока. Активность за счет цинка равна 1 74 имп / мин на 1 г. Если измерения выполнены в пределах 10 мин. Метод позволяет определять 0 16 - 0 004 % In в цинке без предварительных разделений. При определерши в два раза меньших количеств индия его нужно отделить от цинка экстракцией из среды в 6 М НВг диизопропиловым эфиром, как описано на стр. Дальнейшее увеличение чувствительности метода возможно только путем увеличения интенсивности потока нейтронов. [27]
Магнитографический метод контроля отличается тремя особенностями: частицы порошка на магнитной ленте неподвижны, что определяет локальность их взаимодействия с полем дефекта; взаимодействие это носит магнитный характер - частицы намагничиваются полем рассеяния дефекта; при проведении контроля необходимо одновременное дополнительное подмагничивание, поэтому магнитографический контроль проводится только способом приложенного поля. В качестве индикатора полей рассеяния от дефектов используется магнитная лента, поэтому чувствительность метода определяется не только его упомянутыми особенностями, но и свойствами самой ленты, а также возможностями считывающего устройства дефектоскопа. При использовании магнитной ленты типа 2, МК-1, МК-2 минимальная обнаруживаемая напряженность поля составляет 40 А / см, тогда как при магнитопорошковом контроле она равна 160 А / см. Однако, вследствие относительно больших частиц магнитного порошка на ленте и узкого диапазона частот узла считывания дефектоскопа, при контроле поверхностных дефектов это практически не увеличивает чувствительности магнитографического метода относительно магнитопорошкового. В выявлении внутренних дефектов главную роль играет не раскрытие дефекта, а отношение глубины его расположения к толщине свариваемой стали. Дальнейшее увеличение чувствительности контроля может быть достигнуто за счет увеличения чувствительности магнитных лент. [28]
В работе [3] и независимо нами показано, что частотно-селективные методы спектрального анализа весьма перспективны как методы повышения чувствительности анализа. По данным работы [3], получен выигрыш в чувствительности определения хрома в барии по линии 4254 А не менее чем в 50 раз. Все эти данные получены далеко не в оптимальных условиях. Кроме того, можно ожидать дальнейшего увеличения чувствительности в результате перехода в ультрафиолетовую область спектра, где, как известно, уровень фона относительно во много раз ниже. [29]
Страницы: 1 2