Дальнейшее увеличение - энергия
Cтраница 2
Для дальнейшего увеличения энергии импульса его усиливают в многокаскадной последовательности лазерных усилителей, в которых площадь поперечного сечения увеличивается, от начального каскада к конечному. [16]
 |
Зависимость скорости изнашивания и коэффициента трения от энергии ионов для образцов и сплавов ВТ6 ( 1 и ОТ4 ( 2. [17] |
При дальнейшем увеличении энергии наблюдается незначительное повышение скорости изнашивания. [18]
При дальнейшем увеличении энергии, когда параметр 6Макс больше расстояний между атомами, рост потерь ограничивается из-за того, что. [19]
 |
Режим повторного сброса оболочки. Разрывы линий означают унос массы в межзвездное пространство. k 3, а, ( 3. [20] |
При дальнейшем увеличении энергии взрыва наступает момент, когда отраженная от центра ударная волна успевает догнать прямую волну, идущую к поверхности. Течение выходит на качественно новый режим, ранее никем не отмечавшийся, при котором после сброса большой части массы образуется мощная аккреционная волна, двигающаяся к центру и повторяющая срыв оболочки после отражения. После вторичного сброса образуется протяженная оболочка, во много раз превышающая размеры невозмущенной конфигурации, а размеры ядра меняются незначительно. Период пульсаций уменьшается при увеличении энергии взрыва, а весь характер течения указывает на возможное наличие таких процессов в недрах повторных новых звезд. [21]
При дальнейшем увеличении бомбардирующей энергии мы найдем другие пороги, при которых могут происходить большие потери и за пределами которых любое из нескольких дискретных количеств энергии может быть отнято от электронов. Это и есть основное свойство, которое искали Франк и Герц: атомы могут изменять свою внутреннюю энергию, но эти изменения ограничены строго определенными ступенями. [22]
При дальнейшем увеличении энергии электронов удары снова оказываются упругими. Поэтому с ростом величины V ток опять возрастает. Когда энергия электрона достигает величины 2 - 4 9 эВ, ток снова резко падает, так как в этом случае электрон может отдать свою энергию при столкновении с двумя атомами ртути. Таким образом, опыт Франка и Герца доказывает наличие дискретности значений внутренней энергии атома ртути. [23]
При дальнейшем увеличении энергии электронов до 10 000 в масс-спектр меняется слабо. [24]
При дальнейшем увеличении энергии фотонов ( уменьшении длины волны падающего света) поглощение в желатине понижается, и в рентгеновской области вновь можно пользоваться обычными фотоматериалами, содержащими желатин. Поскольку уменьшается и поглощение электромагнитных волн в самом фотографическом слое, для рентгеновской съемки используют эмульсии с более высоким содержанием бромида серебра, а фотослой наносят с двух сторон фотопластинки или пленки. Высокая энергия квантов приводит к тому, что каждый поглощенный квант засвечивает по меньшей мере один кристалл гало-генида серебра, а кванты высоких энергий - даже несколько кристаллов. [25]
При дальнейшем увеличении энергии удара вновь происходит уплотнение ядра сжатия, глубина разрушения увеличивается, а износ образца уменьшается. Начиная с энергии удара 18 3 Дж, процесс передеформации ядра проявляется в меньшей степени, глубина разрушения увеличивается быстрее, что характеризует подготовку-ко второму скачку разрушения. [26]
При дальнейшем увеличении энергии первичных электронов коэффициент вторичной эмиссии увеличивается, но, пока величина его меньше единицы, потенциал экрана остается неустойчивым. Он занимает некоторое среднее положение между потенциалами катода и второго анода, приближаясь к последнему по мере увеличения ускоряющего напряжения. Фактическая величина потенциала экрана в данном состоянии неустойчивого равновесия сильно зависит от плотности тока пучка и конструкции трубки. [27]
При дальнейшем увеличении энергии первичных электронов величина коэффициента вторичной эмиссии начинает падать. Kd рано или поздно становится меньше единицы и допускает возможность нового накопления отрицательных зарядов на экране. Потенциал экрана стремится при этом удержать постоянное значение по отношению к катоду и начинает отставать от потенциала второго анода. С этого момента разница между ними изменяется почти линейно с ростом ускоряющего напряжения. [28]
Эта деформация отражает дальнейшее увеличение энергии соединения ( так называемое байеровское напряжение), которая уже достаточно велика вследствие сын-перипланарного расположения всех тетраметиленовых единиц. На примере циклогек-сана было показано, что соответствующим вращением вокруг связей можно уменьшить деформацию углов связей, уменьшая в то же время несвязанные взаимодействия. Шестичленное кольцо является уникальным, поскольку в нем уменьшение напряжения кольца, обязанного деформации углов связей, приводит к полному исчезновению несвязанных взаимодействий, причем это не сопровождается появлением каких-либо других энергетически неблагоприятных взаимодействий. Благодаря всему этому энергия конформации цикла приближается к энергетическому уровню алифатических молекул. Повышение энергетического уровня других циклических структур обусловлено следующими факторами: а) питцеровским напряжением, вносимым несвязанными взаимодействиями заместителей при соседних атомах углерода; б) байеровским напряжением, возникающим вследствие деформации углов связей; в) трансаннулярными несвязанными взаимодействиями, обусловленными вынужденной близостью противоположных сторон цикла. [29]
Этот случай рассматривается в § 4.18. По мере дальнейшего увеличения энергии фотона можно полностью пренебречь энергией связи и получить как раз случай ( комптоновского) рассеяния фотона на электроне. Так как, особенно в тяжелых атомах, энергии связи электронов образуют целую область, то эти переходы будут происходить в различные стадии для разных электронов. Однако в углероде и бериллии переход к комптонов-скому пределу заканчивается при энергии фотона - 100 кэв. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5