Воздействие - сильное электрическое поле
Cтраница 1
 |
N-образная вольт-амперная характеристика однородного полупроводника.| Энергетические зоны полупроводника в случае сильного электрического поля. [1] |
Воздействие сильного электрического поля приводит не только к изменению подвижности свободных носителей заряда, но и к значительному изменению их концентрации. [2]
 |
Электрические зоны полупроводника в сильном электрическом поле.| Зависимость проводимости. [3] |
Воздействие сильного электрического поля приводит к значительному росту концентрации свободных носителей заряда. [4]
Туннельный пробой возникает непосредственно при воздействии сильного электрического поля на кристаллическую решетку полупроводникового материала. Для возникновения туннельного пробоя необходим высокий уровень легирования хотя бы одного из контактирующих материалов, образующих диодный р-п-пере-ход. При этом наклон энергетических зон становится таким, что вероятно туннелирование возникающих носителей заряда через запрещенную зону. Туннельный пробой характерен для достаточно сильных электрических полей, причем напряженность поля должна быть тем больше, чем шире запрещенная зона. [5]
Для нейтрализации зарядов статического электричества ионизируют воздух воздействием сильного электрического поля и радиоактивного излучения. Принцип действия устройств, ионизирующих воздух, так называемых нейтрализаторов статических зарядов, сводится к тому, что они создают вблизи поверхности заряженного материала положительные и отрицательные ионы. Ионы, имеющие полярность, противоположную полярности заряженного наэлектризованного материала, под действием электрического поля оседают на поверхности диэлектрика, нейтрализуя его. [6]
Нейтрализация зарядов статического электричества осуществляется ионизацией воздуха: воздействием сильного электрического поля и радиоактивного излучения. Устройства, ионизирующие воздух, называют нейтрализаторами статических зарядов. Принцип работы нейтрализаторов сводится к тому, что они создают вблизи поверхности заряженного материала положительные и отрицательные ионы. Ионы, имеющие полярность, противоположную полярности заряженного наэлектризованного материала, под действием электрического поля оседают на поверхности диэлектрика, нейтрализуя его. [7]
Влияние чужеродных частиц на образование зародышей может быть еще усилено воздействием сильного электрического поля [104, 105], в котором эти частицы заряжаются. [8]
В некоторых полупроводниках ( например, арсенида галлия) при воздействии очень сильного электрического поля ( 3 - Ю6 - 10е В / м) протекающий через них ток становится прерывистым: происходит группирование электронов проводимости в своеобразные домены, которые движутся от катода к аноду со скоростью до 105 м / с. И пока в кристалле движется один домен, другой не возникает. Таким образом, ток протекает не постоянно, а импульсами, следующими ( ввиду малости размеров кристалла - всего несколько десятков микрометров) с очень высокой частотой. Диоды Ганна сравнительно маломощные: десятые доли - единицы ватт, вследствие малости размеров активных областей и трудностей отвода из них тепла. [9]
Фазовый переход между антисегнето - и сегнетоэлектриком может происходить не только при воздействии сильного электрического поля, но и в результате изменения температуры. В этом кристалле антиссгнетоэлектрическая фаза существует между температурами ФП 630 и 80 К. Ниже температуры 80 К NaNhO3 превращается в сегнетиэлектрик, где сегнето - и антисегнетоэлектрические фазы сосуществуют. [10]
Генератор Ганна - это полупроводниковый прибор, действие которого основано на появлении отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления СВЧ-колебаний. [11]
В полупроводниках возможны следующие методы получения инверсии населенности: инжекция носителей через р - n - переход ( ин-жекционные ОКГ), электронное, оптическое возбуждения и воздействие сильного электрического поля. [12]
Следует также отметить диод Шотки, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного ( малым количеством примесей) слоя полупроводника; диод Гана, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Оба типа диодов предназначены для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний. По сравнению с точечным диодом диод Шотки имеет более крутую ВАХ в области малых напряжений в прямом направлении, значительно меньший обратный ток, меньший разброс параметров, большую надежность и высокую устойчивость к ударам, широко используется в быстродействующих микросхемах. [13]
Следует также отметить диод Шотки, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного ( малым количеством примесей) слоя полупроводника; диод Гана, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Диоды обоих типов предназначены для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний. По сравнению с точечным диодом диод Шотки имеет более крутую ВАХ в области малых напряжений в прямом направлении, значительно меньший обратный ток, меньший разброс параметров, большую надежность и высокую устойчивость к ударам. Диод Шотки широко используют в быстродействующих микросхемах. [14]
В настоящей главе изучаются различные виды эмиссии ( испускания) электронов твердыми телами: эмиссия при высокой температуре ( термоэлектронная эмиссия), эмиссия, вызываемая электромагнитным излучением ( фотоэлектронная эмиссия или внешний фотоэффект), вторичная электронная эмиссия, возникающая при бомбардировке потоком первичных электронов, и, наконец, автоэлектронная, или электростатическая, эмиссия электронов, причиной которой является воздействие сильного электрического поля. Все эти разделы электроники часто объединяют под названием катодной электроники. [15]
Страницы: 1 2